留言板

• 158****35302022/03/15

  美光推出了业界首款176层3D NAND同时将读写延迟降低了 35% 以上，混合工作负载性能提高达 15%，使美光具有更强更可靠的适用性和广泛性，能进一步提升移动设备，汽车，各方面的存储能力。是美光矢志不渝，永不止步的企业文化的充分表现，希望美光也继续成长。

• 135****05392022/03/10

  美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储的应用效能，给大家带来极致的体验，美光凭借惊人的176层及1α技术，满足了大容量，高性能，高可靠性的市场需求。相信以美光的技术实力，176层远远不是极限,成本也会越来越低。希望美光能再接再厉，继续研发出新的产品，推动科技的进步！

• 130****83542022/03/10

  随着移动计算的需求日益增加，势必会不断推动对高容量、高性能 NAND 闪存技术的需求，n客户端固态硬盘市场的领导地位当属能够成功提高能效，同时不牺牲安全性和性能的创新者n

• 135****67542022/03/09

  美光发布采用176层3D NAND的数据中心用SSD——7450系列，有M.2（2280/22110），E1.S（5.9、15、25）以及U.3好几种。E1.S和U.3的峰值读写分别是6800MB/s和5600MB/s，其中有一款U.3的7450 PRO，容量高达15.36TB……还有个U.3版7450 MAX，12.8TB版本耐久度70000TB。M.2的最高3.84T，速度也菜很多，5000/2500。全系特点是低延时和丰富的SKU选择。

• 135****77392022/03/08

  美光的创新带来了业界功耗最低的移动DRAM，1α. DRAM技术与上一代1z美光移动DRAM相比，实现了15％的节能， 1α 节点的内存产品推动了诸多应用的技术创新，例如服务器平台上数据密集型工作负载以及面向消费者的超薄笔记本。1α 节点提高了内存能效，延长了电池续航时间，从而使笔记本电脑更加符合移动办公需求，应对居家工作与学习的应用场景。

• 158****76672022/03/08

  美光176层及1α技术突破空间限制，实现超高密度存储。满足了市场需求，特别是在智能手机及便携设备等领域，可以存储更多内容，价格也更便宜。相信在美光不断突破下，人均1P存储空间不是梦

• 133****28232022/03/08

  从产业发展而言，每年DRAM市场的Bit供应增加在15%-20%，保持着健康的供需关系。美光新一代的1αnm工艺节点，在成熟良率下，将比1Znm节点每片Wafer晶圆增加40%的Bit量，已可满足当下DRAM市场需求，同时也不必承担因为EUV设备和产线改造造成的成本压力，实现更优的经济效益

• 180****71282022/03/08

  从事电子设计行业多年，空间狭小，性能要求又高，容量大，高可靠性的产品一直是选型难题。有赖美光持续创新，不断突破，176层及1α技术满足了市场需求，使我们开发产品更容易了。

• 139****18252022/03/08

  美光公司的 176 层 3D NAND 驱动器的增强密度将为数据中心带来更好的服务质量 (QoS)、延迟的一致性和可预测性以及性能。 延迟对于要求具有非常一致的的超大规模用户以及在驱动器中运行多线程数据库、多个队列的传统数据中心用户来说至关重要，在99.9999% 的时间，驱动器可以达到始终如一的低延迟。

• 131****00682022/03/08

  NAND Flash在PC ,智能手机,和企业设备中都会用到，近几年NAND Flash在3D 堆叠技术上发展迅速，与2D NAND 相比，3D NAND 能够实现更高的容量和性能、更低的功耗和成本，因此提高3D NAND层数，产品的容量和性能将更高。美光的176层3D NAND快闪存储器是美光第五代3D NAND产品，与上一代的高容量3D NAND相比，美光176层3D NAND快闪存储器的读取延迟和写入延迟改善超过35%，可大幅提高应用的效能。美光在堆叠能力方面还是走在其他厂商前面的，2022年3月美光发布了用于数据中心的PCI-E4.0 SSD 美光7450，外形尺寸包括U.3、E1.S和M.2，而且容量从400GB到15.36TB不等。此产品就是采用176层3D NAND技术闪存，容量从 400GB 到 15.36TB 不等，外形尺寸包括 U.3、E1.S和 M.2。传输速度为读取 6,800MB/秒，写入 5,600MB/秒，随机读取 100万IOPS、写入 41万IOPS，标准延迟为读取80us，写入15us，平均故障间隔时间200万小时。可以看出176层3D NAND技术的SSD性能还是非常厉害的，希望美光继续努力，明年攻克256层3D NAND的蚀刻技术。

• 186****69302022/03/08

  美光176层3D NAND的技术绝对是站在行业前头的，但是实际上，其功耗，发热怎么样，是否优于其他厂商？只有都做到更好，才能在市场上存活更长时间

• 139****49642022/03/08

  储存技术的原理清晰明了，可以说是成熟，而又单一的。在有限的变量的情况下，要突破。主要还是工艺方面的提升，制造流程上面的提升。在行业比较冷门的情况下突破就更难了，惰性是天生的，没有人不会偷懒。CMOS阵列和电荷捕获，是储存的核心，所有的储存都是电平转换来实现的。不断创新精进，美光做的不错。

• 187****31302022/03/08

  这项技术所实现的密度是早期 3D NAND 的近 10 倍。10 倍密度意味着智能手机可以做更多事、存储更多内容，并且让更多人负担得起，同时提升他们的日常生活体验。我还期待我们的技术能够广泛应用于各种电子设备。

• 152****58402022/03/08

  176层3D NAND技术和1α DRAM技术，在速度上的提升还是很明显的，未来文件的传输也更加方便快捷。

• 159****46102022/03/08

  美光首创176层3D NAND,密度是早期3D NAND的10倍，也就是说同样尺寸的芯片能存储更多数据。同时也实现了高达1600MT/S的最大数据传输速率。 美光科技176层3D NAND是各类数据存储场景的首选方案。 美光1a DRAM采用同类没有的1a节点技术，使得DRAM更节能、更可靠，且在同等尺寸的芯片下实现跟高密度的存储。降低了客户的成本。是服务器、网络和嵌入式场景的首选方案。期望美光科技研发出更多新技术、新产品，做存储界的领头羊。

• 176****67982022/03/08

  NAND也是我的研究领域正在关注的一部分内容，储存器或闪存的市场固然很火爆，但是从学术研究的角度，我个人觉得，NAND按照摩尔定律发展，会继续做3D架构，关键是如何结合对创新计算包括AI、5G、云计算等不断结合创造新的需求？如何继续激发市场购买力和需求性？但是它本身的栅极和CMOS架构都会存在本身工艺上的缺陷，这是短时间内容无法弥补的，堆叠高层NAND技术上困难、工艺上更困难，美光能做到这一点已经非常成功了，那么应该如何选型？如何进行设计？这个还不知道，因此，希望美光能够在新的技术加持下，获得更强的性能。

• 130****31252022/03/08

  美光推出全球首款拥有176层3D NAND颗粒的数据中心固态硬盘 ,集成了美光自有 DRAM、内部开发的 SoC 系统级芯片和相关固件，能快速响应市场客户需求，并支持更强的设备安全功能。一直非常看好镁光，在技术的前沿一直发光发热。

• 136****77662022/03/07

  能在有限空间内提供高性能，大容量，高可能性的存储方案，一直是业界难题，但美光凭借惊人的176层及1α技术，满足了大容量，高性能，高可靠性的市场需求。相信以美光的技术实力，176层远远不是极限,成本也会越来越低。

• 137****78332022/03/07

  美光的 “176层3D NAND”和“1a DRAM”技术，速度更快， 低功耗、低延时。会在更多的高科技应用场景得到广泛应用。但是在读写速度没有明确多少，还是我们值得商榷的，没有明确的技术指标。只是说比上代快多少？不够精确。

• 159****39102022/03/07

  祝美光越来越强大！

• 187****09192022/03/07

  期待美光搞出更多的好东西

• 132****83252022/03/07

  内存技术在手机电脑等智能产品中，起到了至关重要的作用，快速稳定的内存读写技术，使得美光产品长期占有市场的主导地位。 期待美光一如既往的领导行业发展潮流，不断创新，让广大用户体，近距离验新技术带来的生活巨变。

