26028|14

768

帖子

0

TA的资源

纯净的硅(中级)

楼主
 

请教下,MOS管的开关频率怎么算的呢? [复制链接]

 

请教下,MOS管的开关频率怎么算的呢?比如下图,光耦是521,MOS管是3205,这个图最高开关频率是多少?

此帖出自PCB设计论坛

最新回复

“手册里面有很多项时间参数,如转换延时时间,上升时间,下降时间等,这些都有关系吗?” 当然有关系。但仔细看看这些时间参数(8楼图中都有),仅仅是十几ns到几十ns,和你的120us至少要小两个数量级,完全可以忽略。 这些上升时间、下降时间等等,只有在开关工作频率达到上百kHz时才需要仔细考虑。   详情 回复 发表于 2019-9-26 10:36
点赞(1) 关注(2)
 

回复
举报

2万

帖子

0

TA的资源

超级版主

沙发
 

TLP521是比较慢的光耦:

按照上面图片中参数,在25kHz时光耦输出已经没有平顶,将成为三角波。

按照楼主电原理图中参数,光耦动作更慢。

此帖出自PCB设计论坛

点评

你好,我主要不是想问光耦的开关速度,是想问MOS管的开关速度是不是跟那个栅极电阻有关系,假设光耦那边输出20KHZ的开关速度,照这个图,MOS管的开关速度可以到多少?  详情 回复 发表于 2019-9-23 20:21
 
 

回复

768

帖子

0

TA的资源

纯净的硅(中级)

板凳
 
maychang 发表于 2019-9-23 07:40 TLP521是比较慢的光耦: 按照上面图片中参数,在25kHz时光耦输出已经没有平顶,将成为三角波。 按照 ...

你好,我主要不是想问光耦的开关速度,是想问MOS管的开关速度是不是跟那个栅极电阻有关系,假设光耦那边输出20KHZ的开关速度,照这个图,MOS管的开关速度可以到多少?

此帖出自PCB设计论坛

点评

通常,功率MOS管工作于较高开关频率,都需要专门的驱动电路芯片。虽然MOS管门极平均电流(电容的充电放电电流)仅数mA,但驱动芯片的输出电流却往往可以达到数百mA,甚至1A以上。  详情 回复 发表于 2019-9-23 20:49
“照这个图,MOS管的开关速度可以到多少?” 估计最多工作到数kHz。这与管子型号有关。  详情 回复 发表于 2019-9-23 20:45
“照这个图,MOS管的开关速度可以到多少?” 相当低。 MOS管门极与源极之间是个电容,门极与漏极之间也是个电容。图中可见MOS管源极接地,那么该管必是漏极输出。这种情况下会产生米勒效应,使得从  详情 回复 发表于 2019-9-23 20:43
 
 
 

回复

2万

帖子

0

TA的资源

超级版主

4
 
sky999 发表于 2019-9-23 20:21 你好,我主要不是想问光耦的开关速度,是想问MOS管的开关速度是不是跟那个栅极电阻有关系,假设光耦那边 ...

“照这个图,MOS管的开关速度可以到多少?”

相当低。

MOS管门极与源极之间是个电容,门极与漏极之间也是个电容。图中可见MOS管源极接地,那么该管必是漏极输出。这种情况下会产生米勒效应,使得从门极向MOS管看进去的电容增加很多(功率MOS管手册中都有门极一次充电需要多少电荷这个参数)。门极看进去的电容(输入电容加米勒电容)充电靠ZR1,放电靠MR1,这两个电阻都相当大,致使充电放电速度都很慢,放电尤甚。

此帖出自PCB设计论坛

点评

非常谢谢你,说得这么详细,管子是IRF3205,门极一次充电需要多少电荷这个参数是哪一项呢?手册里面有很多项时间参数,如转换延时时间,上升时间,下降时间等,这些都有关系吗?  详情 回复 发表于 2019-9-25 21:30
 
 
 

回复

2万

帖子

0

TA的资源

超级版主

5
 
sky999 发表于 2019-9-23 20:21 你好,我主要不是想问光耦的开关速度,是想问MOS管的开关速度是不是跟那个栅极电阻有关系,假设光耦那边 ...

