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用0-3.3v的PWM信号产生0— -15v 的负脉冲 [复制链接]

 

求一个开关电路的设计思路 。

单片机 0——3.3v PWM信号控制通断,产生  0—— -15v电压。 

 高电平时 输出为  0v   , 低电平时为  -15 v 。 

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控制电压当然是加在开关器件的控制端上,只不过在你的应用中存在一个变换问题。而你之所以想采用“产生负脉冲”的方案完全是直线思维的结果,这会让你大走弯路。对于已有负电源,根本无需直接变换,用光耦是最简单可靠的。   详情 回复 发表于 2019-11-6 22:57
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你这个负脉冲,只说了幅度要求,还有没有宽度、重复频率、上升沿、下降沿、功率……的要求?

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PWM信号 , 2.5Khz ,上升沿 。 窄脉冲,占空比5%—10%可调(0.02—0.04ms)。 输出信号跟这同步,高电平为0v   ,低电平为-15v。   功率的话,这里可不作主要因素?   详情 回复 发表于 2019-11-6 11:28
 
 

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什么要求都没有,最好用一个0/-15V反相器。

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楼主这个是产生  还是驱动演变?

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即使是只要求幅度,也需要给出一个允许变化的范围,即允许这个负电压存在多大误差。

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maychang 发表于 2019-11-6 11:13 你这个负脉冲,只说了幅度要求,还有没有宽度、重复频率、上升沿、下降沿、功率……的要求?

PWM信号 , 2.5Khz ,上升沿 。 窄脉冲,占空比5%—10%可调(0.02—0.04ms)。

输出信号跟这同步,高电平为0v   ,低电平为-15v。  

功率的话,这里可不作主要因素? 我主要是要电压信号控制一个n沟道结型场效应管,  0v导通, 负压时关断。 

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用通用芯片搭电路来满足你的要求,可能稍微麻烦些。 如果是实验用,建议用单片机产生正向PWM脉冲,脉冲频率、宽度、占空比等等都可以满足要求,只有幅度(尤其是负值)无法满足。那可以用单片机驱动一个高速光耦如6  详情 回复 发表于 2019-11-6 12:18
 
 
 
 

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楼主需要的是PWM信号驱动PMOS管么

 

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楼主是要一个PWM负脉冲驱动N沟结型场效应管。 这个要求稍微特殊一点。  详情 回复 发表于 2019-11-6 12:14
 
 
 
 

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qwqwqw2088 发表于 2019-11-6 11:57 楼主需要的是PWM信号驱动PMOS管么  

楼主是要一个PWM负脉冲驱动N沟结型场效应管。

这个要求稍微特殊一点。

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向阳xl 发表于 2019-11-6 11:28 PWM信号 , 2.5Khz ,上升沿 。 窄脉冲,占空比5%—10%可调(0.02—0.04ms)。 输出信 ...

用通用芯片搭电路来满足你的要求,可能稍微麻烦些。

如果是实验用,建议用单片机产生正向PWM脉冲,脉冲频率、宽度、占空比等等都可以满足要求,只有幅度(尤其是负值)无法满足。那可以用单片机驱动一个高速光耦如6N138/139之类。当然,供电给6N138/139的电源必须是独立电源,且该独立电源的正端接你的N沟JFET源极。

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我现有设计是采用运放作比较器, 运放输出端输出正负VOM 的电压。  加一个反向二极管隔断正电压输出。 二极管截止时有电阻回路来使Vgs为零,二极管导通时 负电压加在G端 Vgs为负。 选高压  详情 回复 发表于 2019-11-6 15:55
好的,非常感谢。感谢提供光耦隔离的思路。 我已经有负15的电压,其实就是考虑选一个开关器件,由单片机产生的PWM控制通断,通的时候输出拉到对地 0v, 断的时候电平为 -15v , 将这样一个开关信号接在N  详情 回复 发表于 2019-11-6 15:46
 
 
 
 

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最佳方案要看你已有的资源,如系统内已有负压,用光耦隔离驱动即可。

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好的,谢谢您。 系统已有负15v电压。就是在考虑一个负电压加在开关器件哪儿的问题。  不能简单的把 0和负电压直接类比成 VCC和地吧?   详情 回复 发表于 2019-11-6 15:59
 
个人签名上传了一些书籍资料,也许有你想要的:https://download.eeworld.com.cn/user/chunyang
 
 
 

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maychang 发表于 2019-11-6 12:18 用通用芯片搭电路来满足你的要求,可能稍微麻烦些。 如果是实验用,建议用单片机产生正向PWM脉冲,脉 ...