• 155****02312022/03/07

  希望美光能再接再厉，继续研发出新的产品，推动科技的进步！

• 188****72972022/03/07

  176层3D NAND技术和1α DRAM技术，让美光领跑存储行业，全系列的标准 DRAM 内存，包括全球最高带宽的内存——HBM，1α 节点 DRAM与美光上一代 1z 制程移动设备 DRAM 相比，功耗降低了 15%，正如美光所述，未来NAND在堆叠层数上还会继续扩展，我们也期待着在3D堆叠领域，NAND可以走得更远，从而使电子产品可以存得更多，用得更便宜。

• 134****99872022/03/07

  美光的 “176层3D NAND”和“1a DRAM”技术，都是科技推动的产物，能拥有如此高的技术含量，美光作为存储行业的领跑者，技术的演变和推进功不可没，产品可靠性强，技术功底厚，是众多需要存储设备的首选！希望美光能再接再厉，继续研发出新的产品，推动科技的进步！

• 178****45902022/03/07

  技术好像没有特别细节的公布。不过对于中小型开发者或公司来说，如何将成本降下来是最重要的，目前DDR3才开始比较合理，DDR4这个还不太清除，更不要说DDR5了。

• 136****15602022/03/07

  在176层NAND中，美光是如何克服NAND的读写速度与使用寿命两大难题的？是否有自己独特的解决方案？

• 187****58372022/03/07

  产品稳定性好、性价比高、服务到位、寿命延长。

• 132****91772022/03/07

  我觉得还行。技术上突破性挺强。以后大力支持鼓励！

• 173****16062022/03/07

  虽然技术上实现了很大的突破，但是其他方面有没有问题，比如散热问题或者耗能问题，这在手机等机能产品是个很重要的问题，所以在这方面又没有更好的优化

• 139****15292022/03/07

  发热控制怎么样，主控性能呢？

• 176****39362022/03/07

  NAND现在为什么不扩大面积呢？未来NAND在堆叠层数上无法继续突破时，会继续扩大面积吗？堆叠层数增加时成本是这么增多的呢？

• 151****31002022/03/07

  希望我们和美光可以共同发展进步。美光的新NAND闪存与其上一代大容量3D NAND相比，176层NAND将读取延迟和写入延迟提高了35％以上，从而极大地提高了应用程序性能，176层NAND紧凑型设计比同类竞争产品小30％的裸片尺寸，同时，176层NAND提供改进的服务质量，这是数据中心SSD的关键设计标准，可以加速数据密集型环境和工作负载，例如人工智能引擎和大数据分析方面都有很好的体现。在5G智能手机方面，增强的QoS可以更快地启动和跨多个应用程序进行切换，从而创建更加无缝和响应迅速的移动体验，并实现真正的多任务处理和5G低延迟网络的充分利用。

• 159****94392022/03/06

  个人提出几个问题： 1、哪些细分市场将受益于美光的176层NAND技术？ 2、展望未来，3D NAND技术垂直堆叠的层数是否会有极限？堆叠更高层数面临着哪些挑战？美光NAND闪存的未来计划是什么？ 3、为什么美光会在3D NAND中采用CMOS阵列下（CuA）技术？

• 136****79142022/03/06

  从学校出来第一份工作就是存储行业，很有幸接触到美光。美光在存储领域总能领先其它对手，给人惊喜。就比如美光的176层NAND，这个具有里程碑的意义。对比3D NAND而言，176层NAND技术的颗粒可以存储更多的内容，并且176层NAND的厚度也会更薄。相信176层NAND技术的全面推广，会进一步促进存储行业的良情发展，内存价格会大幅度的降低。 美光另一个核心技术，1αDRAM 制程技术又是行业内首先突破并量产的DRAM产品，相比之前，更节能，极大地提升了用户体验。感觉美光利用1α DRAM 制程技术的DRAM与176层NAND已经在存储领域大幅领先其它。 基于美光的1α DRAM 制程技术，个人认为:1.在5G智能手机方面会大量采用，因为手机讲究续航，而1α DRAM 制程技术节能，这样在电池容量一定的前提下，续航时间会更长。 2.在PC市场方面，应该是会出现很多DDR4和LPDDR4解决方案 最后，作为使用者与用户我们当然希望更好的产品体验，希望美光后面能提供更好的产品与解决方案

• 151****78232022/03/06

  啥时候可以推出消费级产品呢？层数越多是否意味着散热不好？产品整体寿命如何？产品损坏后数据可恢复性如何？！

• 159****97372022/03/06

  1α DRAM 制程技术的DRAM会对内存市场产生什么样的影响，预计采用这种技术的DDR4 内存会在什么时候上市，售价几何

• 177****37242022/03/06

  1、当机器学习科学家需要时,可以随时随地用 o 数据来训练机器。 2、通过人工智能以及高速内存和存储来推进大 数据。 3、边缘设备的智能化。 4、为不断增长的数据量提供存储容量。 Doug Rollins表示: “人工智能应用需要的内存和存储空间比现在更多,速度要求更快,只有这样才能适应5G带来的指数级增长的数据量,美光把3D NAND的高数据存储容量优点,与DRAM最理想的超高速处理特性,结合起来以实现人工智能。

• 189****11722022/03/06

  读写速度提高35%*，启动更快，应用程序响应性更高 *与美光大容量浮动栅极96层NAND对比。如与128层替换栅极NAND对比，美光176层NAND的读写延迟降低25%以上。读写速度提高35%*，启动更快，应用程序响应性更高 *与美光大容量浮动栅极96层NAND对比。如与128层替换栅极NAND对比，美光176层NAND的读写延迟降低25%以上。

• 186****24362022/03/05

  在3D NAND技术不断升级的推动下，势必会使NAND Flash产能进一步增加，NAND Flash技术的升级也将刺激eMMC、UFS、SSD等主流产品性能的提升，容量的增加，带来更多创新机会。

• 180****75302022/03/05

  先进技术，相同容量下，可以减小NAND的体积，降低成本，有助于大容量存储器的普及。相信1TB甚至更大的手机也会很快普及

• 156****23902022/03/05

  未来一个闪存一颗内存就可以满足所有的需求了，以后我们的设备越来越轻便，越来越薄，而功能越来越强大。技术需要长时间的积累才成就今天的成果，希望我国相关技术也能越来越强。

• 139****97892022/03/05

  与时俱进，美光总是走在时代的前沿，把握性能需求，追求极限之美。 "176层3D NAND同时将读写延迟降低了 35% 以上，混合工作负载性能提高达 15%"深刻让人体会到了科技的力量！

• 152****72692022/03/05

  “走进 1α —— 了解目前世界上最为先进的 DRAM 制程技术”，先进的光刻技术预示着产品的先进性，有着不可多得的先天条件，有着中国的广大市场，就有着广大的试验基地，有了试验基地，就有了成功的一定性，市场大有可期。

• 156****37292022/03/04

  美光176层3D NAND技术读写延迟降低了25%，读写速度提高了35%,已经做到闪存速度很快，比其他产品更具有竞争力，信赖首选。

• 186****02482022/03/04

  美光应用领域广泛，其中汽车领域、AI领域、边缘计算等更是当前比较火的行业。面对当前整体市场行情芯片涨价、芯片紧缺的场景，美光科技芯片储备如何呢，芯片是否缺货以及价格能否控制的住。又何如看待下一步的发展趋势。 美光全新的 176 层工艺与先进架构，确实是跨越式的开拓，为边缘计算、大数据处理提供更多的可能性。

