NMOS应用在高端，需要自举电容叠加电压才能打开NMOS
<p>NMOS应用在高端，需要自举电容叠加电压才能打开NMOS<br /><br />
1.这里是不是有错误啊？应该是15V加电容电压Vc_boot？<br />
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2.既然NMOS在高端需要自举，为什么不直接用PMOS？用PMOS有哪些隐患和不好的地方</p>
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谢谢分享，我蹭点积分，要20个字，好像不太够？ 这个分析有点问题，要考虑负载侧的特性和电压，如果再q2关闭q1尚未打开的时候，vs点由load决定，但是能保证vs和vb压差是15v，因此ho能保证高于vs 15v，所以上管可以可靠导通 <p>只有load是电感时，并且电流过零（也就是q2关断的瞬间电流是流向半桥的），q2关断，电感电流会沿q1续流，此时vs才等于200v</p>
<p>如果电感电流连续，q2关断时vs是-0.7左右的</p>
<p>半桥无法连接电容，可以不用考虑</p>
<p>连接电阻的时候vs只要q1不开通，就是0v</p>
<p>这个关键的理解是q1开通后vs会升高，这个时候自举会保证不管vs怎么拉高，vb总是比他高15v就行了</p>
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<p>这个Rboot电阻该怎么选择，是作为限流电阻吗，但是负载功率一定，电压不变的情况下电流会随着这个电阻增大而增大，反而在这个电阻上的消耗功率也变大了</p>
wangshujun72 发表于 2025-1-21 11:28
只有load是电感时，并且电流过零（也就是q2关断的瞬间电流是流向半桥的），q2关断，电感电流会沿q1续流，此 ...
<p>vb电压为什么一定比Vs高15V？电流方向？</p>
<div class='shownolgin' data-isdigest='no'>QWE4562009 发表于 2025-1-21 13:52
vb电压为什么一定比Vs高15V？电流方向？
<p>vb和vs之间只要没有电流消耗，自举电容就能保持这个压差，实际上mos开通时cgs充电cds放电都要消耗一些电荷，但是一般自举电容的容量选择都是远大于那个充放电消耗的，因此只会稍稍降低</p>
</div><script>showreplylogin();</script><script type="text/javascript">(function(d,c){var a=d.createElement("script"),m=d.getElementsByTagName("script"),eewurl="//counter.eeworld.com.cn/pv/count/";a.src=eewurl+c;m.parentNode.insertBefore(a,m)})(document,523)</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>乱世煮酒论天下 发表于 2025-1-21 11:39
这个Rboot电阻该怎么选择，是作为限流电阻吗，但是负载功率一定，电压不变的情况下电流会随着这个电阻增大 ...
<p>rboot只适用于限值q2导通状态下自举电容的最大充电电流用于减少15v输入源的尖峰干扰</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>NMOS的工艺更成熟，相同情况下NMOS比PMOS内阻更小。驱动电路失效时NMOS是关断的，PMOS大概率是打开的。这写都是促使NOMS应用更广泛的原因。PMOS一般用来做防反接。</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>PMOS关断的话，需要很高的驱动电压，一般的驱动无法实现</p>
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