二,高压低电流方案
在客户的应用中经常会遇到一些高压低电流的方案需求,用一般芯片常规topy难以直接实现,下面通过升压芯片列举了三种方案:
1. 升压芯片+耦合电感
2. 升压芯片驱动高压MOS升压
3.升压芯片+chargepump
下面通过升压芯片TPS61040, 用三种方案实现升压。TPS61040本身是1.8~6V输入,最高28V输出的升压芯片,而实现远高于28V以上的芯片。
客户可以依据不同的输入电压条件,以及负载电压电流需求选择不同的升压芯片,设计方式参考TPS61040即可。
升压芯片+耦合电感
这个设计主要注意SW电压,通过SW电压,依据常规的升压方式计算初级电感NP,计算如下:
升压芯片驱动高压MOS升压
这个设计在于芯片利用内置MOS驱动外部高压MOS,从而实现比原本升压芯片更高升压的需求。
升压芯片+chargepump
升压芯片加一级chargepump,以这个设计为例,输出50V,也就是不要chargepump时实际输出25V, 然后依据25V计算原本的TPS61040周边电感之类零件搭配。
除了增加一级chargepump倍压外,实际上这个电路还可以增加多级,例如两级chargepump实现100V输出,三级chargepump实现200V输入等。
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