CC2640R2F电源管理架构

Jacktang

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资料：1.芯片技术手册。
            2.芯片数据手册。

VDDS分了三个，电源1.8~3.8V输入：
VDDS给复位、DIO23~30 GPIO、BOD（掉电检测）、上电复位检测（POR）、全局LDO、供电。
VDDS2给DIO0~11 GPIO 供电。
VDDS3给DIO12~22 GPIO以及JTAG这个DEBUG接口供电。
这种分三组供电的好处时，一个芯片不同引脚组可以有不同的电压供给。

VDDS_DCDC是内部DCDC电压转换器的输入端，它可以输入1.8~3.8V；
DCDC_SW是内部DCDC电压转换器的输出端，通常输出1.68V,输出只能用于连接VDDR和VDDR_RF,不能用于其他用途；
VDDR是连接内部核心以及外设的LDO供电的,从上图可以得知digital LDO是MCU运行时的供电来源，Micro LDO用于低功耗时的电源，它们输出VDD(1.28V)给MCU总线、CPU、外设等各部分供电。这个VDDR的电源可以来自内部的DCDC电源转换器或者内部全局的LDO，也可以外部供电1.7~1.95V，所以VDDR这个引脚有三种电源应用方式。使用DCDC或者内部全局LDO通过配置寄存器来控制，这两种方式，在VDDR必须外部接入一个UF级别的电容，以保证电源的稳定。
TI为什么这样设计？
１.使用１.７～１.９５Ｖ的供电，适用于小型设备超低功耗设计，比如手环。这样可以保证PCBA只有一个电源电压。
２.内部DCDC电压转换器是一个ｂｕｃｋ型的电源，效率可以达到９０％以上，高效能降低能耗。
３.内部全局LDO，效率通常在30~90%，效率与VDDS_DCDC输入的电压有关。
 4.选择内部全局LDO和DCDC转换器，这是一个效率上明显的比较方案。使用内部DCDC需要在DCDC_SW输出端连接10uH的电感，这是至关重要的，无论时内部全局LDO或者DCDC，在VDDR上必须有uF级别的电容，否则可能影响MCU运行。
5.GPIO电压与内部其他电源电压可以不同，适用更多设计方案，这可以满足一个MCU输入输出不同电压的需求。
具体可以在芯片数据手册找到，如图：

第一种模式，使用内部DCDC电压转换器，输出引脚DCDC_SW连接一个10uH的电感，并联一个UF级别的电容，然后给VDDR、VDDR_RF供电，VDDR_RF也可以使用其他电源，并非必须与VDDR连接在一起。这是硬件上的设计，要使用DCDC转换器，还需要软件上配置寄存器启动，MCU启动默认使用内部全局LDO。
第二种模式，使用内部全局LDO，DCDC_SW悬浮，MCU启动默认启用LDO。这里元件更简单，但是效率更低。
第三种模式，MCU所有电源正极连接在一起，DCDC转换器的输入输出接地。电源正极引脚接入1.7V~1.95V电源，更适用超低功耗应用。

VDDR_RF输入可以与VDDR来连接，也可以独立供电。电压1.7V~1.95V；VDDR_RF时射频核心的电源输入，经过RF LDOs（射频LDO）输出给射频内核。21:32 2020/9/621:32 2020/9/6