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一粒金砂(高级)

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大家来看看这个防过压电路可以怎么优化? [复制链接]

 
本帖最后由 lingking 于 2019-1-13 17:21 编辑

如下面的电路,大概的意思就是电压过大的时候,Q1基极电压达到0.6、0.7V左右让三极管Q1导通,Q4基极电压被拉低、Q4不导通,R2没有电流流过导致PMOS管不导通,从而关断电源输入。当电压值在设定范围内时,Q1不导通,Q1集电极电压使Q4导通,Q4导通以后R2两端电压使MOS管开启,电源接接通。感觉这个电路比较简陋,还可以怎么改进一下?


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防反接很简单,可以在电路上加一个PMOS管,P管的源极接GND,漏极接P1的第二脚,栅极接VCC_BAT.  详情 回复 发表于 2019-1-18 00:10
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五彩晶圆(初级)

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431了解一下
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用431的优势是什么  详情 回复 发表于 2019-1-13 15:58
用431的成本会不会降低  详情 回复 发表于 2019-1-13 15:54
个人签名作为一个水军,就是尽量的多回帖,因为懂的技术少,所以回帖水分大,见谅!
EEWORLD开发板置换群:309018200,——电工们免费装β的天堂,商家勿入!加群暗号:喵
 
 
 

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一粒金砂(高级)

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用431的成本会不会降低
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用431的优势是什么
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“如下面的电路,大概的意思就是电压过大的时候……”

“电压过大”是BT1电压过大,还是P1处电压过大?

“至于电源反接的情况……”

是BT1反接,还是P1处反接?
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是我的图不够清晰,电池才是电源  详情 回复 发表于 2019-1-13 16:33
 
 
 

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maychang 发表于 2019-1-13 16:15
“如下面的电路,大概的意思就是电压过大的时候……”

“电压过大”是BT1电压过大,还是P1处电压过大?
...

是我的图不够清晰,电池才是电源
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别的事情先不说,说说反接。如果BT1是电源,那么BT1反接时Q3体内寄生二极管导通,P1两端将受到反向电压,所以此图不能实现防反接的目标。  详情 回复 发表于 2019-1-13 16:48
个人签名拿PADS和Allegro软件来吹牛的都是些土鳖
 
 
 

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lingking 发表于 2019-1-13 16:33
是我的图不够清晰,电池才是电源

别的事情先不说,说说反接。如果BT1是电源,那么BT1反接时Q3体内寄生二极管导通,P1两端将受到反向电压,所以此图不能实现防反接的目标。
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原来还有一个反方向的PMOS的,被我去掉了  详情 回复 发表于 2019-1-13 17:10
 
 
 

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一粒金砂(高级)

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本帖最后由 lingking 于 2019-1-13 17:14 编辑
maychang 发表于 2019-1-13 16:48
别的事情先不说,说说反接。如果BT1是电源,那么BT1反接时Q3体内寄生二极管导通,P1两端将受到反向电压, ...

原来还有一个反方向的PMOS的,被我去掉了,最初的设计是第二张图
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防反接不就是多串个二极管
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二极管不行,压降太大  详情 回复 发表于 2019-1-13 17:13
 
 
 

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一粒金砂(高级)

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lcofjp 发表于 2019-1-13 17:12
防反接不就是多串个二极管

二极管不行,压降太大
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一粒金砂(中级)

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防反接很简单,可以在电路上加一个PMOS管,P管的源极接GND,漏极接P1的第二脚,栅极接VCC_BAT.
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