mos 管隔离驱动电路，如果驱动高压 MOS 管，我们需要采用变压器驱动的方式和集成的...

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mos 管隔离驱动电路，如果驱动高压 MOS 管，我们需要采用变压器驱动的方式和集成的高边开关。这两个解 决方案都有自己的优点和缺点，适合不同的应用。集成高边驱动器方案很方便，优点是电路板面积较小，缺点 是有很大的导通和关断延迟。变压器耦合解决方案的优点是延迟非常低，可以在很高的压差下工作。常它需要 更多，缺点是需要很多的元件并且对变压器的运行有比较深入的认识。变压器常见问题和与 MOS 管驱动相关 的问题： 变压器有两个绕组，初级绕组和次级绕组实现了隔离，初级和次级的匝数比变化实现了电压缩放，对于我们的 设计一般不太需要调整电压，隔离却是我们最注重的。理想情况下，变压器是不储存能量的（反激“变压器”其 实是耦合电感）。不过实际上变压器还是储存了少量能量在线圈和磁芯的气隙形成的磁场区域，这种能量表现 为漏感和磁化电感。对于功率变压器来说，减少漏感可以减少能量损耗，以提高效率。MOS 管驱动器变压器 的平均功率很小，但是在开通和关闭的时候传递了很高的电流，为了减少延迟保持漏感较低仍然是必须的。 法拉第定律规定，变压器绕组的平均功率必须为零。即使是很小的直流分量可能会剩磁，最终导致磁芯饱和。 这条规则对于单端信号控制的变压器耦合电路的设计有着重大影响。磁芯饱和限制了我们绕组的伏秒数。我们 设计变压器必须考虑最坏情况和瞬时的最大的伏秒数。（在运行状态下，最坏情况和瞬时的，最大占空比和最 大电压输入同时发生的情况），唯一我们确定的是变压器有一个稳定的电源电压。 对于单端应用的功率变压器来说，很大一部分开关周期需要保留来保证磁芯的正确复位（正激变换器）。复位 时间大小限制电路运行的占空比。不过由于采用交流耦合实现了双向磁化，即使对于单端 MOS 管驱动变压器 也不是问题。 

小刚·

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beyond_笑谈

前段时间看到一个大功率的变频器就是用下图方式驱动IGBT的

 

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