升降压超级电容充电方案

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升降压超级电容充电方案 [复制链接]

TI shanghai FAE: Eric Xiong

超级电容由于其充电次数，更好的瞬态性能，更简单的充电管理以及更少的环境污染，在很多应用中越来越受欢迎。多个电容单体（2.7V）串联往往需要buck-boost充电拓扑来实现电源的充电管理。BQ25703A是一种集快速充电、电源路径管理、保护功能于一体的单芯片方案。本文讨论了在实际应用中的一些注意事项。

1. 典型充电电路和充电曲线：

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图1 典型应用电路

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图2 典型的充电曲线

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图3 配置和软件设置

2. 加速充电过程

与锂电池的预充电过程不同，超级电容可以直接快速充电，从而减少充电时间，可以采取如下两种方式来减小芯片自带的预充过程，

• 使用更低的检流电阻Rsr=2mOhm.

默认是10 mOhm，相当于提升5倍的预充电流。

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图 4   20s 快速充电充满

• 2去使能LDO 模式

为了保证芯片的最小工作电压，在预充过程充，BATFET处于LDO模式下，采用旁路模式也能加快充电速度，但会牺牲一部分系统电压范围。

 

图 5  LDO 使能模式

  图6 LDO旁路模式

 

3. 兼容0.5A小电流USB输入

当输入电源的电流能力有限，而充电电流很高时会有拉低输入电压的风险，需要动态的配置充电电流，防止系统电压过低导致的系统崩溃。BQ25703A的DPM模式能灵活地设置输入功率限制，动态地的分配实时的充电电流，保证输入电压恒定。

  

图 7  无DPM模式

 图8 DPM模式

 

4. 被动均衡功能

为了防止单体过充或者欠充，需要加入主动或者被动均衡，在保证功耗的基础上，被动均衡的电路简单，成本更低。

      

图9 电阻被动均衡

5. 硬件过充保护

当软件崩溃或者程序错误设置时，需要硬件的保护来防止电压过冲而引起的危险。使用内部比较器并结合芯片本身的HIZ模式可以强制保护充电电压低于设置的安全门限值。

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图10 HIZ 硬件过压保护

6. 综述

综上，BQ25703A可以作为多节的超级电容的升降压充电方案，自带power path 功能和DPM功能，软件配置灵活，硬件保护功能齐全。