• 152****62572022/03/04

  美光产品我在DDR2时代就在使用了，不管是可靠性还是性能都是业界顶级水准，会继续支持。

• 132****06232022/03/04

  光176层NAND读写多少，相对其他同类产品有什么优势。

• 131****79202022/03/04

  1.期望基于176层的未来5G手机型号会有更大的存储容量,象目前经常使用的8+128G或8+256G的内存，可以做扩展到12G+1T的内存。 2.其176层NAND将使存储产品的裸片面积减少大约30％，期望可以为智能手机和安全摄像头等设备提供尺寸更小而存储容量更大的产品。 3.希望随机读取速度和随机写入速度能大幅提高，延迟时间更小，能达到毫秒速，平均故障间隔时间可长达500万小时。

• 183****30972022/03/04

  美光 1α DRAM技术，是人类目前全球极先进的 DRAM 制程技术，技术前进的一大步，在多应用领域体现的可靠性、内存密度、节能效果的诸多特点，该技术不仅为美光未来的产品和内存创新打下了坚实的基础。还为人类在该领域带来莫大的福音！ wthqjc@126.com 钱金川 18367873097

• 186****17732022/03/04

  工作十余年，虽有爱国之心，无奈性能有限，一直选用镁光、三星、东芝等大品牌的存储 NAND EMMC DRAM 等，不会出现开不了机，需要CPU降频，等问题，尤其是镁光，性价比高，芯片集成度高面积小 发热控制的好 读写速度也快，地球人都馋哭了， 不过老板确实很愁供应链的问题

• 132****77272022/03/04

  美光推出的业界首款176层3D NAND同时将读写延迟降低了 35% 以上，技术工艺越来越好，能降低功耗，增加读写次数，增加读写速度，成本也下降了不少，就算是苹果手机或者其他第三方的安卓手机，都用了美光的存储，美光作为行业存储的佼佼者，希望能再接再厉，开发出更新的产品更先进的产品，让人们享受科技进步带来的便利和乐趣，使得人类更加幸福和谐！

• 158****36712022/03/04

  美光存储在存储业内名声本来就很大，我只是希望美光不要只在层上做文章，这一技术很成熟，能做更多层固然很厉害，但是如果能在材料上也做一些文章，我相信美光一定能在存储业做到予之无法相比的境界，现在的存储芯片主要问题是小体积、大容量、低功耗。

• 153****97352022/03/04

  美光的NAND还是比较成熟的，大品牌，就是最近供货不很好。

• 130****81692022/03/04

  国家电网用电信息采集终端（集中器或融合终端）的招标文件对存储和内存的容量要求越来越高，但对存储介质寿命也有要求，如集中器19规范直接要求存储为4Gbyte SLC NAND，不知道美光的176层3D NAND的寿命如何。

• 159****13912022/03/04

  首先我们祝贺美光发布176层NAND产品，并且在读写速度，存储容量方面有了很大的提高。我们希望能在移动电子产品和电脑的内存，和固态硬盘的见到美光的产品，希望美光的产品越做越好。

• 188****06302022/03/04

  这款产品具备数据中心SSD最先进的NAND技术，稳定可靠地将延迟降低到2ms以下，这将开辟一个新时代，引领数据中心发展！

• 159****35532022/03/04

  1α. DRAM提供的存储技术，目前在我们军民融合行业有什么应用？特别在有涉密信息数据存储技术支持方面有应用吗？对行业数据存储、安全隐私的方面做了哪些处理保护？

• 186****18522022/03/04

  美光，凭借业界领先的工艺，使用先进的制程技术，制造出性能优异的176层3D NAND和DRAM，这是电子业的福音，也是电子业相关业者的福音。希望我们的生活越来越好，科技越来越发达。

• 155****65412022/03/03

  176层3D NAND首先就是一个技术上的突破，相信有更贴切的应用。介绍中描述可以将读写延迟降低了 35% 以上，混合工作负载性能提高达 15%，相信这样的处理能力和读写速度很适合当下5G，wifi6等高速，大数据，低延时的需求，该技术在当下会有一个良好的市场需求。

• 173****22692022/03/03

  在加速全球向清洁能源转型的趋势下，以及，工业，商业产品加速物联网投入，电动汽车、AIoTg带来的无人驾驶，以及5G配套产业高速兴起，多项应用共同推动了DRAM市场持续受益。美光根据市场需求，促使全球数字化转型，加大了对云服务的底层硬件开发，在商业应用加大投入，尤其是率先于业界推出 1α DRAM 制程技术，突破关键技术瓶颈，保持高效市场竞争活力。美光通过技术能力升级，顺应数据开发，存储，及利用，以更好的配套5G,AIoT等带来的数据共享与读取，确保随时随地的无缝连接。先进的底层技术，才能让 NAND 有更低的温升，，低温升才能让机器更稳定读取数据，寿命也能更长，负载能力相对也才能更强。

• 134****06692022/03/03

  让工业更有智慧，成为工业4.0大革命当下，高速，高质量发展的首驱。而更新，更快，更好的工艺，逐步替代老旧工艺，在技术与生产方面，能更体现出降本增效的作用。美光顺应时代潮流且走在不断研发的道路上，让工业互联变得更接地气，因为【176层3D NAND】和 【1a DRAM】技术，可帮助提升全球生态链系统的互联效率，新技术也能更有效降低整体温升，保障器件在长时间能可靠的运行。数字经济，数据货币时代的到来是带动大数据的保存以及读取分析。我们知道，内存芯片在生产过程中，标准化程度高，而且，DRAM行业往往采用采用IDM重资产运营模式，各厂商的核心竞争在于生产制造工艺，以及生产规模。美光研发提升生产工艺，也能在单位时间与单位面积内平摊更多的生产成本，让产品获得更广范的市场集中度。

• 185****83322022/03/03

  好几年前就很看好美光的存储技术，所以我买的固态硬盘都是美光的。后来听说美光搞出来了3D NAND其实和我的想法不谋而合。这个电路没必要限制在一个平面上如果能做到的话，这样才能有更大的进步，现在已经叠到了176层，真的是牛逼的不能不能行。现在又搞出来了1α. DRAM技术，优秀！持续关注，希望美光在这里越来越牛逼，为人类的科学进步再推一把力。

• 158****89632022/03/03

  美光在新技术产业上的耕耘令人尊敬，对于未来技术瓶颈的开拓，创新，发展，是机遇也是挑战

• 176****67612022/03/03

  在国内应该有很大市场，美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，数据的运算上减少了能源的消耗，降低了机内的空间

• 186****21982022/03/03

  摩尔定律的另外一种延续形式？3D NAND 的投产是一件大事，它带来了更低的成本，实现了巨大的价值。美光的 176 层 NAND 成为一个重要的里程碑。这项技术所实现的密度是早期 3D NAND 的近 10 倍。10 倍密度意味着智能手机可以做更多事、存储更多内容，并且让更多人负担得起，同时提升他们的日常生活体验。

• 135****72252022/03/03

  技术领先，制程先进，目光长远，着眼未来！

• 136****85462022/03/03

  读写延迟降低了 35% 以上，内存密度提升了 40%，极大的提升了计算机系统的整体性能。无论是计算、游戏，还是嵌入式系统，对读写延时的降低都能极大的提升系统的整体性能。美光的技术革新是对整个行业的技术提升，希望技术人员都能凭借美光的先进技术，把产品提上更高的档次。

• 137****06382022/03/03

  美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储的应用效能，给大家带来极致的体验，美光的每一次进步，都会给人带来意想不到的惊喜

• 158****97042022/03/03

  美光在技术领域一直都在高速狂奔中，一直都是行业领先企业，引领行业的发展方向，现在达到了176层3D NAND技术 & 1α DRAM技术，推动社会发展和技术变更，科学技术是第一生产力，为5G的发展和车联网的发展提供了坚实的基础

• 158****13292022/03/03

  目前接触的工作，用不到这么高端的芯片，不过能了解一下高新技术也是不错的，对于单片机工程师来说，NAND很少要求，而且用到的也少，不过从各方面来看美光的176层3D NAND技术非常的超前，可以大大提升用户体验，不过使用的门槛应该也比较高，但是不知道稳定性和安全性如何。

• 133****13932022/03/03

  美光的存储技术已超过三星，跟上了美光，就跟上了DRAM、NAND发展的步伐。1α可使DRAM密度提升40%以上。加上1β、1γ、1δ，不同制程工艺规划。未来电子科技将有无限可能。

