最近主要的半导体制造商承认:研发和生产先进的IC芯片非常需要晶圆级的射频(RF)测试。在一定程度上,这公然与2003年ITRS技术工作组对于建模与仿真的建议不符,该建议表明:“对于RF精简模型的参数提取,更应该尽力压缩RF测试。 如果需要,应该通过支持仿真的标准I-V和C-V测试来提取这些参数。” 问题之一是对于超薄介质,由于存在大的漏电和非线性,通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容(Cox)。然而,使用高频电路模型则能够精确提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点,对于高性能/低成本数字电路,RF电路,以及模拟/数模混合电路中的器件,这方面的挑战也在增加。 但是,现在新的参数测试系统能够快速、准确、可重复地提取RF参数,几乎和DC测试一样容易。最重要的是,通过自动校准、去除处理(de-embedding)以及根据待测器件(DUT)特性进行参数提取,探针接触特性的自动调整,已经能够实现RF的完整测试。这方面的发展使得不必需要RF专家来保证得到好的测试结果。在生产实验室,根据中间测试结果或者操作需要,自动探针台和测试控制仪能够完成过去需要人为干涉的事情。世界范围内,已经有7家半导体公司验证了这种用于晶圆RF生产测试的系统。
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