晶体管怎么由基极电流控制其所处区域？
<p>晶体管有三个区域，截止区，放大区，饱和区，在模拟电路中要避免晶体管进入截止区和饱和区，而在数字电路晶体管处在截止区和饱和区，由晶体管的传输特性曲线，是否可以理解为当基极电流很小或者很大时，晶体管处在截止区和饱和区，当基极电流处在某个范围之内晶体管处在放大区？</p><p>对晶体管来说，处在截止区集电极电流很小，处在放大区集电极电流只和基极电流成比例，处在饱和区集电极电流不受基极电流控制。是否可以近似认为由基极电流控制晶体管的状态？而且有截止区向饱和区转移必须经过放大区？这也是IGBT开通的一部分过程？</p>
<p>【是否可以理解为当基极电流很小或者很大时，晶体管处在截止区和饱和区，当基极电流处在某个范围之内晶体管处在放大区？】</p>
<p>看看双极型三极管的传输特性曲线，全有了。</p>
<p>注意：三极管是否处于饱和，不仅与基极电流有关，还与集电极电压有关。</p>
<p>楼主先别给自己画圈圈束缚自己</p>
<p>先把晶体管分为在模拟电路和数字电路的如何如何</p>
<p>晶体管是通过基极，对于NPN或PNP型晶体管的电流来控制集电极与发射极之间的电流，这是对的。</p>
<p>晶体管的工作状态取决于基极电流的大小，也包括集电极-发射极之间的电压Vce。</p>
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<p>模拟电路，希望晶体管工作在放大区，避免非线性的失真。</p>
<p>数字电路中，被用作开关，因此会使其工作在截止区和饱和区之间切换。</p>
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<p>数字电路中，具体转换是，基极电流足够大时，晶体管进入饱和区，作为闭合的开关</p>
<p>基极电流非常小或没有时，进入截止区，作为打开的开关。</p>
本帖最后由 乱世煮酒论天下 于 2024-8-18 15:46 编辑
<div class="quote">
<blockquote><font size="2"><a href="forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=3353737&ptid=1290876" target="_blank"><font color="#999999">qwqwqw2088 发表于 2024-8-18 08:55</font></a></font> 数字电路中，具体转换是，基极电流足够大时，晶体管进入饱和区，作为闭合的开关 基极电流非常小或没有时 ...</blockquote>
</div>
<p>主要是晶体管和MOS管的转移特性曲线有很大区别，容易搞混；</p>
<p>1、晶体管的饱和区是指两个PN结均为正向偏置，集电极-发射极电压基本上视为常数或者是饱和的；</p>
<p>2、而MOS管的饱和区是指MOS管晶体管工作在沟道仅在源区连续而漏区被夹断的模式下，这时漏极电流基本上都可以视为常数或者说是饱和的；</p>
<p>MOS管栅极电压控制沟道电阻，当栅极电压很小达不到阈值门槛电压的时候，MOS管工作在截止区；当栅极电压很大的时候，沟道电阻很小，MOS管工作在可变电阻区，即此时MOS管沟道电阻完全由栅极电压控制，可以看作一个压控电阻；当MOS管栅极电压在一定范围内，漏源极电压也存在于一定范围时，MOS管工作在放大区或者叫夹断区，漏极电流基本完全由栅极电压控制，漏源极电压基本不会影响漏极电流，可以看作一个压控恒流源。</p>
<p>从MOS管和晶体管的转移特性曲线，再结合MOS管和晶体管合成IGBT，分析IGBT的开通工作过程，想到两种过程不知道哪种是对的：</p>
<p>1、当栅极电压达到阈值电压时，MOS管先开通，此时栅极电压是否是要快速达到一个很大的值，使得MOS管快速进入可变电阻区，使得MOS管源漏电阻很小，这时使得IGBT的集电极C经过MOS管源漏电阻形成一个很大的基极电流，这个很大的基极电流使得晶体管进入饱和区，饱和的晶体管CE电压很小基本在0.3到0.5V之间，满足了使用晶体管的优点饱和压降低；</p>
<p>2、当栅极电压达到阈值电压时，MOS管先开通，但是此时MOS管进入恒流区，就是MOS管进入夹断区，当然这个电流也可以很大，集电极电压相对于MOS管的漏极电压只高出一个二极管压降的电压，这个MOS管虽然工作在夹断区，但是漏极电流很大使得晶体管也快速进入饱和区，使饱和的晶体管饱和压降很小。</p>
<div style="text-align: center;"></div>
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<div class='shownolgin' data-isdigest='no'> 本帖最后由 qwqwqw2088 于 2024-8-18 17:18 编辑
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<blockquote><font size="2"><a href="forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=3353764&ptid=1290876" target="_blank"><font color="#999999">乱世煮酒论天下 发表于 2024-8-18 15:02</font></a></font> 主要是晶体管和MOS管的转移特性曲线有很大区别，容易搞混； 1、晶体管的饱和区是指两个PN结均为正向 ...</blockquote>
</div>
<p>这种长篇大论的问题，一定是从那里复制过来的。</p>
<p>读了几遍，两种描述都是对的，只是侧重点不同。</p>
<p>1是说MOS管快速进入可变电阻区对晶体管基极电流的影响，<br />
2是说MOS管在恒流区（IGBT中的夹断区）对晶体管饱和的影响</p>
</div><script>showreplylogin();</script><script type="text/javascript">(function(d,c){var a=d.createElement("script"),m=d.getElementsByTagName("script"),eewurl="//counter.eeworld.com.cn/pv/count/";a.src=eewurl+c;m.parentNode.insertBefore(a,m)})(document,523)</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>需要纠正一下，</p>
<p>MOS管好像没有“夹断区”这个术语，这是IGBT的工作区域，</p>
<p>在MOS管中，是用“饱和区”来说漏极电流基本恒流的</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>乱世煮酒论天下 发表于 2024-8-18 15:02
主要是晶体管和MOS管的转移特性曲线有很大区别，容易搞混；
1、晶体管的饱和区是指两个PN结均为正向 ...
<p>MOS管是单极型晶体管，由栅极和源极之间的电压控制<br />
IGBT是MOS管和一个PNP管整合的，是栅极驱动器，控制PNP晶体管的导通和截止的，<br />
二者不一样，别混淆</p>
<p>这种书上网上手机上随便可以查得到。</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>qwqwqw2088 发表于 2024-8-18 17:13
MOS管是单极型晶体管，由栅极和源极之间的电压控制
IGBT是MOS管和一个PNP管整合的，是栅极驱动器，控制P ...
<p>IGBT是MOS管和晶体管整合而成的，IGBT的开通是否可以看作开通MOS管进而开通晶体管的过程？</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>乱世煮酒论天下 发表于 2024-8-18 17:27
IGBT是MOS管和晶体管整合而成的，IGBT的开通是否可以看作开通MOS管进而开通晶体管的过程？
<p>【IGBT的开通是否可以看作开通MOS管进而开通晶体管的过程？】</p>
<p>可以。</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>乱世煮酒论天下 发表于 2024-8-18 17:27
IGBT是MOS管和晶体管整合而成的，IGBT的开通是否可以看作开通MOS管进而开通晶体管的过程？
<p>【IGBT是MOS管和晶体管整合而成的】</p>
<p>类似的使用两个双极型三极管【整合】成一个管子，叫复合管。达林顿管即复合管之一。</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>学习了</p>
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