SS805基极电流设置上限问题

tongshaoqiang

SS805基极电流设置上限问题 [复制链接]

 

如上图，用三极管8050控制2路继电器（4100F-5V、HF46F-5V）,两路继电器线圈输入均为5v，线圈电阻125欧姆。考虑线路板空间，尽可能省件，也考虑到单片机IO口输出电流最大在10ma左右，就将三极管基极电阻省掉。后来因继电器误用24v的，测到基极电流达30ma，有点担心三极管出问题，查8050的手册也没看到关于基极电流的上限。30ma的基极电流，三极管远远能工作在饱和状态了，测试也没问题，担心长时间工作会出问题，特来请教大家。

1、ss8050的基极或者其他三极管的基极电流有无最大上限值？

2、测试IO口输出后，测试基极电位0.8v左右，我认为是IO口的输出阻抗太大，导致基极分压太小，看单片机手册也没找到输出阻抗，求大家确认。

    

 

 

不会插附件，8050的手册大家可以查一下，放大倍数120--400

chunyang

晶体管的最大基极电流极限应该能在手册中查到，只是恐怕需要很详细的版本。不过一般情况下无所谓，因为在集电极电流达到准许的极限时，此时对应的基极电流离其极限还有不小的余量。所以在设计时，只要遵循目标电流对应的基极驱动电流数值，再适当留点余量就可以了，不必考虑基极极限电流，但基极限流电阻是必须的。

chunyang

关于IO直连基极问题，这显然不准许。没有基极限流电阻，IO将与晶体管展开一场电平竞争，容易导致基极电流过载或IO输出过载，对可靠性很不利。

MCU的输出阻抗一般手册里不会载明，因为跟制造环节甚至温度等都有关，而且数字电路必须保证逻辑电平，没有正确的逻辑电平就失去了数字电路的意义，所以手册中会给出输出在有效逻辑门限下的最大灌电流及拉电流，而IO能承受的极限显然更大，MCU在设计时也会留有余量。

chunyang

总的来说，按规范设计晶体管电路时，已经无需获知晶体管的极限基极电流参数。类似的，按规范设计MCU应用电路时，也已经无需获知IO的输出阻抗参数。二者在规范设计的约束下，均已距极限有不小的余量，所以一般手册中无需载明。当然，如果电路可能受某种因素影响造成过载，那就需要做保护，但那同样无需一定知道这两个参数，做保护电路时门限别留的太离谱就足够保证可靠性了。

maychang

tongshaoqiang

chunyang 发表于 2021-3-4 17:18 晶体管的最大基极电流极限应该能在手册中查到，只是恐怕需要很详细的版本。不过一般情况下无所谓，因为在集 ...

感谢chunyang老师指导。

按照最大参数考量：集电极最大1500ma，β取最小120，基极电流计算12.5ma，假设取余量到20ma，现在测试基极电流测试达到了30ma，所以有些担心可靠性。

tongshaoqiang

chunyang 发表于 2021-3-4 17:18 晶体管的最大基极电流极限应该能在手册中查到，只是恐怕需要很详细的版本。不过一般情况下无所谓，因为在集 ...

感谢chunyang老师指导。

按照最大参数考量：集电极最大1500ma，β取最小120，基极电流计算12.5ma，假设取余量到20ma，现在测试基极电流测试达到了30ma，所以有些担心可靠性。

maychang

注意2楼chunyang所说：“基极限流电阻是必须的”。

建议你在三极管基极加上限流电阻。

chunyang

tongshaoqiang 发表于 2021-3-4 18:10 感谢chunyang老师指导。 按照最大参数考量：集电极最大1500ma，β取最小120，基极电流计算12.5ma ...

这个无需担心基极电流极限问题，倒是该担心IO了。按集电极极限电流1500mA计，直流放大系数就按100算吧，对应基极电流15mA，30mA只大了一倍，应远小于极限。5楼maychang给出了详细版手册中的基极电流极限，DC即直流，一直都有，那极限是300mA，而短时突发值甚至为1A，可见我前面所言不虚吧。

tongshaoqiang

maychang 发表于 2021-3-4 18:15 注意2楼chunyang所说：“基极限流电阻是必须的”。 建议你在三极管基极加上限流电阻。

收到。

感谢maychang老师指导。

tongshaoqiang

maychang 发表于 2021-3-4 18:09

感谢maychang老师。我手头这份手册参数没你提供的这么细。表示感谢。

tongshaoqiang

chunyang 发表于 2021-3-4 17:27 关于IO直连基极问题，这显然不准许。没有基极限流电阻，IO将与晶体管展开一场电平竞争，容易导致基极电流过 ...

IO口与基极间无论是否串联电阻（2K）,基极电压总是0.8v左右，就是BE结压降，我想确认是否是IO口内阻太大的缘故。

 

基极与地间增加了100k电阻，io输出高电平时，也没能将基极电压调高。

 

tongshaoqiang

chunyang 发表于 2021-3-4 18:19 这个无需担心基极电流极限问题，倒是该担心IO了。按集电极极限电流1500mA计，直流放大系数就按100算吧， ...

chunyang前辈，您说的极有道理！单片机厂家说io的输出驱动电流也就10ma，我实测30ma，可能也是你说的IO输出过载吧。所以基极加限流电阻还是很有必要的。

chunyang

tongshaoqiang 发表于 2021-3-4 18:35 IO口与基极间无论是否串联电阻（2K）,基极电压总是0.8v左右，就是BE结压降，我想确认是否是IO口内阻太大 ...

发射结压降可以认为基本上就是个常数，IO内阻就是很小也改变不了这个现实。IO内阻足够小，结果就是基极电流过大，直至晶体管烧毁。

tongshaoqiang

chunyang 发表于 2021-3-4 18:40 发射结压降可以认为基本上就是个常数，IO内阻就是很小也改变不了这个现实。IO内阻足够小，结果就是基极电 ...

再次感谢！

maychang

tongshaoqiang 发表于 2021-3-4 18:21 感谢maychang老师。我手头这份手册参数没你提供的这么细。表示感谢。

此说明书发布公司是PHILIPS，型号是PSS8050。各大公司发布的数据稍有差别。

 

annysky2012

设计这种电路，重要的是考虑单片机IO的驱动能力