IGBT 晶体：IKQ50N120CH7XKSA1，IKW08N120CS7XKSA1，IKQ75N120CH7XKSA1
<p>明佳达，星际金华供求 IGBT 晶体：IKQ50N120CH7XKSA1，IKW08N120CS7XKSA1，IKQ75N120CH7XKSA1</p><p> </p>
<p>电子集成电路 IKQ50N120CH7XKSA1 1200V 71A 晶体管</p>
<p>产品描述<br />
IKQ50N120CH7XKSA1 具有平滑的开关特性、极低的 VCE(sat)（1.30V（典型值））和非常紧密的参数分布。</p>
<p>特点<br />
短路稳健<br />
非常紧密的参数分布<br />
低栅极电荷 QG<br />
与快速软恢复发射极控制 3 二极管共同封装</p>
<p>IKW08N120CS7XKSA1 1200V 21A 106W IGBT 沟道现场止动通孔</p>
<p>产品描述<br />
IKW08N120CS7XKSA1 器件具有低栅极电荷 QG，与由 3 个二极管控制的快速软恢复发射极共同封装。</p>
<p>特性<br />
增加应用中的过压裕量<br />
减少所需的并联器件数量<br />
简单的栅极驱动设计</p>
<p>IKQ75N120CH7XKSA1 单 IGBT 1200V 82A 通孔晶体管</p>
<p>产品描述<br />
IKQ75N120CH7XKSA1 IGBT 具有非常紧凑的参数分布和 1 至 20kHz 的工作范围。</p>
<p>特点<br />
工作频率范围为 1 至 20kHz<br />
最高结温 150°C<br />
短路能力为 3µs<br />
防潮设计<br />
无铅电镀；符合 RoHS 规范</p>
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