进行电机驱动H电路中的MOS管选择?
<p>H电路的工作原理是通过控制四个开关管(‌两个N型MOS管和两个P型MOS管或者全部使用N型MOS管)‌的通断来改变电机供电的极性,‌从而实现电机的正反转、‌速度调节和制动等功能。‌</p><p> </p>
<p>将两个MOS管一上一下的方式放在一条直线上,叫做“半桥”,我们分别叫它上管和下管或者上臂和下臂,而两个半桥组合一起,就是H桥电路,正中心就是负载电机。</p>
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<p>那这四个MOS应该怎么选择呢?</p>
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<p>有人能给讲讲吗?</p>
<p>以前做吸尘器控制器时采用H桥驱动直流有刷电机,如果小功率电机可以直接用集成了H桥的驱动芯片。如果电机功率大,采用驱动芯片+NMOS</p>
<p>如果功率小可以使用三极管PNP+NPN 或上PMOS+下NMOS,如果功率比较大500W(个人经验)以下电压又不是很高110V(个人经验)以下,选择NMOS+驱动的模式。如果功率较大且电压较高110V以上可以使用IGBT+驱动的模式。IGBT的热损较大,所以工作电压需要高些。MOS的耐压不行,但是热损较小开关速度较快。近年来碳化硅的MOS的耐压较高,就是较贵。有些场合使用碳化硅也是不错的。例如:480V的电动车驱动</p>
<p>具体到全桥的MOS管选型,内阻要小,散热好的TO-220适合于有较大散热面积的应用,另外,成本问题是考虑的,选择NMOS多些</p>
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