TI博文--模拟开关和多路复用器基础参数介绍

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     在测试测量相关应用中，模拟开关和多路复用器有着非常广泛的应用，例如运放的增益调节、ADC分时采集多路传感器信号等等。虽然它的功能很简单，但是仍然有很多细节，需要大家在使用的过程中注意。所以，在这里为大家介绍一下模拟开关和多路复用器的基础参数。
在开始介绍基础的参数之前，我们有必要介绍一下模拟开关和多路复用器的基本单元MOSFET开关的基本结构。

一. MOSFET开关的架构
MOSFET开关常见的架构有3种，如图1所示。

1）NFET。
2）NFET和PFET。
3）带有电荷泵的NFET。
三种架构各有特点，详细的介绍，可以参考《TI Precision Labs - Switches and Multiplexers》培训视频和《Selecting the Right Texas Instruments Signal Switch》应用文档。本文主要基于NFET和PFET架构展开介绍和仿真，但是涉及到的概念在三种架构中都是适用的。

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二.模拟开关和多路复用器直流参数介绍
1. 导通电阻 On Resistance
(1).  定义

(2).  特点
1）  随输入信号电压而改变：当芯片的供电电压固定时，对于NMOS而言，S级的电压越高，导通电阻越来越大，对于PMOS而言，S级的电压越高，导通电阻越来越小。

图 3 导通电阻随输入信号电压变化的曲线
2）  导通电阻的阻值与温度有关：当VDD和VSS固定不变时，随着温度的升高，导通电阻的曲线整体向上平移。

图 4 导通电阻随温度变化的曲线
3）  导通电阻的平坦度：On-resistance flatness

图 5 On-resistance flatness
在一定的输入电压范围内，导通电阻的最大值与最小值的差称为导通电阻的平坦度，这个值越大，说明导通电阻的变化幅度越大。

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(3).  影响
在这里，我们通过一个仿真实例来观察一下导通电阻及平坦度对于系统的影响，如图6。为了更容易地观察到影响，我们选择设置R1和R2为100Ω。

图 6 MUX36S08仿真电路

图 7 输入及输出波形
从仿真的结果我们可以看出：
1） 输出电压并不是我们输入电压乘以放大比例后的结果，这是因为有导通电阻的存在。

2） 输出电压随输入电压的并不是线性关系，这是因为Ron随着Vin在变化，会在输出端引入非线性误差。所以，Ron的平坦度越小，输出的非线性误差越小。
2.漏电流 Leakage current
(1).  定义
1)      Source off-leakage current: 在开关断开时，从源极流入或流出的电流称为

，如图8。
2)      Drain off-leakage current: 在开关断开时，从漏极流入或流出的电流称为 ，如图8
3)      On-leakage current: 当开关闭合时，从漏极流入或流出的电流称为 ，如图8。

图 8 漏电流定义
(2).  特点
漏电流随温度变化剧烈。

图 9 漏电流随温度变化的曲线
(3).  影响
在很多数据采集系统中，接入MUX前的传感器有可能是高阻抗的传感器。这时，漏电流的影响就会凸显出来。
例如，在图10的仿真中，输入源有1MΩ的源阻抗，我们对这个电阻进行直流参数扫描，观察它从1MΩ变化至10MΩ时，对输出电压的影响，结果可以看到，漏电流通过传感器的内阻会给输出电压带来一个直流误差。所以，在为高输出阻抗的传感器选择MUX时，要尽可能选取低漏电流的芯片。

图 10 漏电流仿真电路

图 11 漏电流仿真结果

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三. 模拟开关和多路复用器动态参数介绍
导通电容 On Capacitance
 定义
CS和CD代表了开关在断开时的源极和漏极电容。当开关导通时，CON等于源极的电容和漏极的电容之和，如图12

。

 

图 12 On Capacitance