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MOS管的漏电流
在微型可穿戴设备中,对于电池的功耗要求很高,所以为了省电,其实电路也是很多的,最省电的无疑就是直接断开电池的供电了
这种方案要用到一个NMOS和一个PMOS组合使用,NMOS作为下管控制PMOS的输出。
NMOS和PMOS本身也是需要消耗电流的,重点关注NMOS和PMOS的两个漏电流参数IGSS和IDSS,一般小于多少才算是极低的漏电流?
PMOS管IGSS& IDSS漏电流.png (115.5 KB, 下载次数: 0) 下载附件 保存到相册 2021-10-12 16:49 上传 PMOS管 IGSS&IDSS漏电流.png (222.99 KB, 下载次数: 0) 下载附件 保存到相册 2021-10-12 16:49 上传
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这个与管子的功率有关,不同品牌的也有关 ID电流越大漏电流越大。 小功率的管子漏电流也小些
可穿戴设备中应该使用的低功耗的器件,包括MOS管
管子关断时,漏电流要小,
2N7002最大1uA
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最低没有标准,要求最低是无止境的,适合自己满足要求的就是最低的
一粒金砂(高级)
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电池本身具有自放电特性,只要器件的漏电流远低于电池自放电即可。
qwqwqw2088 发表于 2021-10-12 22:13
对 基本上都是在1uA以上
baopodao 发表于 2021-10-13 12:34 电池本身具有自放电特性,只要器件的漏电流远低于电池自放电即可。
电池自放电 远远大于1uA?
自放电和电池的容量有关,一般1Ah的锂电,有几十微安的自放电,以此来说100mA的锂电有几个微安的自放电。
baopodao 发表于 2021-10-16 11:16 自放电和电池的容量有关,一般1Ah的锂电,有几十微安的自放电,以此来说100mA的锂电有几个微安的自放电。
那么大?那50mAh的自放电是多少
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