每顆g2553感測器溫度差距很大 [复制链接]

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//  MSP430G2x33/G2x53 Demo - ADC10, Sample A10 Temp and Convert to oC and oF
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//  Description: A single sample is made on A10 with reference to internal
//  1.5V Vref. Software sets ADC10SC to start sample and conversion - ADC10SC
//  automatically cleared at EOC. ADC10 internal oscillator/4 times sample
//  (64x) and conversion. In Mainloop MSP430 waits in LPM0 to save power until
//  ADC10 conversion complete, ADC10_ISR will force exit from any LPMx in
//  Mainloop on reti. Temperaure in oC stored in IntDegC, oF in IntDegF.
//  Uncalibrated temperature measured from device to device will vary with
//  slope and offset - please see datasheet.
//  ACLK = n/a, MCLK = SMCLK = default DCO ~1.2MHz, ADC10CLK = ADC10OSC/4
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//                MSP430G2x33/G2x53
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//         /|\|              XIN|-
//          | |                 |
//          --|RST          XOUT|-
//            |                 |
//            |A10              |
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//  D. Dang
//  Texas Instruments Inc.
//  December 2010
//   Built with CCS Version 4.2.0 and IAR Embedded Workbench Version: 5.10
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#include  "msp430g2553.h"

long temp;
long IntDegF;
long IntDegC;

void main(void)
{
  WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;                 // Stop WDT
  ADC10CTL1 = INCH_10 + ADC10DIV_3;         // Temp Sensor ADC10CLK/4
  ADC10CTL0 = SREF_1 + ADC10SHT_3 + REFON + ADC10ON + ADC10IE;
  __enable_interrupt();                     // Enable interrupts.
  TACCR0 = 30;                              // Delay to allow Ref to settle
  TACCTL0 |= CCIE;                          // Compare-mode interrupt.
  TACTL = TASSEL_2 | MC_1;                  // TACLK = SMCLK, Up mode.
  LPM0;                                     // Wait for delay.
  TACCTL0 &= ~CCIE;                         // Disable timer Interrupt
  __disable_interrupt();

  while(1)
  {
    ADC10CTL0 |= ENC + ADC10SC;             // Sampling and conversion start
    __bis_SR_register(CPUOFF + GIE);        // LPM0 with interrupts enabled

    // oF = ((A10/1024)*1500mV)-923mV)*1/1.97mV = A10*761/1024 - 468
    temp = ADC10MEM;
    IntDegF = ((temp - 630) * 761) / 1024;

    // oC = ((A10/1024)*1500mV)-986mV)*1/3.55mV = A10*423/1024 - 278
    temp = ADC10MEM;
    IntDegC = ((temp - 673) * 423) / 1024;

    __no_operation();                       // SET BREAKPOINT HERE
  }
}

// ADC10 interrupt service routine
#pragma vector=ADC10_VECTOR
__interrupt void ADC10_ISR (void)
{
  __bic_SR_register_on_exit(CPUOFF);        // Clear CPUOFF bit from 0(SR)
}

#pragma vector=TIMER0_A0_VECTOR
__interrupt void ta0_isr(void)
{
  TACTL = 0;
  LPM0_EXIT;                                // Exit LPM0 on return
}










直接貼在CCS裡,編譯後燒入 觀察變數IntDegC

误差5摄氏度以上显然大了点，是否合理需要看器件手册。要注意的一点是：片内温度跟系统的散热条件和MCU的运算强度都有关系，要比较离散性必须在同样的系统、同样的环境、同样的运行代码下才有意义。

是的,同台電腦編寫,同樣開發環境,同樣CODE

差5度C

同电脑编写程序、同开发环境是无关的，有关的是MCU的运行环境，这个必须一致。

是的,MCU運行環境也是一至.
就是條件一至下測試

[ 本帖最后由 jhihj1123 于 2013-10-16 15:53 编辑 ]

如果确实是这样，那么应该能见到其它人会有同样的结论，器件手册中也应该载明。

你这个显然没有使用较准数据吧，使用较准数据试试看
或者直接查看较准数据存储所在的位置，看看较准数据相差大不大，就知道你现在的实测结果是不是就是应该相差较大的因为没有使用较准数据

另外补充，芯片本身的功耗外界环境应该都会对芯片内传感器有影响，至于影响多大，我是设想过通过实验测试对比的