6410 MLC 如何才能从nandflash启动

jhpotter

6410 MLC 如何才能从nandflash启动 [复制链接]

各位老大，最近我刚开始研究6410的板子，手头上现有三星6410 PM 090416的BSP包，Nandflash型号是K9GAG08U0M 2G,用PM的包现在可以采用iRom方式从SD卡启动，但下载stepldr和Eboot不能从Nandflash启动，有谁知道都会有什么原因导致出现这个情况，我曾怀疑是烧写时校验码不对，但又不知道该怎么去判断，有几个问题请熟悉的人帮忙确认一下

1。PM包中whimory里用NAND_Steploader_Write()函数烧写stepldr,看到有烧写进去，但读出来的ECC校验布局好像不对，三星PM文档中MLC spare只有4Bit的校验方式的布局，8Bit ECC的校验格式应该是怎样的？
4Bit每个Sector（512Kbyte）生成8byte ECC，8Bit是生成的有13Byte

2。MLC写stepldr/block0image需不需要分层写？
BSP_IROMBOOT = 1 时用NAND_Steploader_Write写入没有分层，stepldr直接写了8个Sector
BSP_IROMBOOT = 时用NAND_Write写入有分层，分别写入block0和block1中的头4个Sector

3。看到三星文档上有介绍在写spare时好像还需要对其自身写入内容进行自校验，还要采用24Byte方式，有没有必要？

智能abc

要设置NAND启动要将相关设置启动模式及设置NAND访问PAGE页大小、地址周期等几个管脚进行硬件上的拉高或者拉低，这样系统启动的时候才能正确地从NAND中读取到stepldr。
1、CPU启动时从NAND中读取的8K stepstone时似乎是没有进行ECC校验的，所以前8K内容如果出现ECC不对应该没有关系，除非写的时候就没写成功，或者写进去的数据是错的。
2、你的分层是指two plane programe吗？stepldr通常都不采用这种方式。
3、如果spare空间够大，从eboot开始的代码通常都会对spare区的数据也进行ECC校验，进一步保证数据的正确性。

stephenliu

不知道启动模式设定是指那块，我对这些都不是很熟悉，是指OM[4：0]的设置么，根据K9GAG08U0M，1Page是4096+128，5-Cycle选的应该是0011X；
按照你说的读取8K stepstone时不需要校验，那是不是我写stepldr的地址不对，我是直接对block0的0地址开始写的；

zhangwf

帮顶下，

MARK,学习下。

toshbia

OM[4..0]应该为00010,
1. 8bit ECC是每一个secotr生成13Byte没错。在128byte的Spare区的布局就是8个sector的校验码8×13，后面补0xFF
2. Block0不需要分层操作，直接写Block0的前面8个sector即可。
3. block0采用8bit ECC校验，没有对spare区进行校验。因为前面2个page是直接由CPU读取，不需要ECC校验。后面4bit ECC的代码，一般有对Spare区的校验，如文档所写的

anyjun

PM包里默认的就是写8*13个校验码，后面也是补足0xFF，写进去的ECC校验码我也确认过，OM[4：0]也设置过0x0010，但就是启不来，一点反应都没有.

NBL1和NBL2生成的Block0image.nb0，我也下载试过同样也没有反应，按我的理解NBL1应该相当于stepldr放入page0和page1，NBL2从第6page开始写入，NBL2用什么方式校验8Bit么？PM包里默认block0image.nb0同样是用NAND_Steploader_Write写入，也就是8Bit，而且也没有分层，有没有问题？

xjtuwugang

还有一点我比较奇怪，OM[4：0]设置成x111x，GPN[15：13]无论设置成什么，只要SD卡在就能起来，这个现象正常么

janeyqian

LZ的GPC[5..7]为011，没问题吧。

NBL1的位置没错，NBL2的位置要看你NBL1中代码的设置了。
另外有加调试信息打印吗？NBL1是否有起来？？？

你可以先调一下NBL1看看：
1. 烧写进入Nand以后，再读出来看看，Block0的page0和Page1中这8k数据是否跟烧入的一样？

2. 上电后用AXD之类Jtag工具看看RAM地址为0-2000的代码（CPU自动加载的地方）是否跟Block0image.nb0前面两个page一样？？如果一样，说明已经有加载进去了。并且是nand启动。

dld222

我在stepldr中加了亮灯，出现了另外的问题

1。加载stepldr.nb0，startup.s之一执行到bl main之后就没有反应了

2。加载stepldr.bin或NBL1.nb0直接就挂了

hellovla

你的stepldr.nb0有效代码有没有超过8K？

zhang_shuai2005

NAND_Steploader_Write（）一次只能写一个page，楼主确认有烧全吗？

gjinzi

谢谢提醒，我本来奇怪为什么我的stepldr.nbx生成到stepldr.nb3，我试着将stepldr.bib中COMPRESSION = ON，可以运行到main(),看到"Launch Eboot...";目前又卡到找不到eboot，有什么原因么，我的LOAD_ADDRESS_PHYSICAL=IMAGE_EBOOT_PA_START，按正常应该没有问题才对，还有几个问题需请教一下

1.我看文档上写6410好像支持stepstone 8K，为什么我设置 ROMSIZE = 00002000时启动一点反应也没有；控制stepldr的生成大小主要是那部分控制？我的stepldr.bib如下
STEPLDR    00000000 00002000 RAMIMAGE       ; Image : 8 KB (in Stepping Stone)
RAM       500F0000 0000C000 RAM          ; RAM    : 48 KB
STACK    500FC000 00004000 RESERVED       ; Stack : 16 KB (sharing with Eboot)
ROMSTART = 00000000
ROMWIDTH = 32
ROMSIZE = 00001000

2.我只能下载eboot.bin，而且并未看到在eboot中加的亮灯，下载地址80030000，偏移为0，用的仍然是PM包里EBOOT.WHIMORY生成的eboot文件；

3.我的NBL1仍然没有看到什么反应，有没有什么建议？

lygtian

学习学习，呵呵。

毛毛虫

引用 11 楼 jyoshou 的回复:
COMPRESSION =ON，可以运行到main(),看到"Launch Eboot...";
[/quote]
可以看到這句話，說明NBL2已經結束了。開始跳轉到EBOOT，如果Eboot沒有起來，是不是你在NAND中讀取Eboot的位置錯誤？？

[quote]引用 11 楼 jyoshou 的回复:
为什么我设置 ROMSIZE = 00002000时启动一点反应也没有；控制stepldr的生成大小主要是那部分控制？

ROMSIZE没错，你设置以后可以看一下NBL1.nb0文件，文件大小有改变，NB0文件才是最原始的image文件。

等待巴蒂

烧写EBOOT.NB0到NAND中我试过可以，BIN却不行，

有空帮我回答一下这个问题：http://topic.eeworld.net/u/20100209/20/44df0fe6-863f-4972-b3c5-b838d59fa4f3.html?52048
如何烧写0block做nand的引导启动，是否需要ecc校验方式来烧写，还是直接烧？