想通过一个3.3V的单片机控制NMOS的通断

沈婷婷

想通过一个3.3V的单片机控制NMOS的通断 [复制链接]

 

熊仔饼干

效果差，NMOS处于半导通状态
直接弄上去就可以了，又不是PMOS。
3.3V虽然可能导通电阻还是大了一点点，但也与5V没有什么区别了

沈婷婷

熊仔饼干 发表于 2019-3-7 17:44
效果差，NMOS处于半导通状态
直接弄上去就可以了，又不是PMOS。
3.3V虽然可能导通电阻还是大了一点点，但 ...

查的需要的NMOS管的导通开启电压是4V多

熊仔饼干

不懂发图片

熊仔饼干

这样才对

熊仔饼干

Q2Q3可用三极管代替。用SI2300，SI2301，这些低电压的器件
不知道有没有更好的方法，等后面的朋友来回答吧。

maychang

首帖电路不适用。三极管发射极输出，电压肯定到不了3.3V，故MOS管不能充分导通。
应该使用集电极输出。如果一定要CPU_5高电平时MOS管导通，那就必须使用两支三极管。

asdmaill

楼主，有专用MOS驱动器可选择的，很方便，体积很小外围电路很简单，一个快速恢复二极管，一个瓷片电容，四个电阻

沈婷婷

maychang 发表于 2019-3-7 18:15
首帖电路不适用。三极管发射极输出，电压肯定到不了3.3V，故MOS管不能充分导通。
应该使用集电极输出。如 ...

用集电极供电是平时的时候是5V，三极管道通后是低电平

dcexpert

低压驱动的MOS也很多，换一个就好

asdmaill

为何不考虑MOS驱动器呢，电路又简单，也不用操心电平变换的问题，没必要在这些问题上折腾啊，毕竟你的目的是用起来吧

zln5201221

只是控制一个MOS管吗？那像7楼说的，用2个三极管就解决了。用低压MOS管不是啥好解决方案。

chunyang

驱动开启电压高于IO输出电压的NMOS需要用两只晶体管提高驱动电平，如果有5V电源且5V能满足NMOS的开启电压，也可用CMOS门电路做驱动，尤其是系统内有空余的逻辑门时。想电路简单，可以用一只NPN晶体管去驱动PMOS做开关。
另外建议楼主，提问题时要说清楚、说完整，虽然能猜出楼主的意思，但作为技术工作从业者或准从业者应养成严谨的表达习惯。

heyidisk

低压驱动的MOS很多，我用过最好用的就是手机锂电池保护板上的MOS,比如8205A

bigbat

问题1：三极管是一种电流器件，说白了就是一个“特别的电阻”。用小电流影响器件导电阻值的可变器件。三级管其实分析起来是很复杂的一个“玩意儿”。大部分的教材都比较坑人！！！进行全面的动态分析的很少。你妹了个“少数载流子，多少载流子的”！还有该杀的烂货度娘！发发牢骚，求各位同行原谅！
分析问题，看图：
Q1是NPN型三极管。
1、当端口为GND时，Q1是截至的，可以把Q1的C极和E极看作是一个超级大电阻或小电容，B极和E极也可以看作是一个超级大电阻。A点约为12V，B点约为GND，C也约为GND。（三极管在高频的时候大电流的三极管极间是小电容）
M1管G极没有电压，M1处于截至态。
2、当端口输出3.3V时，Q1的B极向E极注入电流。C极和E极电阻减小，Q1为导通态，但是这时要考虑Q1的C极和E极间的电压差，电路12V -R1——Rce——R2-GND。R1和R2的阻值都为10K，Rce间压差很小。Q1并不是一个纯电阻，C极E极间有一个“势磊”。E极的电流主要是由B极注入的。所以M1的G极的电压就上不去了。

zln5201221

bigbat 发表于 2019-3-9 10:45
问题1：三极管是一种电流器件，说白了就是一个“特别的电阻”。用小电流影响器件导电阻值的可变器件。三级 ...

第2个图片也不对

沈婷婷

bigbat 发表于 2019-3-9 10:45
问题1：三极管是一种电流器件，说白了就是一个“特别的电阻”。用小电流影响器件导电阻值的可变器件。三级 ...

我觉得，多子和少子的问题确实不容易理解，但是二极管以及半导体的实质就是这样的