“照这个图,MOS管的开关速度可以到多少?”

估计最多工作到数kHz。这与管子型号有关。

此帖出自PCB设计论坛
 
 
 

回复

2万

帖子

0

TA的资源

超级版主

6
 
sky999 发表于 2019-9-23 20:21 你好,我主要不是想问光耦的开关速度,是想问MOS管的开关速度是不是跟那个栅极电阻有关系,假设光耦那边 ...

通常,功率MOS管工作于较高开关频率,都需要专门的驱动电路芯片。虽然MOS管门极平均电流(电容的充电放电电流)仅数mA,但驱动芯片的输出电流却往往可以达到数百mA,甚至1A以上。

此帖出自PCB设计论坛
 
 
 

回复

768

帖子

0

TA的资源

纯净的硅(中级)

7
 
maychang 发表于 2019-9-23 20:43 “照这个图,MOS管的开关速度可以到多少?” 相当低。 MOS管门极与源极之间是个电容,门 ...

非常谢谢你,说得这么详细,管子是IRF3205,门极一次充电需要多少电荷这个参数是哪一项呢?手册里面有很多项时间参数,如转换延时时间,上升时间,下降时间等,这些都有关系吗?

此帖出自PCB设计论坛

点评

“手册里面有很多项时间参数,如转换延时时间,上升时间,下降时间等,这些都有关系吗?” 当然有关系。但仔细看看这些时间参数(8楼图中都有),仅仅是十几ns到几十ns,和你的120us至少要小两个数量级,  详情 回复 发表于 2019-9-26 10:36
实际上,工作于5.5kHz时,漏极电流已经是锯齿波,即漏极电流没有平顶部分也没有平底部分。此时很难说是开关状态工作了。通常,开关工作要求电流上升时间和下降时间小于开关频率的10%,这样才可以称为开关工作。  详情 回复 发表于 2019-9-26 10:32
以IRF840的参数计算,假定门极电压10V,那么电容量为63nC/10V=6.3nF。与10千欧放电电阻时间常数为63us。但是,不是经过一个时间常数之后MOS管就关断了,而是门极电压下降到Vg(th)以下MOS管才会关断。这段时间与MOS管  详情 回复 发表于 2019-9-26 10:29
“门极一次充电需要多少电荷这个参数是哪一项呢?” 我没有查IRF3205的资料。下面图片是IRF840参数截图。各型号功率MOS的这项参数当然各不相同,但不会差到数量级上。 [attachimg]435331[/attachimg  详情 回复 发表于 2019-9-26 10:15
 
 
 

回复

2万

帖子

0

TA的资源

超级版主

8
 
sky999 发表于 2019-9-25 21:30 非常谢谢你,说得这么详细,管子是IRF3205,门极一次充电需要多少电荷这个参数是哪一项呢?手册里面有很 ...

“门极一次充电需要多少电荷这个参数是哪一项呢?”

我没有查IRF3205的资料。下面图片是IRF840参数截图。各型号功率MOS的这项参数当然各不相同,但不会差到数量级上。

 

此帖出自PCB设计论坛
 
 
 

回复

2万

帖子

0

TA的资源

超级版主

9
 
sky999 发表于 2019-9-25 21:30 非常谢谢你,说得这么详细,管子是IRF3205,门极一次充电需要多少电荷这个参数是哪一项呢?手册里面有很 ...

