SiC碳化硅MOSFET功率模块及单管在充电桩电源模块中的应用
<div></div><p>目前主流车企均在布局高压快充车型，预计2026年800伏以上高压车型销量将过半，但我国适配高压快充的高压充电桩数量不足。为此，主流车企和充电运营商正加快研发推出大功率快充桩，<strong>亟需更耐高压、耐高温、更小型化的新型功率器件</strong>，以满足充电设备对效率和安全的更高要求。</p>
<p>作为第三代半导体材料，碳化硅具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等优异特性。与传统硅材料比较，<strong>碳化硅器件能有效满足充电桩设备耐高压、耐高温、更小型化新型器件的需求</strong>，帮助实现新能源汽车快速充电的目标。此外，碳化硅还能<strong>提高单位功率密度，减小模块体积并简化电路设计</strong>，对降低充电桩成本起到重要作用。</p>
<p>以前整IGBT模块，现在学习Sic器件，谢谢分享！</p>
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