• 136****07852022/03/02

  176 层 NAND 产品采用美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构，是市场上最先 进的 NAND 技术节点。与美光的上一代大容量 3D NAND 产品相比，176 层 NAND 将数据读 取和写入延迟缩短了 35% 以上，极大地提高了应用的性能。能否持续满足小尺寸应用需求的解决方案

• 136****58272022/03/02

  NAND市场巨大，同时也面临着一个问题，如何把体积尽量做小功能尽量降低

• 138****63382022/03/02

  美光在技术的先进性上毋容置疑，176层3D NAND和1a DRAM技术确实是业界领先，更重要的是将技术转化到产品的及时性，现在市面上用美光的片子好多。

• 136****63192022/03/01

  176 层 NAND 产品采用美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构，是市场上最先 进的 NAND 技术节点。与美光的上一代大容量 3D NAND 产品相比，176 层 NAND 将数据读 取和写入延迟缩短了 35% 以上，极大地提高了应用的性能。能否持续满足小尺寸应用需求的解决方案？

• 152****90462022/03/01

  176层3D NAND FLASH技术和1α DRAM这两项技术都很惊艳，彻底颠覆了人们对世界的认知。前者在纵向维度上不断延伸，后者在横向维度上不断压缩，一拉一压形成鲜明的对比。这些成绩正是人类向自然、向物理极限不断挑战并不断突破的结果。我作为一个半导体人，为Micron深感自豪，相信凭借着持之以恒的创新，半导体行业会取得越来越辉煌的成就，在改变世界的同时，也给后代留下了宝贵的财富，加油吧，少年！

• 185****63062022/03/01

  1α 节点印证了美光在 DRAM 领域的领 先成就，同时也是对前沿设计和技术不懈追求。对比上一代的 1z DRAM 制程， 1α 技术将内存密度提升了 40%，为将来的产品和内存创新提供了坚实的基础，会为你我带来更高的应用体验！

• 133****80792022/03/01

  美光推出的业界首款176层3D NAND同时将读写延迟降低了 35% 以上，这个就解决了一个巨大的瓶颈，传送速度和容量都会大大的提高，混合工作负载性能提高达 15%，大大的提高了整体的效率，使得基于相关的参数都可以相应的进行几何级的变化，这是很多产业的基础，新产品就更加容易进行各种方面的升级 ，感谢美光啊！

• 131****97572022/03/01

  美光 176 层 NAND 已经打开了通往数据的大门，不仅会有更多人能够以更低的成本更快地访问数据，而且我们使用的访问设备也会更好、更小、更快且价格更低。变不可能为可能，为每个人的生活增添更多光彩！

• 155****79692022/03/01

  美光全新的176层工艺使数据中心、智能边缘平台和移动设备等一系列存储应用得以受益，实现性能上的巨大提升。树立了闪存行业的新标杆，在成本方面保持行业领先优势。

• 131****93192022/03/01

  美光提升了产品耐用度，176层NAND的替换栅极架构可将混合工作负载性能提高15%7，支持超快速边缘计算，增强型人工智能推理以及图像显示细腻的实时多人游戏。充分利用高导电性金属字线6取代矿硅层，实现了优越的3DNAND性能，美光将大幅度降低成本，继续领跑业界！

• 139****26642022/03/01

  美光技术上领先，实际应用广泛。读写速度快，芯片稳定。可扩展性强，是产品可靠的保证。美光，技术牛。学习，希望自家产品上能批量用上美光产品，提升产品竞争力提升性价比。

• 135****49442022/03/01

  美光推出的业界首款176层3D NAND的优势：1，同时将读写延迟降低了 35% 以上，混合工作负载性能提高达 15%，启动更快，应用程序响应性更高。 2，裸片尺寸比同类最佳的竞争产品缩小近30%。

• 136****95342022/03/01

  NAND产品的应用已经非常广泛了，美光新推出的176层NAND更是市场中的佼佼者。性能更强，速度更快，存储数据量更大。有个疑问：因NAND产品一般需要和CPU/SOC搭配使用，毕竟两者不是工作在同一颗芯片上，通信速率还将受制于Layout和板材等条件影响，那NAND还能长期工作在极限速度下吗？

• 185****05022022/03/01

  和台积电合作，创造出更强大的芯片！！！！！

• 134****70322022/02/28

  芯片制造的历史始终围绕着一个主题，那就是缩小电路尺寸，从而在一块芯片上集成更多的晶体管或内存单元。六十年前，第一块芯片上的晶体管等组件光凭肉眼就能看到。而现在，这些同类组件的尺寸只有几纳米，缩小到以前的十亿分之一！ 晶体管越小，开关速度就更快，功耗更低，如果只考虑规模经济这一因素，制造成本自然更低。这在我们最新的技术节点（也是目前世界上最为先进的技术节点）也不例外。它在性能、功耗和制造成本方面实现了重大提升。 就看这一段，我就感到非常的震撼，可以说现目前能做到这个技术那真是大牛啊，以前是望不可及，现在美光做到了，以后就是遍地开花，科技的强大，让我们也感觉做啥都越来越便洁了。176层对我来说这是个非常难以想象的概念，相信美光会做得更好，更精，更省成本

• 189****46202022/02/28

  全新的堆叠造就176层NAND，把三星128和铠侠112甩到后面，独有的钻孔和对位技术工艺精湛。WL和BL分布合理，control gate 布局很不错，让不少业内人士眼前一亮。但是不知道目前良率和产能如何，不过解决这个只是时间问题，加油美光，我们离256层很近了。

• 150****56642022/02/27

  美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer先生表示：“ 1α 节点印证了美光在DRAM领域的领先成就，同时也是我们对前沿设计和技术不懈追求的成果。对比我们上一代的 1z DRAM 制程，1α 技术将内存密度提升了 40%，为将来的产品和内存创新提供了坚实的基础。”

• 130****58792022/02/27

  176层NAND硬盘为专业工作站和超薄笔记本提供高性能、低功耗的灵活设计选择。美光将前沿的NAND技术和性能成功应用于智能手机，带来更快的手机响应体验，实现应用程序之间真正的多任务处理。美光176层UFS 3.1解决方案相比上一代产品的顺序写入速度提升75%，随机读取速度提升70%，大幅提升应用性能。1500MB/秒的顺序写入速度意味着下载一部10分钟的4K (2160 像素分辨率) 网络视频只需0.7秒，而下载一部2小时的4K电影只需9.6秒。与上一代产品相比，美光176层UFS 3.1解决方案的优秀性能将响应延迟缩短约10%，确保了更可靠的移动体验。美光176层移动解决方案可写入的总字节数比上一代产品高出一倍, 这意味着可存储之前两倍的总数据量，而不会损害设备的可靠性。即使是重度手机用户，也会发现智能手机的使用寿命大幅提升。也为为智能手机提供无与伦比的性能，使消费者能轻松快捷地在移动端体验丰富的多媒体内容。”  美光176层UFS 3.1解决方案的混合工作负载性能相比上一代产品提升了15%，使手机启动和切换应用的速度更快，从而打造更为流畅的移动体验。美光将176层NAND技术应用于UFS 3.1，克服了存储瓶颈，使手机用户尽享5G高速通信。

• 159****11422022/02/26

  美光推出的业界首款176层3D NAND同时将读写延迟降低了 35% 以上，混合工作负载性能提高达 15%，助力大数据中心建设啊，美光的内存条颗粒业界都是最好的，真不错啊

• 139****58872022/02/26

  为何此次产业选择的是176层，2*88这种布局，3D NAND堆叠层数的定义主要取决于什么？之前有过96层（双48），128层（双64等）。从第四代到第五代的突破相对于第三代到第四代，技术上是否更难，对市场的影响是否更震撼？为什么？ 美光：没有绝对或神奇的比例数字，3D NAND堆叠的层数会因供应商而异。但业内绝大多数企业的路线图都是从96层到128层，再到176层，大约每次层数会增长1/3左右，这与平面硅工艺制程演进所带来的面积缩小相一致。 看到了未来的存储方向：更快，更小， 更可靠！

