TI 高侧和低侧驱动器 4A 峰值电流120V 升压方案

Jacktang

TI 高侧和低侧驱动器 4A 峰值电流120V 升压方案 [复制链接]

      可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A 拉电流和4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关，并且具有20V 的最大额定值。

 

UCC27211A 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧和低侧驱动器.pdf (1.69 MB, 下载次数: 11)

2020-9-20 11:02 上传

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