高频变压器三明治绕法：初级包次级？还是次级包初级？

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高频变压器三明治绕法：初级包次级？还是次级包初级？ [复制链接]

三明治绕法

       三明治绕法久负盛名，几乎每个做电源的人都知道这种绕法，但真正对三明治绕法做过深入研究的人，应该不多。相信很多人都吃过三明治，就是两层面包中间夹一层奶油。顾名思义，三明治绕法就是两层夹一层的绕法。由于被夹在中间的绕组不同，三明治又分为两种绕法：初级夹次级，次级夹初级。到底哪种绕法比较好？
初级夹次级的绕法
      一般的单输出电源，变压器分为3个绕组，初级绕组Np,次级绕组Ns,辅助电源绕组Nb；

次级夹初级的绕法
        第二种，次级夹初级的绕法(也叫次级平均绕法)

三明治绕法与EMI
我们大家来进一步深入讨论下这个三明治绕发对EMI的影响。
三明治绕法对EMI的有利因数
      我们来看初级夹次级的绕法，我们知道，变压器的初级由于电压较高，所以绕组较多，一般要超过2层，有时甚至达到4-5层，这就给变压器带来一个分布参数---层间电容，形成原理相信大家都清楚，我就不多解释了。当MOSFET关断的时候，变压器的漏感与MOSFET的结电容以及变压器的层间电容会产生振动，幅度达到几十甚至超过一百V，这对MOSFET与EMI来说都是不允许的，所以，我们增加RCD吸收来抑制这个振荡，达到保护MOSFET与改善EMI的目的。

上图即为反激电源MOSFET的Vds波形

从这个角度来说，三明治绕法是可以在一定程度上改善EMI。
三明治绕法对EMI的不利因素
      从另外一个角度来说，三明治绕法确实是增加了初次级的耦合面积，减少了漏感，同时又使初次级的耦合电容增加了;当开关管反复开关时，电容也会反复充放电，也就是说会引起振荡，此振荡正比于开关频率，会对EMI产生不利的影响。
简单来说三明治绕法使初级与次级之间的杂散电容增加，给EMI提供了阻抗更低的通路，最常见的对策是变压器副便绕组对原边大电容之间跨接一个Y电容把噪声旁路掉。
     综合来讲三明治绕法带来的优势非常明显的，至于初级包次级还是次级包初级这个严格来讲要看实际情况而定了，本人建议用初级包次级的绕法，毕竟一般的变压器都是原边匝数比副边匝数多得多，绕起来比较好操作。绕起来方便好绕其实也是比较重要的，可以把变压器绕得更平整同样也可以增强耦合性减少漏感！

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