• 155****85282022/02/25

  1α， 10 nm工艺下的的第四代产品，跟 1z 制程移动设备 DRAM 相比，功耗降低了 15%。 工艺较为先进了，还有发展进步空间。

• 153****09752022/02/25

  三星第7代176层3D NAND将采用“双堆栈”技术，TLC产品存储密度达8.5Gb/mm²，为历代产品中最高。和西部数据/铠侠最新产品相比，虽然容量密度并非最优，却在写入性能及I/O速度上较为优异，各家产品各有长短吧！

• 133****27952022/02/25

  摩尔定律似乎真的失效了？所谓的3D叠加能够重复摩尔定律增加的辉煌吗？

• 132****89262022/02/25

  我也觉得内存和存储预计是未来十年增长最快的半导体市场，美光凭借领先业界的DRAM和NAND技术，将具有很大的核心竞争力。美光的176层NAND是业界密度最大、技术最先进的，通过将替换栅极架构与CMOS阵列下架构设计相结合，实现了业界领先的数据传输速率，这是内存和存储领域的创新杰作，值得点赞！

• 130****92432022/02/25

  176层，体积还小，速度还快，看来U盘又要小了

• 137****26322022/02/25

  裸片尺寸比同类最佳的竞争产品缩小近30%，读写速度提高35%*，启动更快，应用程序响应性更高，及广泛的应用方案， 能成为行业的佼佼者. 团队成员在长期 “全力以赴”模式下的热情和坚韧，正是这种热情和坚韧造就了美光在 DRAM 技术领域的前沿地位. 确实给力！

• 182****19952022/02/24

  美光的176 层 NAND，10 倍早期3D NAND 密度，同体积下存取更多容量；将替换栅极架构与CMOS阵列架构相结合，实现了较高数据传输速率。高容量，速度快，如果性价比再合适，同类产品必选！！

• 150****63212022/02/24

  美光176层3D NAND以及1a DRAM技术的推出，推动了存储产品的技术升级和发展，同时不仅为个人存储和电子产品设备提供支持，同时会促进AI的发展，在数据存储和读写上面增加更快的速度和容量，同时会促进SSD,eMMC等产品的快速发展。

• 134****51752022/02/24

  美光176层3D NAND裸片尺寸比同类最佳的竞争产品缩小近30%，读写速度能提高35%，启动更快，应用程序响应性更高。美光1α 技术将内存密度提升了 40%，实现了业界最佳性能。美光176层3D NAND 和1α. DRAM技术的优秀不言而喻！

• 135****02262022/02/22

  最近看了些大UP对笔电的拆机测评，好的内存条也需要好得运气才能抽到，特别是DDR5，对性能有着质的提升；奈何产品越做越小，越做越薄，部分内存条也从双面颗粒换成了单面颗粒，性能略有缩减，希望美光的176层3D NAND能助力ram再次进步，有着更多的突破！

• 180****63042022/02/18

  众多周知，小型化会带来可靠性、性能等一系列问题，但美光却完美的解决了这些问题。美光176层3D NAND裸片尺寸比同类最佳的竞争产品缩小近30%，读写速度却能提高35%，启动更快，应用程序响应性更高。美光1α 技术将内存密度提升了 40%，却实现了业界最佳性能。对创新的孜孜以求和不懈探索必将体现在美光的市场占有率上，科技改变生活，同样也奖励创新的主体。

• 158****84782022/02/18

  在集成化小型化要求越来越高的今天，美光的 176 层 NAND 是业界密度最大、技术最先进的，通过将替换栅极架构与CMOS阵列下架构设计相结合，实现了业界领先的数据传输速率。同样，美光 1α 通过提高内存密度拥有更强的可靠性、更高内存密度、更好的节能效果及同类极佳性能。

• 131****07892022/02/17

  我想知道普通的存储芯片它堆叠层次越多读写寿命就会越短这个问题美光3D芯片解决了吗？

• 153****88092022/02/17

  美光宣布，uMCP5芯片已大规模量产了。该芯片采用了LPDDR5内存+UFS3.1闪存，LPDDR5的数据传输速度可达6400Mbps，UFS3.1的持续读取速度与UFS2.1相比，也提升了已被，持续写入速度提高了20%，功耗却有明显的降低。 uMCP5采用了TFBGA封装格式，电压为1.8V，可以在零下25℃到85℃的环境下正常工作，可靠性高。 这款芯片可以在一定程度上节约手机的内部空间，对于旗舰手机来说尤为重要。目前镁光uMCP5仅提供了四种容量组合，包括8GB+128GB、8GB+256GB、12GB+128GB、12GB+256GB，都是目前旗舰机比较常用的内存组合。

• 138****32592022/02/17

  值得拥有美光。有资料显示，uMCP是将内存、存储、控制器三个部分都封装在一起，这样的集成工艺可以减少芯片之间的传输距离，从而让数据交换更加的高效，同时功耗也会进一步降低。另外集成工艺还有一个好处就是可以减少内存的体积，据美光给出的数据，uMCP封装的内存体积可减小40%。 美光的uMCP是采用1ynm DRAM的LPDDR5内存，以及512Gb 96层的3D NAND 颗粒再加上279球栅阵列封装/ BGA ，支持双通道LPDDR5，速度可达6,400MBps，最高可提供12GB RAM+256GB ROM组合。@@

• 135****49722022/02/14

  半导体工艺来到14nm以下，通过3DNAND的持续发展，使得NAND的发展一再突破瓶颈，NAND闪存芯片的容量也得以在几年内快速提升，使得NAND闪存芯片成为行动装置及计算机内大量数据存储器芯片，而从产业发展角度而言，NAND flash技术的升级也将刺激eMMC、UFS等主流产品性能的提升，容量的增加，会带来更多创新机会。

• 185****02992022/02/14

  据我了解美光的176层NAND产品应用的是美光第五代3D NAND技术和第二代替换栅极架构，应用的是目前最先进的NAND技术，大概总结一下主要由以下的优势：裸片尺寸缩小30%,外形极小，读写延迟缩短35%，传输速度提升33%.当然在这么强大的功能背后，必然存在很多技术难题，据本人了解，层数越多功能越强劲，但随之也需要完美确保它的可靠性以及良品率，层与层之间的干扰问题等等难题，美光不负众望经过不懈的努力，突破重重困难，最终将更先进的技术推向市场，造福世界，希望美光能越来越好，我们的工作，生活也将随着科技的进步，美光的进步越来月美好！

• 132****51322022/02/11

  美光实力一流，176层NAND是业界密度最大、技术最先进的，通过将替换栅极架构与CMOS阵列下架构设计相结合，实现了业界领先的数据传输速率。

• 189****83032022/02/10

  美光一直用数据说话，推出的业界首款176层3D NAND同时将读写延迟降低了 35% 以上，混合工作负载性能提高达 15%，对比其他厂家确实，有革命性突破，期待早日在自己产品用上。

• 130****51422022/02/10

  176 层 NAND 产品采用美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构，是市场上最先 进的 NAND 技术节点 美光科技果然牛逼，这很多行业第一和首创，说明了美光科技是脚踏实地的技术范！

• 151****64852022/02/10

  176层3D NAND和1a DRAM非常契合地满足了市场对高密度高速存储芯片的需求。很好奇它们用了什么样的高端黑科技工艺来实现的，期待官方分享！

• 133****29852022/02/10

  读写速度提高35%*，启动更快，应用程序响应性更高 *与美光大容量浮动栅极96层NAND对比。如与128层替换栅极NAND对比，美光176层NAND的读写延迟降低25%以上。

• 130****32332022/02/09

  1α DRAM 制程技术是美光独创的么？没有用过美光的产品，不知这个1α DRAM 制程技术会带那些革命性的突破了？

• 131****05502022/02/09

  全球首款 176 层 3D NAND 闪存，果然历害，很高的技术含量，美光科技给了国人一个惊喜。176 层 3D NAND 闪存 这种应用场景是那里了？能带来那些实质性的提升了？

