SMPSIGBT在各种变换器应用中优于MOSFET

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SMPSIGBT在各种变换器应用中优于MOSFET

IGBT的主要特点是具有低导通损耗和大电流密度，但在其于1982年问世之后的十几年中，开关速度远没有功率MOSFET快，故在高频开关型电源（SMPS）应用领域中，一直是功率MOSFET在唱主角。

功率MOSFET的固有缺点是通态电阻（RDS（on））比较大，其导通损耗约占总功率损耗的70％～75％，并且该损耗随结温升高和漏极电流（ID）的增大而增加。针对MOSFET导通损耗比较大这一弊端，人们不得不选用芯片尺寸大的器件，或者将两只或两只以上的MOSFET并联使用。这必然会增加系统成本，增大PCB面积，影响电源密度。

在IGBT的总功率损耗中，居支配地位的是其关断能耗（Eoff，单位一般用μJ）。IGBT在由导通变为截止的过程中，其拖尾电流产生的关断能耗Eoff在总功率损耗中的比例往往达80％。因此，提高开关速度，降低关断能耗，是使IGBT升级换代的关键。

近两年来，美国Intesil等公司在IGBT设计与制造工艺方面取得了突破，推出了600V系列SMPS专用IGBT，并将其称为“SMPSIGBT”。与先前的器件比较，SMPSIGBT的性能得到全面提高，开关频率可达150kHz乃至200kHz，在高频SMPS应用中优于功率MOSFET。