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移相器有模拟和数字两种形式，模拟式移相器相移量可在一定范围内连续可变,而数字式移相器的相移量只能在一定范围内取某些特定值。如果要构成 n位数字移相器可用 n 个相移数值不同的子移相器串联而成。每个子移相器应有移相和不移相两个状态。最小的子移相器的相移量为
。故 n 位数字移相器可得到个不同相移值。数字移相器可以用数字控制，电路来进行控制与外电路的接口比较容易。而模拟式移相器可实现360°范围内的无极扫描，这样可以有更高的移相精度，它多用在系统相位自动调整的场合和移相精度要求特别高的场合。
按使用材料分，移相器有铁氧体移相器、铁电陶瓷移相器、半导体二极管移相器、砷化镓 MMIC（单片微波集成电路）移相器和MEMS（微电子机械系统）移相器等。根据功率电平分有高功率移相器和低功率移相器；按传输线形式分有波导移相器、同轴线移相器、带状线移相器、微带线移相器、共面波导移相器、根据所采用的元件还可以分为集中参数移相器和分布参数移相器。下面将介绍几种比较常用的移相器的结构以及工作原理。
铁氧体移相器
铁氧体移相器可分为环行移相器、双模移相器和旋转场移相器等。其基本原理是利用外加磁场改变波导内铁氧体的磁导率，从而改变电磁波的相速得到不同的相移量。
图1-1所示为常用的一种铁氧体移相器，在矩形波导宽边中央有一条截面为环形的铁氧体环，环中央有一根磁化导线。根据铁氧体的磁滞特性，当磁化导线中通过足够大的脉冲电流时，所产生的外加磁场也足够强(它与磁化电流强度成正比)，铁氧体磁化达到饱和，脉冲结束后，铁氧体内便有一个剩磁感应(其强度为)。当所加脉冲极性改变时，剩磁感应的方向也相应改变(其强度为Br)。这两个方向不同的剩磁感应对波导内传输的TE10波来说对应两个不同的磁导率，也就是两种不同极性的脉冲在该段铁氧体对应有两个不同的相移量，铁氧体产生的总的相移量为这两个相移量之差。只要铁氧体环在每次磁化时都达到饱和，其剩磁感应大小就保持不变，这样相移差的值便取决于铁氧体的长度。铁氧体移相器具有较大的功率容量，插入损耗比较小，移相度也可做到很大，但是由于需要励磁线圈来提供驱动电流，所以体积很庞大，只能用于无源相控阵雷达，不适合机载和星载雷达，而且其响应速度比较慢，也不能适应高速毫米波雷达的要求。
图1-1 铁氧体移相器
半导体PIN二极管移相器
半导体PIN二极管移相器是发展最早也是现在使用最广泛的一种数字式移相器。按电路结构分可分为开关线式移相器、加载线式移相器、反射式移相器、变阻抗移相器等。不管采用那种结构其原理都是利用PIN二极管在正偏和反偏时的两种不同开关状态，使一段传输线接通或断开来实现移相。它的优点是易于采用数字信号控制，工作速度快，但功耗大，尤其是在微波频段；功率容量比较小。下面是几种不同结构的PIN二极管移相器。
（a）开关线式移相器 （b）加载线式移相器
（c）环行器移相器
图2-1PIN二极管移相器
此结构也存在一些不足，首先是所需PIN开关二极管较多，其次，这种结构对管子一致性要求较高，而且工作频率越高，对一致性要求越高；再次，由于PIN二极管隔离带的限制，断开通道将会对导通通道产生附加影响，断开通道的点长度为或其整数倍时，断开的通道将产生谐振，吸收大量信号能量，此时，不仅移相器的插入损耗将急剧上升，而且在谐振频率附近将产生很大的相移误差。为了避免这种谐振现象，必须对两个通道的电长度合理选择。最后，微波功率要在两条通路之间来回转换，二极管将承受很高的射频电压和电流。
砷化镓MMlC移相器
基于砷化镓集成电路工艺的MMIC近年来也有了很大的发展。砷化镓MMIC移相器也随之出现，其使用频率主要是在微波低频段如L波段，C波段等。在MMIC移相器的设计中为了缩小体积，通常采用反射式的结构，因此其设计的关键就是实现微波信号的反射传输。微波信号的反馈通常是由长的3dB耦合线实现的，耦合线一般采用微带线或共面波导的形式，也可以用过集总参数的电容和电感实现。砷化镓MMIC移相器的优点是制作工艺成熟、工艺误差对器件电性能的影响比较小、温度稳定性也好，但同半导体PIN二极管一样在微波高频段时其插入损耗很大，功率容量也比较小，且工艺难度大。
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提升卡
变色卡
千斤顶