好的,非常感谢。感谢提供光耦隔离的思路。

我已经有负15的电压,其实就是考虑选一个开关器件,由单片机产生的PWM控制通断,通的时候输出拉到对地 0v, 断的时候电平为 -15v , 将这样一个开关信号接在N沟道JFET的G极控制通断。N沟道JFET是用作采样开关的。所以不能把它的源极接在电源正端的。

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"我已经有负15的电压” 那么用光耦控制这个负15V电压是否施加在你的N沟JFET门极即可。    详情 回复 发表于 2019-11-6 15:53
 
 
 
 

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向阳xl 发表于 2019-11-6 15:46 好的,非常感谢。感谢提供光耦隔离的思路。 我已经有负15的电压,其实就是考虑选一个开关器件,由单片 ...

"我已经有负15的电压”

那么用光耦控制这个负15V电压是否施加在你的N沟JFET门极即可。

 

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好的,谢谢。 我去看下光耦的使用。  详情 回复 发表于 2019-11-6 16:02
 
 
 
 

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maychang 发表于 2019-11-6 12:18 用通用芯片搭电路来满足你的要求,可能稍微麻烦些。 如果是实验用,建议用单片机产生正向PWM脉冲,脉 ...

我现有设计是采用运放作比较器, 运放输出端输出正负VOM 的电压。  加一个反向二极管隔断正电压输出。

二极管截止时有电阻回路来使Vgs为零,二极管导通时 负电压加在G端 Vgs为负。

选高压摆率的运放, 也能实现使用需求。

现在调整设计,考虑选一个开关器件实现相同的功能以省去运放。

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在你所述工作条件下,运放实际上是作为比较器使用。运放当做比较器使用,有个问题:运放进入饱和后再退出,往往需要比较长的时间(远大于根据压摆率计算出的时间),用高速比较器则没有这样的问题。  详情 回复 发表于 2019-11-6 16:12
用运放,运放输出端加一个二极管隔断正电压输出,这个方法可行。 但高压摆率运放可能比较贵。 是否考虑用高速比较器?LM311你看看参数,是否满足你的要求?此芯片比较便宜。  详情 回复 发表于 2019-11-6 16:08
 
 
 
 

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chunyang 发表于 2019-11-6 13:00 最佳方案要看你已有的资源,如系统内已有负压,用光耦隔离驱动即可。

好的,谢谢您。 系统已有负15v电压。就是在考虑一个负电压加在开关器件哪儿的问题。  不能简单的把 0和负电压直接类比成 VCC和地吧? 

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控制电压当然是加在开关器件的控制端上,只不过在你的应用中存在一个变换问题。而你之所以想采用“产生负脉冲”的方案完全是直线思维的结果,这会让你大走弯路。对于已有负电源,根本无需直接变换,用光耦  详情 回复 发表于 2019-11-6 22:57
 
 
 
 

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maychang 发表于 2019-11-6 15:53 "我已经有负15的电压” 那么用光耦控制这个负15V电压是否施加在你的N沟JFET门极即可。 &nbs ...

好的,谢谢。 我去看下光耦的使用。

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向阳xl 发表于 2019-11-6 15:55 我现有设计是采用运放作比较器, 运放输出端输出正负VOM 的电压。  加一个反向二极管隔断 ...

用运放,运放输出端加一个二极管隔断正电压输出,这个方法可行。

但高压摆率运放可能比较贵。

是否考虑用高速比较器?LM311你看看参数,是否满足你的要求?此芯片比较便宜。

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这个可以可以。 之前片面理解比较器是OC门,输出数字的,没法直接做我需要的驱动电压。 原来是没理解对和没用对。太感谢了。  详情 回复 发表于 2019-11-6 16:28
 
 
 
 

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向阳xl 发表于 2019-11-6 15:55 我现有设计是采用运放作比较器, 运放输出端输出正负VOM 的电压。  加一个反向二极管隔断 ...

在你所述工作条件下,运放实际上是作为比较器使用。运放当做比较器使用,有个问题:运放进入饱和后再退出,往往需要比较长的时间(远大于根据压摆率计算出的时间),用高速比较器则没有这样的问题。

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maychang 发表于 2019-11-6 16:08 用运放,运放输出端加一个二极管隔断正电压输出,这个方法可行。 但高压摆率运放可能比较贵。 是否 ...

这个可以可以。 之前片面理解比较器是OC门,输出数字的,没法直接做我需要的驱动电压。
原来是没理解对和没用对。太感谢了。

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向阳xl 发表于 2019-11-6 15:59 好的,谢谢您。 系统已有负15v电压。就是在考虑一个负电压加在开关器件哪儿的问题。  不能简单 ...

控制电压当然是加在开关器件的控制端上,只不过在你的应用中存在一个变换问题。而你之所以想采用“产生负脉冲”的方案完全是直线思维的结果,这会让你大走弯路。对于已有负电源,根本无需直接变换,用光耦是最简单可靠的。

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