【国民技术M4内核热销款N32G45XVL评估】第五篇 低功耗性能评估

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【国民技术M4内核热销款N32G45XVL评估】第五篇 低功耗性能评估 [复制链接]

 

今天花了点时间研究了一下N32G45XVL的低功耗模式，并且实测了功耗数据。

 

先对手册上介绍的N32G457低功耗模式总结了一下，列了一个表：

 

模式	描述	手册上功耗数据
SLEEP	CPU停止	27mA
STOP0	CPU停止， 所有SRAM和寄存器数据保持， 高频时钟关闭， 主调压器可工作于低功耗模式	150uA
STOP2	CPU停止， 除R-SRAM和备份寄存器外，大部分数据丢失 高频时钟关闭 主调压器关闭 GPIO保持，外设IO复用功能不保持	10uA
STANDBY	CPU停止， 除备份寄存器外，大部分数据丢失 高频时钟关闭 主调压器关闭	2.7uA
VBAT	VDD掉电	2uA

 

SLEEP功耗数据官方手册上给出的是105℃数据，没有给常温数据，这个有点奇怪。

 

然后使用评估板对实测了功耗。实测数据如下：

ACTIVE： 16mA

SLEEP：8.1mA

STOP：65.4uA

STOP2：2.8uA

STANDBY：1.65uA

VBAT：1.7uA

 

从测试结果看，低功耗性能还是很不错的。基本都比手册上数据要好。

注意，在测试低功耗电流时，需要把PB4口配置成IO口后再去测。因为板上PB4连接了一颗LED。

而PB4上电默认为JNTRST ，为输入上拉模式。如果不配置成IO，就会有漏电。

我开始测的时候，发现功耗数据偏大，找了一会才发现这个问题。 

 

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最好把你的测试环境报告一下，比如当时温度，测试的工具，有没有经过较准的工具。再上图，那就更完美了。