一张图看qorvo和国产替换的布局 ---各个领域的渗透
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射频前端简介及供应链
移动终端的射频前端模块主要包括功率放大器（Power Amplifier，PA）、低噪放大器（Low Noise Amplifier，LNA），射频开关（Switch）、滤波器（Filter）、双工器（Duplexer）及天线调谐器（Antenna tuner），具体如下图所示：
功率放大器—负责发射通道的射频信号放大。
滤波器—用于保留特定频段内的信号，滤除干扰不需要的信号。
双工器—由两组不同频率的带阻滤波器组成，用于发射和接收信号的隔离。
射频开关—用于实现射频信号接收与发射的切换、不同频段的切换。
低噪声放大器—主要用于接收通道中小信号的放大。
天线调谐器—使发射机和天线之间阻抗匹配，改善天线在特定频段上的效率。
下图为射频前端各组成部分对应的供应商信息，美日等厂商如：Avago、Skyworks、Qorvo、Murata、TDK-Epcos等仍占据垄断地位。受中美贸易战影响，众多国内厂商开始布局射频产业。
射频前端模块及其国内外供应链
射频前端集成化是必然趋势。消费终端产品体积有限，射频器件的增多，射频器件的集成化是必然趋势。集成化可以降低成本、提高性能，以及给系统集成商提供turn-key方案。目前集成主要是由SiP方式整合不同制程技术来制作功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、滤波器(Filter)、开关(Switch)和被动元件(Passive)等，5GmmWave射频模组将走向高度整合趋势。射频前端模块的发展趋势将逐渐由离散型的RF元件，朝向整合型模组的FEMiD与PAMiD形式。下表为不同的射频前端集成模组。
射频前端的集成度越来越高。最开始用于低（大约<1GHz），中（~1-2GHz）和高频（~2-3GHz）频率的射频器件被封装在三个单独的模块中。之后低频段模块扩展到 600MHz，中频和高频模块合二为一。模块中集成的器件也越来越多，超高频（~3-6GHz）模块将会支持现有的 LTE 频段和 5G 带来的新频段。毫米波将是颠覆性的变化，将天线和射频前端集成在一个模块当中。
下图为Iphone Xs中采用的不同的PAMiD模组。以Broadcom 8092模块为例，该模块便采用了PAMiD封装技术，整个模块集成了多达29个器件，包括18个BAW滤波器、5个射频开关、4个射频PA等。PAMiD整合了Tx和Rx模组，能够同时满足信号质量的改善和模块体积的小型化。
PAMiD在IPhone Xs中的应用
4G时代主流的射频供应商如Qorvo、Avago、Skyworks、Murata、TDK-Epcos等会先转入5G Sub 6GHz产品，之后再进军mmWave领域。而Fabless厂商则直接瞄准5G毫米波领域，制定芯片的原型设计及架构。终端系统厂商亦对于射频芯片的设计亦表现出强烈的兴趣，如三星和华为。Intel则有可能成为QUALCOMM的有利替代。
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变色卡
千斤顶
