flash

sudongpo2018

flash [复制链接]

项目要求：采用循环覆盖的方式（每T微秒记录一次数据，记录Y秒，下一Y秒内的数据采样循环覆盖的方式，依次覆盖上一Y秒的数据），每40us更新存储器中的数据，即每40us写一次数据，如果选用flash,由于擦写次数的问题，一天都坚持不了，有什么方法吗？减少擦写次数或者换什么？

lcn1992

不要用固定的一块地址存储，比如Y0->0 Y1->1 Y2->2 Yn->N，当存储到N的时候再返回到0的地址。N如果是100就延长了100倍的写入寿命。

maychang

“如果选用flash,由于擦写次数的问题，一天都坚持不了，有什么方法吗？”

改用RAM不行么？

sudongpo2018

maychang 发表于 2019-5-28 09:30
“如果选用flash,由于擦写次数的问题，一天都坚持不了，有什么方法吗？”

改用RAM不行么？

主要是检测设备故障，加入设备突然断电，故障信息就没有了

sudongpo2018

lcn1992 发表于 2019-5-28 08:39
不要用固定的一块地址存储，比如Y0->0 Y1->1 Y2->2 Yn->N，当存储到N的时候再返回到0的地址。N如果是100 ...

意思就是用空间换取时间呗？Y0->0是什么意思，还请指教，多谢

maychang

sudongpo2018 发表于 2019-5-28 10:08
主要是检测设备故障，加入设备突然断电，故障信息就没有了

“加入设备突然断电，故障信息就没有了”

“加入”疑为“假如”之误。

maychang

sudongpo2018 发表于 2019-5-28 10:08
主要是检测设备故障，加入设备突然断电，故障信息就没有了

“主要是检测设备故障，加入设备突然断电，故障信息就没有了”

怕供电突然停止，可以检测掉电，发现掉电立即进入睡眠模式，RAM用一节电池供电，数据可以保持很长时间(某些情况可以保持一年以上)，来电继续工作。

maychang

sudongpo2018 发表于 2019-5-28 10:09
意思就是用空间换取时间呗？Y0->0是什么意思，还请指教，多谢

Y0是一段数据，Y0->0即这一段数据写入以0为首地址的存储区。

sudongpo2018

maychang 发表于 2019-5-28 10:15
“主要是检测设备故障，加入设备突然断电，故障信息就没有了”

怕供电突然停止，可以检测掉电，发现掉 ...

明白了，多谢

sudongpo2018

maychang 发表于 2019-5-28 10:18
Y0是一段数据，Y0->0即这一段数据写入以0为首地址的存储区。

哦哦，谢谢

sudongpo2018

sudongpo2018 发表于 2019-5-28 10:59
明白了，多谢

还有一个问题，像这种40us就要完成一次写入，用flash是不是不可以，每次写之前都要擦除，flash的擦除时间我看都得50多us

lcn1992

sudongpo2018 发表于 2019-5-28 11:23
还有一个问题，像这种40us就要完成一次写入，用flash是不是不可以，每次写之前都要擦除，flash的擦除时间 ...

这么频繁的写入程序都在忙于擦除和保存了；
可以考虑用铁电存储器，不存在写入寿命的问题，读写速度快。

英尚微电子

可以考虑用非易失性存储器芯片，如Mram存储器，产品介绍： (, 下载次数: 3) 可以提供技术支持