|
好,那就计算一下
按照楼上的意见,首先计算一下
1、基极环路:经过正向二极管和1K电阻电阻,ib = (12 -2x0.6) / 1k = 10.8mA,即使忽略二极管和BE结的两个0.6V,这个电流可以按12mA计算,
2.集电极环路:集电极电流也按最不利条件(饱和导通)下的计算: Ic = 200 V/ 35kohm = 5.8 mA.
再利用以上计算值对比管子的参数表:
(取自:2SC2625 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR --UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD,参考附件)
的极限参数表(page 2 = ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS)
基极电流最大为 3 A , 集电极最大电流为 10A; 电路设计中相应的计算值分别为:12mA和 5.8 mA;
应当不是问题的关键所在.
再提请参考的是:集电极-发射极之间电压极限值(Collector Emitter Voltage)只有400V.
第三:附:器件资料,供参考..
2SC2625_TO3P.pdf
(97.72 KB, 下载次数: 4)
最后:请楼主进一步提供你的放电间隙部分的情况,以进行不带任何猜测成分的认真讨论.
[ 本帖最后由 xiaoxif 于 2009-3-14 18:41 编辑 ] |
赞赏
-
1
查看全部赞赏
-
|