MOS管开通的米勒效应
<p>1、MOS管开通过程</p><p>第一阶段，Vgs开始上升，Vds和Id保持不变，这个阶段驱动电流为栅极电容Cgs充电，一直到Vgs到达阈值Vgs(th)，这个阶段MOS管处于截止区。</p>
<p>第二阶段，MOS管开始导通，Id开始有电流并逐步增加，在电流增长区间，Id达到做大电流，Vds略有下降，因为下降的di/dt在杂散电感上产生了一定压降，导致Vds有一定下降，MOS管进入饱和区。</p>
<p>第三阶段，在Id电流到达最大时刻即进入米勒平台，米乐平台就是Vgs在一段时间几乎不变的一个阶段，在饱和区存在跨导特性，Id=Vgs*gm，由此式可以得出，Id不变Vgs就不变，在这个阶段由于Id已经到达最大值，所以Vgs基本不变，所以是维持米勒平台的阶段。</p>
<p>第四阶段，驱动电流为Cgd充电，并导致Vds下降，由于Cgd电容大小变化由快到慢，所以Vds下降速度速度逐渐减缓。若要退出米勒平台，必须进入线性区，当Vds等于此时的Vgs-Vg(th)时，MOS管进入线性区，此时Vds的大小由Rds和Id决定，同时驱动电流继续为Cgs和Cgd充电，Vgs开始恢复并继续上升，MOS管基本导通。</p>
<p>2、米勒效应的影响</p>
<p>dv/dt振荡，当MOS管两端电压迅速上升的时候，通过Cgd所产生的电流在MOS管GS两端寄生电阻上产生的压降大于开启电压时，会使MOS管导通。</p>
<p>米勒振荡，MOS管的输入和输出是反向，当开关速度比较快时，引线电感和寄生电容引起振荡导致MOS管损坏加剧。</p>
<p>3、如何应对米勒效应</p>
<p>减缓驱动强度，栅极串入电阻降低开关频率。</p>
<p>在GS极之间并接瓷片电容，但是为什么是增加电阻电容值缩短充放电时间，应该是并联电容，容值增大，充电速度也会降低。</p>
<p>差异化放电，利用关断时增加二极管或者关断时直接短路GS.</p>
<p>MOS管的输出特性曲线到底哪个是线性区哪个是饱和区？我看不同的资料有不同的解区分。自己做了一个仿真如下图。对米勒效应的理解不知道对不对，请指教。</p>
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<p> </p>
<p>【因为下降的di/dt在杂散电感上产生了一定压降】</p>
<p>不是下降的 di/dt ，此阶段电流上升，di/dt 为正。</p>
<p>也不是在【杂散电感】上产生压降，而是在MOS管漏极负载上产生压降。只有MOS管漏极接负载才会产生米勒效应，因为共源极电路输出输入反相。共门极电路和共漏极电路漏极无负载，是没有米勒效应的。</p>
<p>【减缓驱动强度，栅极串入电阻降低开关频率】</p>
<p>恰恰相反。</p>
<p>【第四阶段，驱动电流为Cgd充电，并导致Vds下降……】</p>
<p>整个第四阶段，叙述错误。</p>
<p>因为MOS管漏极源极之间电压不再降低（Vds不再下降），所以退出米勒平台。</p>
<p>版主还是有真功夫呀！</p>
<p>减缓驱动强度，栅极串入电阻降低开关频率。</p>
<p>在GS极之间并接瓷片电容，但是为什么是增加电阻电容值缩短充放电时间，应该是并联电容，容值增大，充电速度也会降低</p>
<div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>建议静下心看看附件这篇文章，MOSFET导通过程以及米勒效应讲解的很详细</p>
<p> </p>
</div><script>showreplylogin();</script><script type="text/javascript">(function(d,c){var a=d.createElement("script"),m=d.getElementsByTagName("script"),eewurl="//counter.eeworld.com.cn/pv/count/";a.src=eewurl+c;m.parentNode.insertBefore(a,m)})(document,523)</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>maychang 发表于 2024-7-2 07:24
【减缓驱动强度，栅极串入电阻降低开关频率】
恰恰相反。
<p>这个为什么，栅极驱动可以等效为一个RC一阶电路，电阻越大上升时间越长，不是这样吗？</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>乱世煮酒论天下 发表于 2024-7-2 11:00
这个为什么，栅极驱动可以等效为一个RC一阶电路，电阻越大上升时间越长，不是这样吗？
<p>【这个为什么，栅极驱动可以等效为一个RC一阶电路，电阻越大上升时间越长，不是这样吗？】</p>
<p>你在首帖中是这样说的【减缓驱动强度，栅极串入电阻降低开关频率】 。门极串入一个小电阻，确实与米勒电容构成一个一阶电路，使得漏极电流上升下降时间变长一些。但，第一开关频率没有变，不是【降低开关频率】。第二串入电阻目的不是【应对米勒效应】，而是降低开关电源对其它用电设备的干扰。</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>beyond_笑谈 发表于 2024-7-2 09:38
建议静下心看看附件这篇文章，MOSFET导通过程以及米勒效应讲解的很详细
<p>这个文章写得很详细，果然是外来的和尚会念经</p>
<p>谢谢分享</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>3、如何应对米勒效应</p>
<p>减缓驱动强度，栅极串入电阻降低开关频率。</p>
<p>在GS极之间并接瓷片电容，但是为什么是增加电阻电容值缩短充放电时间，应该是并联电容，容值增大，充电速度也会降低。</p>
<p>以楼主这个描述，的确是需要看看附件的那篇文章 how to turn on a mosfet</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>beyond_笑谈 发表于 2024-7-2 09:38
建议静下心看看附件这篇文章，MOSFET导通过程以及米勒效应讲解的很详细
<p>谢谢分享，文章写得很详细</p>
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