原理图——用PMOS构建防反接电路，图中方案是否均可行？原理是什么，欢迎讨论。

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原理图——用PMOS构建防反接电路，图中方案是否均可行？原理是什么，欢迎讨论。 [复制链接]

 

maychang

『用PMOS构建防反接电路，图中方案是否均可行？原理是什么，欢迎讨论。』

先说说你自己的看法，如何？

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maychang 发表于 2022-3-2 08:47 『用PMOS构建防反接电路，图中方案是否均可行？原理是什么，欢迎讨论。』 先说说你自己的看法，如何？

第一种方案：利用寄生二极管，上电时在R1两端形成压降，P管栅极电压低于源极电压，Q1导通使体二极管短路。这样做的目的是解决但串联一个二极管在防反接过程中有0.7V的压降，产生额外的功耗。

第二种方案：暂时不说，想听听大家的看法，欢迎发表意见。

maychang

普拉卡图 发表于 2022-3-2 09:11 第一种方案：利用寄生二极管，上电时在R1两端形成压降，P管栅极电压低于源极电压，Q1导通使体二极管短路 ...

『第一种方案：利用寄生二极管……』

你只说了正向上电情况，这是防反接电路，总应该说说电源反接时MOS管如何工作吧。

yang1114

maychang 发表于 2022-3-2 08:47 『用PMOS构建防反接电路，图中方案是否均可行？原理是什么，欢迎讨论。』 先说说你自己的看法，如何？

利用寄生二极管，上电时在R1两端形成压降，P管栅极电压低于源极电压，Q1导通使体二极管短路。这样做的目的是解决但串联一个二极管在防反接过程中有0.7V的压降，产生额外的功耗。

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maychang 发表于 2022-3-2 09:35 普拉卡图 发表于 2022-3-2 09:11 第一种方案：利用寄生二极管，上电时在R1两端形成压降，P管栅极电压低于 ...

反接的状态下，P管栅极电势比源极高，管子不导通，相当于开关关断，电路不工作。

qwqwqw2088

P管做防反，实际用的时候要考虑负载，后端可能有很多负载，容易有串电流，体二极管可能就会导通

所以，最好的判断当电源反接时，S极为低或0，G极为高电压了，管子的Ugs>0，MOS管是关闭状态的就行

maychang

普拉卡图 发表于 2022-3-2 10:21 反接的状态下，P管栅极电势比源极高，管子不导通，相当于开关关断，电路不工作。

重要的一点是：左边图中MOS管Q1的体内寄生二极管在电源反接时不导通，反接的电源电压无法施加到负载上。

左边图中电源反接时Q1门极电势并不比源极高，因为R1R2两端根本没有电压——体内寄生二极管并未导通。

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maychang 发表于 2022-3-2 12:06 重要的一点是：左边图中MOS管Q1的体内寄生二极管在电源反接时不导通，反接的电源电压无法施加到负载上。 ...

确实是，是我理解有误，多谢指正！

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qwqwqw2088 发表于 2022-3-2 10:47 P管做防反，实际用的时候要考虑负载，后端可能有很多负载，容易有串电流，体二极管可能就会导通 所以， ...

对的，因为体二极管的存在，反接的电流经过负载的GND到流经负载再到体二极管在回到VCC,形成一个通路，使得第二个电路起不到防反接的作用，容易损坏负载电路。所以第二个电路是不能用的。