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虽然有些人认为 GaN 仍是一种相对较新的技术，但却无法否认它跻身一流技术行列的事实。GaN（又名“氮化镓”）技术即将取代硅 LDMOS，后者一直以来都是高功率应用的首选。GaN 是一种 III-V 直接带隙半导体技术。由于其具备更高的效率、出色的高压可持续性、更低的功耗、更高的温度属性和功率处理特性，GaN 在功率电子设备领域的应用越来越广泛。
这些属性使 GaN 成为 5G 射频的焦点，尤其是在毫米波 5G 网络中。虽然我们都“听说过”5G 的各种前景，随着主要的无线网络运营商向其客户推出 5G 服务，如今大城市中的许多人，更确切地说大约有 500 万人，开始了解这些前景。但其实我们尚未到那一步。完全不是那么回事。我们的目标是到 2025 年连接 28 亿用户。要实现这一目标，就意味着要改造整个移动基础设施，虽然这是一项复杂的任务，但却是能够完成的。借助 GaN 技术，5G 将在不知不觉中达到数十亿用户。
最近，Embedded.com 邀请 Qorvo 的 Roger Hall 撰写了一系列 5G 文章，说明构建基础设施的复杂性，以及在普及 5G 的创新中哪些方面适用 GaN。下面是每篇文章的摘要，并附有链接，以便大家深入了解。
5G 和 GaN：全面了解 6GHz 以下大规模 MIMO 基础设施
在这篇文章中，Roger 说明了运营商在推出 5G 时，利用大规模 MIMO 技术最小化成本和提高容量的优势。他还探讨了 6GHz 以下技术，并说明了为什么该技术对 5G 的采用和扩展至关重要。 此外，他还谈到了如何在大规模 MIMO 基础设施应用中使用 GaN。了解更多信息 >
5G 和 GaN：从 LDMOS 向 GaN 的转变
在这篇文章中，Roger 解释了 6GHz 以下 5G 基站的功率需求如何推动硅 LDMOS 放大器向基于 GaN 的解决方案转变，以及 GaN 为何能成为许多射频应用的可行技术。他还回顾了工程师需要在这两项技术之间进行的一些权衡，以及 GaN 为何能成为许多 5G 解决方案的首选。了解更多信息 >
5G 和 GaN：嵌入式设计人员需要了解的内容
在前一篇博文的基础上，Roger 就嵌入式设计人员如何充分发挥 GaN 的潜力发表了自己的见解。他还讨论了人们对 GaN 的误解，探讨了 GaN 的特性，并提供了最大化 GaN 性能的最佳实践。了解更多信息 >
5G 和 GaN：未来创新
在本系列博文中的第四篇也是最后一篇文章中，Roger 展望了未来 GaN 在基站中的角色。他还简要介绍了目前正在进行且在未来可提高线性效率、功率密度和可靠性的 GaN 创新，以及这些改进的影响。了解更多信息 >
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提升卡
变色卡
千斤顶
总结的太到位也太详细了，谢谢分享。
