从 LDMOS 转向 GaN，是技术上的飞跃吗？

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从 LDMOS 转向 GaN，是技术上的飞跃吗？ [复制链接]

相比其它半导体，GaN 是一种相对较新的技术，但它已然成为某些高射频、大功率应用的技术之选。虽然 LDMOS 技术目前仍在射频基站领域占有最大市场份额，但预计 GaN 将在 5G 大规模 MIMO 部署中逐渐取代 LDMOS。从 LDMOS 转向 GaN，是技术上的飞跃吗？

 

在全国范围内推动 5G 实施的大规模 MIMO 技术。尽管毫米波频率应用的潜力最终会显现，但在未来几年，5G 服务将主要采用 6GHz 以下频段传输。为实现 5G 服务目标，接下来几代基站设计都将要求显著提高射频前端的性能。

 

同时，工程师在设计基站时需要考虑更好地集成 RFFE 、缩小尺寸、降低功耗、提高输出功率、增加带宽、改进线性度，以及提高接收器灵敏度。所有这些都是为了满足收发器、RFFE 和天线之间更严格的耦合要求。这是一项艰巨的任务。满足这些需求并成功实现大规模 MIMO 的唯一方法就是使用经济高效的小型功率放大器，将它们集成进这些扩展的天线阵列。

 

GaN 为嵌入式设计人员带来了许多性能优势，但毫无疑问也有一些这种材料独有的设计考量因素。本系列的下一篇将详细介绍嵌入式设计人员需要了解哪些内容才能充分利用 GaN 的潜力。我将在下一篇中纠正一些常见的误解，提供一些设计解决方案，并探讨 GaN 技术在射频应用及其它方面的发展。