flag2010 发表于 2024-10-12 22:01

PMOS作为PWM开关供电,输出的PWM电压信号负电压过冲电压时间过长,求解决

本帖最后由 flag2010 于 2024-10-13 12:04 编辑

<p>原理图见下图:电路中VBAT电压为3-4.2V,D401/D4稳压管为4.3V的稳压管。</p>

<p>Q6:NPN管子LMBT4401LT1G</p>

<p>Q7:PNP管子:LMBT4403LT1G</p>

<p>Q5:NMOS管子:LNTS4409NWT1G</p>

<p>Q403为AOS物料:AONR21117</p>

<p>VBAT即为负载的供电,供电电压为3V-4.2V,PMOS的Q403的下端接的负载为0.4欧姆的电阻。单片机的PWM输入信号为3.3V的方波信号,频率为20KHz.</p>

<p>此电路来自于:TI官网的一个pdf文件,也算是一个经典电路,第27页</p>

<p><a href="https://www.ti.com/lit/slua618" target="_blank">https://www.ti.com/lit/slua618</a></p>

<p> &nbsp;</p>

<p>此图为我所设计的电路:</p>

<p></p>

<p>&nbsp;&nbsp;</p>

<p>但是我测试发现,当PMOS_PWM信号输入PWM信号后,在0.4R两端测量到严重的负电压,并且时间非常长。见示波器波形,PWM开关频率为20KHz.</p>

<p> &nbsp;</p>

<p>有大佬帮忙解决一下应该如何优化改善负电压太长呢,让信号输出标准的方波信号?现在上升沿和下降沿开启信号看还是很快了啊。</p>

<p>后端尝试过C404使用10uF电容,但是严重削弱了上升沿和下降沿时间,输出的信号也不标准了。上图示波器测试的信号为C404为1uF电容的波形。</p>

<p>&nbsp;</p>

<p>&nbsp;</p>

Jacktang 发表于 2024-10-13 08:36

<p>都是C404闹腾的</p>

<p>把它去掉,再重新优化</p>

flag2010 发表于 2024-10-13 10:39

Jacktang 发表于 2024-10-13 08:36
都是C404闹腾的

把它去掉,再重新优化

<p>C404取消效果一样的,已经试过,负电压也是过长。并且负的幅度更大了。</p>

maychang 发表于 2024-10-13 11:11

<p>首帖图中P沟MOS管的1/2/3脚接到什么地方去了?此NET上还有什么元件?只有VBAT2357么?</p>

maychang 发表于 2024-10-13 11:13

<p>首帖图中三极管Q7的接法,无论如何也是错误的,电压方向就不对。</p>

<p>VBAT2357有多少V?</p>

davidzhu210 发表于 2024-10-13 11:19

<p>意图用Q6/Q7驱动MOSFET,但这个驱动电路严重错误。MOSFET的VTH是多少伏?另外MOSFET漏极接到哪里?把图给全才能分析</p>

flag2010 发表于 2024-10-13 12:07

<div class='shownolgin' data-isdigest='no'>maychang 发表于 2024-10-13 11:11
首帖图中P沟MOS管的1/2/3脚接到什么地方去了?此NET上还有什么元件?只有VBAT2357么?

<p>已经更新帖子,描述更完整了,烦请帮忙再看看。VBAT直接接的最高4.2V的电芯锂电池,工作电压范围为3V-4.2V。三极管的接法借鉴了TI官网的资料设计的。</p>
</div><script>showreplylogin();</script><script type="text/javascript">(function(d,c){var a=d.createElement("script"),m=d.getElementsByTagName("script"),eewurl="//counter.eeworld.com.cn/pv/count/";a.src=eewurl+c;m.parentNode.insertBefore(a,m)})(document,523)</script>

flag2010 发表于 2024-10-13 12:13

<div class='shownolgin' data-isdigest='no'>davidzhu210 发表于 2024-10-13 11:19
意图用Q6/Q7驱动MOSFET,但这个驱动电路严重错误。MOSFET的VTH是多少伏?另外MOSFET漏极接到哪里?把图给全 ...

<p>此电路借鉴于TI官方的资料里面的设计,烦请帮忙看看设计问题出在哪里.</p>

<p>驱动电阻0.4R的PMOS的VTH电压典型为-0.7V。详细规格见截图或者帖子的资料。烦请帮忙再看看具体出在哪里了。0.4R两端的输出除了关闭时候出现严重的负电压过长,开启的时候没有明显看到严重的过冲和振铃。</p>

<p> &nbsp;</p>
</div><script>showreplylogin();</script>

flag2010 发表于 2024-10-13 12:29

<div class='shownolgin' data-isdigest='no'> 本帖最后由 flag2010 于 2024-10-13 15:29 编辑

<div class="quote">
<blockquote><font size="2"><a href="forum.php?mod=redirect&amp;goto=findpost&amp;pid=3366960&amp;ptid=1295955" target="_blank"><font color="#999999">maychang 发表于 2024-10-13 11:13</font></a></font> 首帖图中三极管Q7的接法,无论如何也是错误的,电压方向就不对。 VBAT2357有多少V?</blockquote>
</div>

<p>意思Q7接2/3接反了,造成了PMPS关闭时候未得到G极和D极见的电压迅速释放?<br />
我将PNP管子2/3反接了,目前现象实际一样的。还是负电压时间太长了。</p>
</div><script>showreplylogin();</script>

davidzhu210 发表于 2024-10-13 18:46

<div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>楼主的意思是测电流?最大10A</p>

<p>&nbsp;</p>
</div><script>showreplylogin();</script>

davidzhu210 发表于 2024-10-13 19:57

<div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>0.4R出现负压,应该是PMOS的密勒效应造成的。减小R5试试看,或者换个管子看看。这个管子的Coss达770pF,比较大</p>
</div><script>showreplylogin();</script>

flag2010 发表于 2024-10-23 16:57

<div class='shownolgin' data-isdigest='no'>davidzhu210 发表于 2024-10-13 19:57
0.4R出现负压,应该是PMOS的密勒效应造成的。减小R5试试看,或者换个管子看看。这个管子的Coss达770pF,比较 ...

<p>我换了一颗新洁能PMOS(型号NCE30P25Q)效果还是不太理想,直接把G级电压拉高到5V去了。</p>

<p> &nbsp;</p>

<p>&nbsp;</p>
</div><script>showreplylogin();</script>
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