MSP430FR5949IDAR FRAM中应用程序内存区域中代码会有个别字节被篡改

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MSP430FR5949IDAR FRAM中应用程序内存区域中代码会有个别字节被篡改 [复制链接]

我们使用的芯片型号为MSP430FR5949IDAR，编程软件为IAR，通过IAR生成的文本文件烧写进入片子的FRAM中。设备运行一个月左右，发现FRAM中应用程序内存区域中代码会有个别字节被篡改，导致程序运行不正常。对于造成代码被更改的可能原因我们尚未有明确的判断，希望原厂能给些建议，谢谢！

 

请问现在运行的环境是怎样的？噪声大吗？是否有可能是电压不稳或者波动，导致内部被误操作了？

出现问题的芯片概率大约是多少？ 被篡改的位置固定吗，数值呢？

 

1、我们出现问题的产品尚未安装到现场，只经过出厂测试，到现场做到货检测时发现的问题，这个过程中并没有比较大的噪声；

2、出现概率大约是6000只中有150只左右，被篡改位置并不固定，可看下面的一些截图；

（注：右侧为正常代码，左侧为异常代码）

产品1位置：

 

产品2位置：

 

产品3位置：

MSP430 issue.docx

 

刚烧进去的时候测试正常吗？若是正常说明当时烧进去的时候是对的。

后来随着时间的推移出现数据不对的话，可能是电压，温度，湿度，电离辐射等对芯片产生了干扰。

现在程序内有针对flash的操作吗？

 

我们是有写操作的，就是目前出现问题的几个地方比较随机，并不是我们指定的地址，我们写操作的位置是固定的位置，并且与应用程序代码（出现篡改的位置）有一定的间隔和距离。
图中标注的这些位置是我们固化的一个BOOT程序，从地址0x4400到0x63FF我们是不做写操作的。现在发生这样的问题，不知道是不是什么机制的问题，我们没有主动去进行写入操作，而是产生什么被动的写入操作。这中间从运行正常到运行异常期间程序是自己在独立运行的（出厂到供货现场，尚未安装），没有外部噪声干扰的。所以除了意外的写入操作，还有没有什么其他问题会产生这种状况。之前您那有没有遇到类似的情况做参考，因为您那样本量更大。 还有一般的Flash写操作是有解锁环节的，咱们铁电的FRAM读写更容易，环节要少，是不是有什么处理这种意外写入的措施。

 

有可能影响Flash的数据的因素如下
1. 代码意外操作，比如堆栈溢出造成的误擦写
2. 超过芯片Datasheet允许的电气参数，比如ESD
3. 硬件设计，电源，时钟等

避免代码被修改的话，可以利用密码保护 JTAG；或通过在 FRAM 中对熔丝位标识进行编程来完全禁用 JTAG。 如果 JTAG 已禁用，则只能通过引导加载程序 (BSL) 访问器件。 BSL 需要密码才可读出或接收数据。

请参考
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