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正品渠道Low Power SRAM芯片ISSI授权代理IS62WV20488ALL [复制链接]

ISSI IS62WV20488ALL一款高速,低功耗,2MX8位CMOS静态SRAM。使用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合,可产生更高性能和更低功耗的设备。当CS1为高电平或CS2为低电平时,器件将进入待机模式,在该模式下,可以通过CMOS输入电平降低功耗。IS62WV20488ALL采用单电源供电,所有输入均兼容TTL。IS62WV20488ALL提供48球mini BGA和44引脚TSOP(II型)封装。ISSI代理商提供样品及解决方案。
 
引脚配置
 


IS62WV20488ALL特征
•高速访问时间:25、35ns
•高性能,低功耗CMOS工艺
•多个中心电源和接地引脚,增强了抗噪能力
•完全静态操作:无需时钟或刷新
•TTL兼容输入和输出
•单电源
–Vdd1.65V至2.2V(IS62WV20488ALL)
Vcc=1.65V至2.2V时,速度=35ns
–Vdd2.4V至3.6V(IS62WV20488BLL)
Vcc=2.4V至3.6V时,速度=25ns
•可用软件包:
–48球miniBGA(9mmx11mm)
–44引脚TSOP(II型)
•工业温度支持
•无铅
 
功能框图
 


交流测试负载
 


 

工作范围(Vdd)(IS62WV20488ALL)
范围 环境温度 Vdd(35 ns)
商业 0°C至+ 70°C 1.65V-2.2V
工业 –40°C至+ 85°C 1.65V-2.2V
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ISSI IS62WV20488ALL一款高速,低功耗,2MX8位CMOS静态SRAM。使用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合,可产生更高性能和更低功耗的设备。

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•多个中心电源和接地引脚,增强了抗噪能力
•完全静态操作:无需时钟或刷新
•TTL兼容输入和输出
•单电源
–Vdd1.65V至2.2V(IS62WV20488ALL)
Vcc=1.65V至2.2V时,速度=35ns
–Vdd2.4V至3.6V(IS62WV20488BLL)
Vcc=2.4V至3.6V时,速度=25ns
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