以IRF840的参数计算,假定门极电压10V,那么电容量为63nC/10V=6.3nF。与10千欧放电电阻时间常数为63us。但是,不是经过一个时间常数之后MOS管就关断了,而是门极电压下降到Vg(th)以下MOS管才会关断。这段时间与MOS管型号有关,与门极充电达到的电压有关(实际上门极电容并不是线性电容),不太准确的估计,可以把门极电容放电时间估计为63us的2倍,即0.12ms。MOS管门极充电电阻较小(首帖图中为3千欧),估计充电时间为0.06ms。那么充电放电时间一共是0.18ms。该MOS管在此电路中最大开关工作频率为5.5kHz。

此帖出自PCB设计论坛
 
 
 

回复

2万

帖子

0

TA的资源

超级版主

10
 
sky999 发表于 2019-9-25 21:30 非常谢谢你,说得这么详细,管子是IRF3205,门极一次充电需要多少电荷这个参数是哪一项呢?手册里面有很 ...

实际上,工作于5.5kHz时,漏极电流已经是锯齿波,即漏极电流没有平顶部分也没有平底部分。此时很难说是开关状态工作了。通常,开关工作要求电流上升时间和下降时间小于开关频率的10%,这样才可以称为开关工作。

此帖出自PCB设计论坛
 
 
 

回复

2万

帖子

0

TA的资源

超级版主

11
 
sky999 发表于 2019-9-25 21:30 非常谢谢你,说得这么详细,管子是IRF3205,门极一次充电需要多少电荷这个参数是哪一项呢?手册里面有很 ...

“手册里面有很多项时间参数,如转换延时时间,上升时间,下降时间等,这些都有关系吗?”

当然有关系。但仔细看看这些时间参数(8楼图中都有),仅仅是十几ns到几十ns,和你的120us至少要小两个数量级,完全可以忽略。

这些上升时间、下降时间等等,只有在开关工作频率达到上百kHz时才需要仔细考虑。

此帖出自PCB设计论坛
 
 
 

回复

768

帖子

0

TA的资源

纯净的硅(中级)

12
 
maychang 发表于 2019-9-26 10:29 以IRF840的参数计算,假定门极电压10V,那么电容量为63nC/10V=6.3nF。与10千欧放电电阻时间常数为63us。 ...

那3205是146nC,假设门极电压20V,146/20=7.3,放电电阻时间常数为73us,当门极电压下降到Vg(th)以下,MOS管才会关断,意思是不是假设门极电压最低是2V,MOS管到了2V以下之后,还要经过73us才会关断?但是为什么3K的电阻充电时间是0.06ms?这个怎么得到的?

此帖出自PCB设计论坛
 
 
 

回复

768

帖子

0

TA的资源

纯净的硅(中级)

13
 
maychang 发表于 2019-9-26 10:32 实际上,工作于5.5kHz时,漏极电流已经是锯齿波,即漏极电流没有平顶部分也没有平底部分。此时很难说是开 ...

开关工作要求电流上升时间和下降时间小于开关频率的10%,这里指的上升下降时间,指的是漏极的输入信号吗?是不是可以这样理解,假设管子的最大工作速度是10KHZ,则工作在9KHZ以内才算开关工作?

此帖出自PCB设计论坛
 
 
 

回复

768

帖子

0

TA的资源

纯净的硅(中级)

14
 
maychang 发表于 2019-9-26 10:36 “手册里面有很多项时间参数,如转换延时时间,上升时间,下降时间等,这些都有关系吗?” ...

了解了,顺便问下,VGS的开启电压一般是2V-4V,完全导通是要10V以上,而VGS最大输入电压一般是±20V,那为什么某宝上面买的一些模块,他们的VGS用24V做控制信号,管子却没事?而且我的模块是几年前买的,现在去看还有卖,电路依旧是24V做VGS,栅极没有充电电阻,只有1个10K放电电阻,为什么也可以用呢?

此帖出自PCB设计论坛
 
 
 

回复

768

帖子

0

TA的资源

纯净的硅(中级)

15
 

顶起来!!!!!

此帖出自PCB设计论坛
 
 
 

回复
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

随便看看
查找数据手册?

EEWorld Datasheet 技术支持

相关文章 更多>>
关闭
站长推荐上一条 1/6 下一条

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 安防电子 汽车电子 手机便携 工业控制 家用电子 医疗电子 测试测量 网络通信 物联网

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2025 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
快速回复 返回顶部 返回列表