• 135****45212022/02/09

  更大的容量、更快的读写速度，适合做更高实时要求的数据应用，比如存储、比如视频采集端。

• 137****60752022/02/08

  目前我们在实际应用中，对大数据的存储和读写的要求都有极高的要求，美光的技术能让读写延迟降低35%以上，可以极大的提高行业应用的领域。

• 152****80512022/02/08

  176层设计的功耗多少？散热设计有没有做好，功耗上去后会不会影响时序？这些都是需要在设计的时候考虑的。

• 134****51802022/02/07

  176层3D NAND闪存技术的确非常厉害，有个小问题，堆叠层数最大可以到多少？不知专家是否有目标，未来NAND达到多少层堆叠技术在性价比和投入产出比方面最优。

• 186****35232022/02/03

  相比前一代产品，176 层 NAND 的技术实现了产品数据读取和写入延迟缩短了很多，1α. DRAM技术作为当前世界最先进的DRAM技术，在内存密度、功耗和性能等各方面都要重大突破。对于AI系统、车载系统等行业起到了很好的推动，后续应用应该能大有可为。

• 156****90212022/01/30

  工艺的先进，后期对电压的要求越来越低，同时功耗也越来越低，这对电子设备来说是好事也是坏事，这对电源的要求会越来越高。

• 135****45832022/01/25

  LPDDR4和DDR4的工作电压分别是多少？1.1V还是0.6V？两种内存功耗对比是怎样的？

• 175****17102022/01/24

  美光也算是认识很久了，东西质量不错，现在听到这个多层堆叠技术，打我个措手不及，果然是年轻人，反应很快啊!时代在不断发展，我们应该跟上时代的步伐，勇往直前！

• 135****41162022/01/24

  集成电路每一技术代、每一个新工艺都对应着新的装备需求，作为集成电路工艺装备供应商，我们与集成电路共成长、同进步。

• 180****59412022/01/23

  美光，一直用的美光，值得信赖，永远的朋友

• 152****50032022/01/20

  厉害了美光，176层，我之前了解的技术还是96层呢！！

• 136****78282022/01/20

  美光176层NAND，光听名字就感觉很厉害，实际呢功能更强大了:独特技术、更强性能、应该更加广泛。

• 133****17852022/01/17

  176层的NAND应用中，容量应该有大大的进步，那么后续有没有可能提供新的数据读取接口（或者现接口升级版本），用来提高速率？

• 135****86212022/01/16

  美光的176 层 NAND，10 倍早期3D NAND 密度，同体积下存取更多容量；将替换栅极架构与CMOS阵列架构相结合，实现了较高数据传输速率。高容量，速度快，如果性价比再合适，同类产品必选！！

• 153****97792022/01/14

  业界首款176层3D NAND的与众不同的优势：同时将读写延迟降低了 35% 以上，混合工作负载性能提高达 15%，对于行业选型与项目工程师的设计层面选用，增加了选择的空间和灵活性

• 138****96392022/01/13

  其实在选型时考虑的就是质量，包括性能、可靠性、经济性、技术前瞻性等等方面，而美光不负众望，做到了，所以我选他。

• 138****99472022/01/13

  我们公司的企业存储产品也使用了美光的方案，这次美光发布的176 层 NAND技术，希望能再次强强联合，打出一记漂亮的组合拳。

• 185****01982022/01/11

  三星市场占有率最高，但从技术程度上说，美光要高于三星，这是台积电CEO说的，据说台积电要联合美光一起推进市场份额，避免三星给厂家提供的全家桶套餐。这次美光的技术又在刷新了行业，再一次领先三星。

• 157****57632022/01/11

  美光的176 层 NAND 推出时具有最高的层数、一流的 I/O 输入输出速度以及创新的CMOS阵列下架构（CMOS under the array）。美光的 176 层 NAND 是业界密度最大、技术最先进的，通过将替换栅极（replacement gate）架构与CMOS阵列下架构设计相结合，实现了业界领先的数据传输速率。

• 188****93182022/01/09

  NAND FLAHS 主要是用来和NorFlash进行对比， 一般来说NAND FLASH 的存储容量大于Norflash且价格低于Norflash, 但速度比不上Norflash; 从文章上可以看出， 美光推出的业界首款176层3D NAND同时将读写延迟降低了 35% 以上，是大大的提供了芯片的性能， 工作负载性能提高达 15%， 对于目前的大数据、边缘运算、人工智能等存储数据需求大的应用中有着很好的作用；

• 147****66572022/01/08

  得益于新的闪存架构和堆叠技术，美光将176层的厚度压缩在了45微米，基本和早期的64层浮动栅极3D NAND差不多。 这样，即使在一颗芯片内封装16个Die，做到1TB的单颗容量，厚度也不会超过1.5毫米，可以轻松放入智能手机、存储卡。 传输速率提高至1600MT/s，而此前96/128层的都是1200MT/s，读写延迟相比96层改进35％，相比128层改进25％，混合负载性能相比96层改进15％。所以说，还是非常不错的，铸就新技术，更进一层楼

• 180****03602022/01/07

  得益于新的闪存架构和堆叠技术，美光将176层的厚度压缩在了45微米，基本和早期的64层浮动栅极3D NAND差不多。 这样，即使在一颗芯片内封装16个Die，做到1TB的单颗容量，厚度也不会超过1.5毫米，可以轻松放入智能手机、存储卡。 传输速率提高至1600MT/s，而此前96/128层的都是1200MT/s，读写延迟相比96层改进35％，相比128层改进25％，混合负载性能相比96层改进15％。

• 137****59122022/01/06

  美光作为主要的DRAM芯片供应商，曾在2012年收购尔必达之后，DRAM市占率曾一度跃居全球排名第二，然而市场竞争不断加剧，美光DRAM市占不断流失。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，2020年Q3 DRAM市场排名，三星以42.1%市占排名第一，SK海力士市占28.8%排第二，美光市占24.1%，显然与SK海力士市占差距明显。

• 186****89902022/01/03

  新型1α DRAM技术的突破使得业务又上了一个新台阶，作为我们多年供应商的重要合作伙伴，对性能提升和客户引入测试有什么新的应力和测试工具吗？DDR4当前常规物料也可以导入新技术？什么时候切呢？

• 150****97022022/01/02

  176层NAND将加速并扩大在移动、汽车、消费类等各个领域的增长机会。其独特的功能将提升和拓展从5G到人工智能、从边缘到云的各种应用中的存储能力。非常期待美光全新基于176层NAND的SSD产品，希望美光加大产品商用的进度，让各行业尽早受益。

• 188****87462021/12/29

  176层3D NAND技术 使用第二代替换栅极架构结合电荷阱及CMOS阵列下 (CuA) 设计，裸片尺寸比同类最佳的竞争产品缩小近30%，同时实现了闪存性能和密度的重大突破，使得读写延迟较上一代128层3D NAND产品降低25%以上，对闪存在数据湖、人工智能、大数据分析等工作负载中的应用起到极大推动作用。

• 166****69862021/12/29

  美光从0起步，变成全球前五大的NAND供应商，让我感到非常佩服，充分利用自己的专长，努力克服困难，坚持自主创新，这些都与成功是密不可分的

• 156****93552021/12/28

  美光的176层NAND是3D NAND技术的又一个重要里程碑，因为采用这一技术的闪存密度接近第一代3D NAND闪存的10倍。美光新的176层技术和其先进的架构代表了一项重大突破，可以促进应用于现代智能，5G，智能汽车，手机，电脑技术的有效发展。点赞yyds

• 136****05752021/12/27

  1α DRAM主要应用在那些领域？手机，服务器还是PC ? 内存密度提升40%, 功耗降低15%，看这些数据是很让人兴奋的。

• 158****58402021/12/26

  美光的 176 层 NAND 的密度是早期 3D NAND 的十倍，这项技术的突破意味着在以后，我们手机和电脑在尺寸不变的情况下，里面的数据存储量可以得到大幅提高

• 188****78422021/12/26

  美光176层3D NAND技术的确为边缘计算服务器和数据中心提供了强大的计算性能，但是在一些物联网硬件可能不需要这么强大的的计算性能，反而需要体积更小，更经济的方案

