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shipeng

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纯净的硅（初级）
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发表于2017-4-18 11:58 只看该作者
 

无稳态多谐振荡器的修改电路深入讨论 [复制链接]

 
此贴源自另外一个贴的分支讨论，源贴：一个正5V转正负5V的电路。谁能给我讲解一下原理 谢谢https://bbs.eeworld.com.cn/forum ... 7593&fromuid=635666
(出处: 电子工程世界-论坛)
修改前电路

修改后电路


振荡器
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MrCU204
本帖最后由 MrCU204 于 2023-10-24 00:33 编辑 MrCU204 发表于 2023-10-22 21:26 Q1 饱和，C1 放电，Q2 截止， 但是，Q1 饱和谁支持，是 C2，  C2 的电流随充电而减小，但须足 ... 反而，RC并联，故意令 Rb略大于βRc， 当电容充电至某程度，Ib才开始减小至不足以让管子饱和，当管子关断后，电阻则正好成为电容信手拈來的放电渠道。   详情 回复 发表于 2023-10-24 00:21
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maychang

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发表于2017-4-18 17:24 只看该作者
 
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shipeng
嗯，这个我也认同，这个10uA的电流取决于三极管的hfe和Vcc值，Vcc/10K/HFE  详情 回复 发表于 2017-4-18 18:25
 
 
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PowerAnts

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五彩晶圆（高级）
沙发
发表于2017-4-18 12:13 只看该作者
 
请楼主给出, 每2秒闪一次的电路参数,谢谢!
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shipeng
革命有分工，我只负责改电路，你来负责计算  详情 回复 发表于 2017-4-18 14:02
 
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YesWatt艺瓦特电子科技有限公司

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maychang

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板凳
发表于2017-4-18 12:13 只看该作者
 
你画了红色细线之后电路，好像是分立三极管接成达林顿管？除了β很高，还有什么好处？
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shipeng
我这样做不是达林顿，达林顿管集电极是短路在一起的，而我这个，第二级三极管的集电极是当做负载输出的，这样做的初衷是为了隔离负载对振荡电路本身的影响，还有一个好处是重复利用了振荡过程中的电流不会额外消耗振  详情 回复 发表于 2017-4-18 13:32
 
 
 
 
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shipeng

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纯净的硅（初级）
4楼
 楼主| 发表于2017-4-18 13:32 只看该作者
 
maychang 发表于 2017-4-18 12:13
你画了红色细线之后电路，好像是分立三极管接成达林顿管？除了β很高，还有什么好处？

我这样做不是达林顿，达林顿管集电极是短路在一起的，而我这个，第二级三极管的集电极是当做负载输出的，这样做的初衷是为了隔离负载对振荡电路本身的影响，还有一个好处是重复利用了振荡过程中的电流不会额外消耗振荡电路中的电流
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maychang
“还有一个好处是重复利用了振荡过程中的电流不会额外消耗振荡电路中的电流” 这样？ 最好你画个修改后的电原理图贴出来。原图电源部分就别画了，那是大家都知道的东西。  详情 回复 发表于 2017-4-18 13:45
 
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maychang

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5楼
发表于2017-4-18 13:45 只看该作者
 
shipeng 发表于 2017-4-18 13:32
我这样做不是达林顿，达林顿管集电极是短路在一起的，而我这个，第二级三极管的集电极是当做负载输出的， ...

“还有一个好处是重复利用了振荡过程中的电流不会额外消耗振荡电路中的电流”
这样？
最好你画个修改后的电原理图贴出来。原图电源部分就别画了，那是大家都知道的东西。
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shipeng
完整的修改后电路是这样的：[attachimg]296153[/attachimg]  详情 回复 发表于 2017-4-18 14:26
 
 
 
 
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shipeng

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纯净的硅（初级）
6楼
 楼主| 发表于2017-4-18 14:02 只看该作者
 
PowerAnts 发表于 2017-4-18 12:13
请楼主给出, 每2秒闪一次的电路参数,谢谢!

