为什么NAND flash以page为单位读写，SD card以block为单位读写？

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为什么NAND flash以page为单位读写，SD card以block为单位读写？ [复制链接]

NAND flash以page为单位读写，以block为单位erase, SD card的存储介质用的是NAND flash，为什么却已block为单位读写呢？《SD SPEC》甚至都没有page这个概念。

《SD SPEC》还提到set block length 用CMD16，block的长度不是该由NAND FLASH的硬件组成（memory chip etc.）确定的么，怎么却可以set呢？

我曾怀疑《SD SPEC》的block可能指的是NAND flash的page，SPEC里讲的group可能指的是NAND flash的block，但SPEC说set erase block start 用CMD32 and set erase block end 用CMD33，照此来看SPEC里的block就应该是NAND的block，所以问题就回到标题了。

实在不明白，请高手指教，多谢！

ntdx

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yuyijun

建议看一下不同存储器的内部逻辑结构，下两个DataSheet看看。

liyi885

都有块和page的概念吧。

ppm009

《SD SPEC》里写道：
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对于基于块的命令，有定义：
?        块(block) – 和基于块的读写命令相关，其大小是当host发出一个块命令时卡传输的字节数。块的大小可能是编程写入的，也可能是固定的。可查询CSD确定允许的块大小和是否可编程。
可擦除单元的粒度一般不和基于块的命令的相同：
?        扇区(sector) - 和擦除命令相关。其大小（size）是一次擦除的block数，对于每个设备，扇区size是确定的。扇区size（in blocks）存在CSD中。
对于包含写保护的设备，用：
?        WP组 - 最小的有写保护的单元，其size是用one bit可写保护的组数。对于每个设备，WP-group是确定的，该信息存于CSD。
Memory Array Partitioning图：n个block组成sector，n个sector组成WP group.
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是不是可以这样理解：这里的block可能就是NAND的page，这里的sector可能就是NAND的block——前面说和擦除命令相关，大小是一次擦除的block数，和NAND的“block由32或64个page组成，是擦除单位”如出一辙。

ytada

俺们经常在cpu内部对小块的flash进行操作，有block的概念和page的概念，一般block是几K，比如4K，page是几十字节，比如64-256字节。最小可操作单位是page，这是对单片机内部的flash而言。

stopliu

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