13691982107 发表于 2018-7-18 15:30

低电压NAND flash介绍

低电压NAND flash介绍随着便携式设备和穿戴式设备的兴起,产品对于功耗的要求也是越来越严格,基本这类设备对于待机时间,工作时间都有相应的要求。然而普通的NAND flash的供电电压是3.3V,这样就导致整个NAND flash在读和写的时候,功耗会比较大。如果系统要频繁从NAND flash中获取数据,这样对于整个NAND flash的功耗又会增加,据此原因,ATO针对这类应该开发出来了1.8V的低电压,低功耗NAND flash。下面主要说明一下,ATO 1.8V 1Gb NAND flash的规格以及和3.3V NAND flash的对比。 图1    3.3V NAND flash的直流特性的指标 图21.8V NAND flash的直流特性指标。从上面两个图的对比可以看出,读,写,操作操作时,电流的指标是一样的。但是1.8V的电压值几乎是一半与3.3V,故功耗也几乎是3.3V 的一半。所以,对于功耗的节省是非常明显的。 深圳雷龙发展有限公司从事NANDFLASH行业10+年.目前代理ATO Solution小容量SLC NAND,SPI NAND,MCP等。想了解更多请咨询扣二八伍二扒二陆扒六八;电话一三陆玖一玖八二一零柒
页: [1]
查看完整版本: 低电压NAND flash介绍