革命有分工，我只负责改电路，你来负责计算
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PowerAnts
我可没闲功夫帮你算, 电路是你提出的, 那参数当然是你来提供了. 耍嘴皮子有意思吗?  详情 回复 发表于 2017-4-18 21:08
 
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shipeng

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纯净的硅（初级）
7楼
 楼主| 发表于2017-4-18 14:26 只看该作者
 
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maychang
此电路，如果Vcc上电时是很缓慢上升到额定值，那么可能出现Q1和Q2两管均截止状况，电路振荡不起来。  详情 回复 发表于 2017-4-18 15:02
 
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maychang

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超级版主
8楼
发表于2017-4-18 15:02 只看该作者
 
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shipeng
要看你慢到什么程度了，只要C1，C2流过电流三极管基极就有电流流过，只要不是慢到变态三极管都会有一个先饱和的  详情 回复 发表于 2017-4-18 17:16
 
 
 
 
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machinnneee

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一粒金砂（高级）
9楼
发表于2017-4-18 15:13 只看该作者
 
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shipeng

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纯净的硅（初级）
10楼
 楼主| 发表于2017-4-18 17:16 只看该作者
 
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maychang
不错。通常电源电压上升速度，两侧不会出现同时截止现像。出现这种现像的概率非常非常小。 但若说Q1Q2必有一支先达到饱和，这可未必。Q1Q2达到饱和，其基极电流至少要10uA以上。  详情 回复 发表于 2017-4-18 17:24
 
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shipeng

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纯净的硅（初级）
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 楼主| 发表于2017-4-18 18:14 只看该作者
 
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shipeng
好像又不妙，如果保证了反向充电速率要比正向充电速率慢，那这个循环好像也不可稳定持续，因为正向充的电总是会比反向充的多，所以最终这个电路还是不能深度充放电。  详情 回复 发表于 2017-4-18 18:51
 
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shipeng

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13楼
 楼主| 发表于2017-4-18 18:25 只看该作者
 
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maychang
不仅是“取决于三极管的hfe和Vcc值”，基极电流还与Vcc上升速度以及电容大小有关。 假定电源就是首帖图中的工频交流桥式整流获得，那么忽略整流滤波输入输出端电容C1C2C3C4影响(这些电容将使Vcc上升速度减慢)，又假  详情 回复 发表于 2017-4-18 19:06
 
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shipeng

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14楼
 楼主| 发表于2017-4-18 18:51 只看该作者
 
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PowerAnts
一口一个"(原电路)不能深度充放电", 你应该是想利用深度充放电节省RC积, 原因是因为Rc及C的值都不能太大. OK, 充电电流是指数下降的, hFE=200也只能获得5.3倍的等效RC积倍增,所以你那怕是用上了10K的Rc,要达到2秒闪  详情 回复 发表于 2017-4-18 21:27
 
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maychang

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发表于2017-4-18 19:06 只看该作者
 
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16楼
发表于2017-4-18 21:08 只看该作者
 
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17楼
发表于2017-4-18 21:27 只看该作者
 
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shipeng
应对你说的第一个问题还可以这样改[attachimg]296315[/attachimg]，这样的话由于Rc减小了，Rb增大了，C1，C2的充放电深度也没之前深了，假设D1，2压降为2V,三极管hfe=200，则C1，2电压变化范围：0.7-（VCC-0.44-0.7  详情 回复 发表于 2017-4-19 11:22
 
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18楼
发表于2017-4-18 22:21 只看该作者
 
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PowerAnts
不错, 经典双管多谐振荡器本身已经是过时的电路, 楼主还要画蛇舔足, 简单问题复杂化. 如果说单管交流电压放大器, 两个二极管的与门或非门还有一定的应用, 那是因为运放和逻辑IC相对于二三极管来说还是不太便宜. 就闪  详情 回复 发表于 2017-4-19 09:44
 
 
 
 
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19楼
发表于2017-4-19 09:44 只看该作者
 
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shipeng
这么说都是我的不对了，我们就应该墨守成规，什么都是经典的最好，不要做任何的创新尝试，这些都是徒劳无功？ 如果都用IC，IC的外部应用电路还有讨论价值吗？对大家提高模电水平能有多少帮助呢？这样的论坛谁还  详情 回复 发表于 2017-4-19 11:35
maychang
经典的双管多谐振荡器要改进，首先可以考虑采用互补三极管。一支NPN和一支PNP管构成的多谐振荡器只需要一支电容，这就省掉一支电容。而一支电容的成本在经典双管多谐振荡器中占比例不算很少。  详情 回复 发表于 2017-4-19 10:10
maychang
集成电路技术和工艺的发展，使得集成电路价格越来越便宜，性能越来越强大。 就两支LED交替闪烁发光这个目的，如果是我来搞，我准备用施密特输入反相器(或者施密特输入与非门)、一支电阻、一支电容构成多谐振荡器，  详情 回复 发表于 2017-4-19 10:07
 
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