A1SHB资料HU2301PMOS管

样品13560750180

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A1SHB（HU2301是PMOS管 HU2302是NMOS管。


A1SHB（HU2301）PMOS管。
晶体管类型 ： P沟道MOSFET
最.大功耗PD ： 1.25W
漏源电压VDS ：－20V（极限值）
漏极电流ID：TA=25°时：-2.2A，TA=70°时：-1.4A
栅极漏电流IGSS：±100nA。



A2SHB（HU2302）NMOS管。
晶体管类型 ： N沟道MOSFET
最.大功耗PD ： 1.25W
漏源电压VDS ：20V（极限值）
漏极电流ID：TA=25°时：3.0A，TA=70°时：2.2A
栅极漏电流IGSS：±10uA。