• 189****46892021/12/25

  "美光拥有数以万计的工程师和科学家。我为这支团队感到骄傲，也为自己身为团队一员而感到自豪。".啥时候能听见不止一个总裁能这么说，制造业才有希望。而不是强调情商，强调管理，强调行政。美光加油。

• 177****09722021/12/23

  美光应该是国产厂商吧，那可真是振奋人心的消息，美光出货了全球首款 176 层 NAND，技术上的革新和突破，为未来智能汽车、5G和AI等诸多现代和未来领域带来新的发展契机。 美光 1α 的 DRAM 代表了全球最好的制程技术，将大力帮助新能源、智能驾驶、移动通信走向高密度、高可靠性和稳定性的发展道路。美光坚持不断的突破与创新的理念，美光必将引领存储界的潮流。

• 156****98252021/12/23

  得益于新的闪存架构和堆叠技术，美光将176层闪存的厚度控制在45微米，基本上与早期的64层浮动栅极3D NAND相当，所以，即使在一颗芯片内封装16个Die，做到1TB的单颗容量，厚度也不会超过1.5毫米，可以轻松放入智能手机、存储卡。

• 138****50452021/12/23

  美光176层3D NAND 和1α. DRAM技术 独特技术 更强性能 应用广泛

• 180****46512021/12/23

  美光176层3D NAND，有没有可能存在功耗问题，需要增加散热片？目前深度有了，宽度有可能增加吗？

• 186****42792021/12/22

  美光DRAM技术已超越三星，台积电老总说的，看好美光跟台积电联合打造精品

• 139****74712021/12/22

  3D NAND 的投产是一件大事，它带来了更低的成本，实现了巨大的价值。美光的 176 层 NAND 成为一个重要的里程碑。这项技术所实现的密度是早期 3D NAND 的近 10 倍。10 倍密度意味着智能手机可以做更多事、存储更多内容，并且让更多人负担得起，同时提升他们的日常生活体验。我还期待我们的技术能够广泛应用于各种电子设备（包括云存储的基本结构单元）。

• 151****35812021/12/21

  176层3D NAND闪存是美光第二代替换闸(Replacement Gate)架构，是目前全球技术最为先进的NAND节点，相较于前代3D NAND相比，美光176层3D NAND闪存在读取及写入延迟方面提升35%。得益于新的闪存架构和堆叠技术，美光将176层闪存的厚度控制在45微米，基本上与早期的64层浮动栅极3D NAND相当，所以，即使在一颗芯片内封装16个Die，做到1TB的单颗容量，厚度也不会超过1.5毫米，可以轻松放入智能手机、存储卡。

• 186****49912021/12/21

  之前有用过96层，128层的nand，最近美光推出的 176 层 NAND 是业界密度最大、技术最先进的，通过将替换栅极（replacement gate）架构与CMOS阵列下架构设计相结合，实现了业界领先的数据传输速率。期待美光在3D堆叠领域，NAND可以走得更远吧。

• 137****38062021/12/19

  在汽车领域， Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司）是内存与存储解决方案领先供应商，它宣布批量出货基于 1α (1-alpha) 节点（目前世界上最为先进的 DRAM 技术）的 DRAM 产品。该制程是，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。

• 187****35712021/12/19

  在汽车领域，内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司）是我们控制器产品内存方案的重要供应商，它宣布批量出货基于 1α (1-alpha) 节点（目前世界上最为先进的 DRAM 技术）的 DRAM 产品。该制程是，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。我们对此表示祝贺，希望未来可以加强合作，一起迎接正在爆发中智能汽车领域。

• 150****02982021/12/19

  业界首款176层垂直架构NAND，同时层数最多NAND，优化结构设计和降低处理延时突破摩尔定律放缓的后时代，如此高密度晶粒如何通过巨量转移实现突破的？尺寸微型化，低延迟和高带宽传输如何降低成本面向未来的消费级市场…

• 130****28512021/12/19

  nand技术一直在不断更新，这也是nand一直作为主流的非易失性存储未被其它存储芯片替代的原因。这次镁光推出新一代具有创新架构的NAND,将继续巩固NAND在这一领域的垄断地位

• 180****81202021/12/18

  1α DRAM技术也是超低功耗技术吗，1α DRAM突破达到更高的内存密度，那么我们的手机等便携电子产品的体积可以做的越来越小，容量也越来越大。在人工智能AI领域，1α DRAM的容量和运算速率将会越来越受青睐

• 180****55782021/12/17

  176层NAND,提供更高的器件密度，大容量存储占用空间更小；数据传输率大幅提高；进一步提高存储效率。请问可靠性和安全性是否有质的提升？美光1α DRAM技术确实为DRAM技术提供质的突破，产品寿命是否也有大幅提升？

• 155****20612021/12/16

  不错，比同行更早选用更新更先进的器件，也就能吃到最早最大的蛋糕。3D NAND在这方面真是前进了一大步！

• 152****06582021/12/16

  美光的176 层 NAND 产品采用美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构，有同类型的技术优势吗？与美光的上一代大容量 3D NAND 产品相比，176 层 NAND 将数据读 取和写入延迟缩短了多少？能极大地提高了应用的性能吗？？

• 135****93512021/12/16

  176层NAND为创新提供了无限可能。对于我们开发者和制造商生态系统能够使用更快、更便宜的NAND闪存开展更多的工作，并制造出更好、更快、更小、更实惠的设备。我们还可以预测广阔的前景中会有更多的机遇和技术，在最新的闪存和3D NAND的支持下，将出现一些极具颠覆性的技术。让大家一起努力吧

• 186****73642021/12/16

  基于 1α (1-alpha) 节点的 DRAM 产品的制程是目前世界上最为先进的 DRAM 技术，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。这是继最近首推全球最快显存和 176 层 NAND 产品后，美光实现的又一突破性里程碑，进一步加强了公司在业界的竞争力。期待实际应用的效果。

• 131****13142021/12/16

  美光的176层3D NAND 技术和1α. DRAM技术两款产品真的是刷新的技术的认知，很强！176层的NAND将读写延迟降低了 35% 以上，混合工作负载性能高达 15%，而且尺寸还小了，将其应用到可视眼睛，连接大数据云指日可待。1α.DRAM技术与前一款产品比内存密度提升了 40%，相当于缩小了体积，便于未来手持终端设备的应用。

• 137****17242021/12/15

  美光的176 层 NAND 确实在业界内已经起到了加速并扩大移动、汽车、消费类等各个领域的增长机会，因此，这将进一步增强整个行业的竞争关系。其176 层 NAND独特的功能将提升和拓展 5G 到人工智能、从边缘到云的各种应用中的存储能力，是满足数据密集型工作负载日益增长的需求的最佳选择，尤其是在传统存储已达到极限的情况下，3D NAND 的这一创新无疑将加速闪存的应用。

• 159****65672021/12/15

  美光的176层3D NAND技术确实给人以极大的震撼，存储器的制造追求高容量、小体积、低功耗的表象，但是要达到这样的特性，却需要克服传统浮栅设计技术的障碍，而RG NAND技术做到了这一点，满足高性能的同时，也降低了成本，在目前市场上来说应该是具有极大的生机与活力的。RG NAND技术也是通过增加cell的思路来增加容量，但是减少了cell间电容耦合性问题，编程电压脉冲上升的时间缩小了一倍，延长了存储器的使用寿命，这是具有革命性的，从这一点上来说也是节省了成本，因为相同的时间需要更换的存储器的数量变少了。回望存储器的发展历史，一直都是向着扩容出发，总的来说，美光RG NAND技术克服了当前芯片扩容的技术壁垒，或许会成为未来NAND存储系统设计的首选。

• 131****05512021/12/14

  像我们这种想使用小尺寸解决方案的用户来说，选择美光的176层3D NAND是我们的福音。美光的新NAND闪存与其上一代大容量3D NAND相比，176层NAND将读取延迟和写入延迟提高了35％以上，从而极大地提高了应用程序性能，176层NAND紧凑型设计比同类竞争产品小30％的裸片尺寸，同时，176层NAND提供改进的服务质量，这是数据中心SSD的关键设计标准，可以加速数据密集型环境和工作负载，例如人工智能引擎和大数据分析方面都有很好的体现。在5G智能手机方面，增强的QoS可以更快地启动和跨多个应用程序进行切换，从而创建更加无缝和响应迅速的移动体验，并实现真正的多任务处理和5G低延迟网络的充分利用。希望我们和美光可以共同发展进步。

• 131****77012021/12/14

  美光推出的业界首款176层3D NAND同时将读写延迟降低了 35% 以上，混合工作负载性能提高达 15%，帮助数据中心、智能边缘和移动设备等环境下的存储应用实现更高性能。 期待消费级产品的量产,性价比合适的化,肯定是首选.

