电子工程世界-论坛»论坛 › 电子技术交流 › 国产芯片交流 › 【复旦微FM33LC046N】FLASH基本时间简单测试

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五彩晶圆（高级）

楼主

发表于2021-4-16 18:42 只看该作者

【复旦微FM33LC046N】FLASH基本时间简单测试 [复制链接]

本帖最后由常见泽1 于 2021-4-16 18:44 编辑

我先来看下ST的F0的 FLASH电气参数特性

再来看下复旦微的LC0的FLASH电气参数

St的M0是每个page是1K，LC0是每个page 512

但是即便是多擦除2个page 1K字节，复旦微的速度也是远高于ST的

我们来测试下这个时间

首先我们来测试32bit写时间

通过程序调用FL_FLASH_Program_Word

通过memory看出来写进去了

测试下时间为16.64us 和手册里的数据差不多，比手册里数据略小

和手册里的数据对得上。

再看看擦写页时间

调用函数FL_FLASH_PageErase

发现地址的数据已经擦掉成0XFF

看波形擦除时间1.94ms，和手册也对的上

总体来说复旦微的FLASH操作时间非常快

复旦微

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w494143467

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Jacktang

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五彩晶圆（高级）

沙发

发表于2021-4-16 21:47 只看该作者

由楼主的测试看，复旦微手册的数据还是可信的

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freebsder

7452 帖子	2 TA的资源

五彩晶圆（高级）

板凳

发表于2021-4-16 23:50 只看该作者

谢谢分享，期待后续

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默认摸鱼，再摸鱼。2022、9、28

w494143467

1942 帖子	3 TA的资源

版主

4楼

发表于2021-4-17 19:02 只看该作者

感谢分享！期待后续测评哦！

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doudou52098

29 帖子	3 TA的资源

一粒金砂（中级）

5楼

发表于2021-5-31 09:23 只看该作者

楼主测试还是很仔细得，感谢分享

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