• 152****55792021/12/14

  美光闪存3D NAND与同类产品相比体积缩小30%，读取速度提高35%，只得下一个产品设计选择；1a DRAM内存将内存密度提升40%，功耗降低15%，改进效果明显，值得选用。

• 137****35722021/12/12

  美光的 1α 技术节点使内存解决方案更节能、更可靠，并为需要最佳低功耗 DRAM 产品的移动平台带来运行速度更快的 LPDDR5。美光为移动行业提供最低功耗的 DRAM 平台，实现了15% 的节能1，使 5G 用户在不牺牲续航的同时能在手机上进行更多任务操作。

• 177****77012021/12/11

  读写速度提高35%*，启动更快，应用程序响应性更高,相比于读写速度,个人更关心NAND在高频率读写下的使用寿命!

• 186****52162021/12/11

  美光推出的NAND将读写延迟降低 35% 以上，进一步提升了高速存储设备的性能，就是不知道抗干扰能力怎么样，1阿尔法技术进一步压缩芯片尺寸，对集成化水平进一步提高有着显著的作用

• 158****09152021/12/10

  美光 1α 节点是目前全球极先进的 DRAM 制程技术，助力数据中心、汽车、智能边缘、移动等领域的应用拥有更强的可靠性、更高内存密度、更好的节能效果及同类极佳性能。该技术还为美光未来的产品和内存创新打下了坚实的基础。

• 136****14312021/12/10

  美光通过Micron和Crucial品牌提供DRAM、NAND和NOR等多个种类的高性能内存以及存储产品组合。我们通过持续不断的创新，赋能数据经济发展，推动人工智能和5G应用的进步，从而为数据中心、智能边缘、客户端和移动应用提升用户体验带来更大的机遇。

• 185****67642021/12/10

  176 层 NAND带来了裸片尺寸比同类最佳的竞争产品缩小近30%、读写速度提高，启动更快，应用程序响应性更高；这么多的优势是不是可以取代已有的旧产品？什么时候可以取得更多的市场占有率？在选型的时候应该关注哪些关键指标？和传统NAND选型有哪些不一样呢？

• 176****24202021/12/10

  3D NAND 的投产是一件大事，它带来了更低的成本，实现了巨大的价值。美光的 176 层 NAND 成为一个重要的里程碑。这项技术所实现的密度是早期 3D NAND 的近 10 倍。10 倍密度意味着智能手机可以做更多事、存储更多内容，并且让更多人负担得起，同时提升他们的日常生活体验。我还期待我们的技术能够广泛应用于各种电子设备

• 178****98952021/12/10

  提高读写速度，降低延迟，降低功耗，支持美光！

• 173****80282021/12/10

  支持国产存储

• 135****76972021/12/10

  美光推出的业界首款176层3D NAND，突破性的硬件结构使得同时将读写延迟降低了 35% 以上，混合工作负载性能提高达 15%，帮助数据中心、智能边缘和移动设备等环境下的存储应用实现更高性能，镁光的技术是在存储前沿的，其先进的技术和成熟的发展是镁光在存储界排行前几位的保证，选择镁光，是正确的选择。

• 156****16372021/12/10

  1、Blog中提到3D NAND的投产是一件大事，它带来了更低的成本。按说工艺越复杂，良品率越低，成本会更高。美光176层的3D NAND是如何做到更低的成本的？ 2、176层3D NAND更高密度，更小体积，更快的读写速度，可以带给用户更好的使用体验。那么在高堆叠层数，高密度的情况下，美光是通过什么技术或者工艺降低层与层之间的相互干扰的，是如何保证其可靠性的？

• 137****28692021/12/10

  我们全新的 1α 技术将为手机行业带来 最低功耗的 DRAM，同时也使美光于数据中心、客户端、消费领域、工业和汽车领域的 DRAM 客户受益匪浅。内存和存储预计是未来十年增长最快的半导体市场，美光凭借领先业界的 DRAM 和 NAND 技术，将在这个快速增长的市场中立于不败之地。

• 130****23062021/12/10

  176层3D NAND 拥有独特的技术，优秀的性能以及更广泛的应用领域；尤其在智能驾驶和智能消费品领域有着独特的优势；其较小的空间尺寸，读写的较短延迟，优异的响应速度，在目前大数据时代都是比较拔尖和看重的着力点；未来很有前景~

• 135****74692021/12/10

  业界的好消息，读写速度都比以前的有显著提升，响应时间也有提升，更适合小型化产品，比如无人机上的控制板就可以应用到。

• 135****84902021/12/09

  难题为存储技术未来的发展瓶颈以及如何减少磨损均衡，防止电子漏电和错误bit，ecc校验算法，从而有效提高数据存储寿命，同时容量的增大以及读写速率提升也会带来多plane操作的难度

• 181****56932021/12/09

  DRAM在数据延迟和耐久性方面是最好的，而闪存技术如TLC、QLC是块存储应用的最佳选择。这两者如何更好地结合从而发挥系统的性能？尤其最新的1a DRAM问世，两者如何更好地去协调以及促进？

• 173****08952021/12/09

  美光最新一代1α DRAM内存节点提供8Gb至16Gb的密度，并为需要最佳低功耗DRAM产品的移动平台带来运行速度更快的LPDDR5，实现了15%的节能，使5G用户在不牺牲续航的同时能在手机上进行更多娱乐，音乐、游戏、追剧任你嗨。

• 136****32312021/12/09

  美光 176 层 NAND的极限存储密度进行了非常大的提升，这种技术的数据安全性是否提升？在医疗设备行业对数据安全的要求比较高，有存储的稳定性和安全性要求，另外存储的坏点检测技术和存储地址分配技术是否兼容或者更新？

• 183****66002021/12/09

  对比上一代的 1z DRAM 制程， 1α 技术将内存密度提升了 40%，功耗降低了 15%。可以说对移动终端来说是个大利好，特别是5G终端，在不牺牲续航的同时能在手机上进行更多任务操作。对5G的发展起到重要的推动作用

• 132****65572021/12/09

  MRAM比如STTRAM具有易于与逻辑半导体制程集成的优点，但是STTRAM数据延迟以及能耗稍高于DRAM，研究也发现DRAM仍然最适合低延迟易失性应用，那么最新的1α DRAM能否完全取代STTRAM技术。

• 152****79072021/12/09

  目前新能源汽车在市场很受推崇，1αDRAM拥有更强的可靠性以及更高内存密度，1αDRAM在新能源汽车中扮演什么角色，如何更好地提升新能源汽车的性能？提升内部的通信还是说数据的整合？

• 180****78152021/12/09

  1α DRAM比上一代1z DRAM的性能大幅提升，也是第一个10nm级别DRAM工艺，如果想用1α DRAM替换现有的1z DRAM，对于系统的结构或者其他的元器件是否也需要替换？防止出现大马力发动机配老爷车的情况出现。

• 189****35342021/12/09

  做出来世界首款176层3D NAND技术，将读写延迟降低了 35% 以上，混合工作负载性能提高达 15%，很厉害！ 1α 节点技术是目前全球极先进的 DRAM 制程技术，应用于数据中心、汽车、智能、移动等领域，节能、可靠、稳定特点突出，将为未来的产品创新打下了坚实的基础。