选择低功耗SRAM作为嵌入式系统外扩RAM

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嵌入式系统的硬件能力决定在它的性能，而一个编写完美的软件纵使可以利用硬件的所有能力去达到最大的性能，但是在低效的硬件中依旧会影响着系统性能，

一直以来嵌入型系统在结构上没有多大的变化，图1为典型嵌入式系统的框图，一个微控制器和一个微处理器为系统核心，系统设计人员可以根据具体应用需求删减接口和外设，如出现内置存储器容量不足，需要使用到闪存，SRAM,DRAM等外置存储器，一般来说闪存用于存储控制器执行代码，而SRAM用于存储运行时临时变量和保持重要的应用数据块。

图1：一个典型嵌入式系统的框图

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在做嵌入型系统是一般考虑功耗预算和性能的之间去衡，如果性能较为重要，可以选择速度较快的组件去弥补较高的功耗预算，反之，如果功耗是比较重要的话，设计人员会选择功耗最低的组件来设计（特别是针对电池型），因此，嵌入式系统通常分为三类：

1. 永远“处于开机状态”的系统：此类系统可保证它们能够从一个不间断电源获得电能。这些系统是高性能系统，可以最高的运行频率工作。

2. 电池供电型系统：一块板载电池是此类系统的唯一电源（如手机）。虽然性能是此类系统的一个重要标准，但更长的电池续航时间最为重要。因此，这些系统使用功耗最低的组件。

3. 电池支持性系统：此类系统必需能够可靠地运行，即使在失去板载电源的情况下也是如此。为了在断电时避免丢失重要数据，系统设计人员会提供一块小电池（通常是一颗240mAh的纽扣电池），以便为SRAM保留等功能提供备用电源，并维持实时时钟（RTC）。

在正常的工作状态中，电池支持型系统使用可使用电源工作，根据存储器的映射，从闪存中提取代码，后将结果存储到SRAM中，所以在断电的情况下，这些数据有可能产生丢失的情况，因此SRAM需要一块备用板载电池做支持，以便系统断电而可以保持数据不丢失，正常运行时，板载电源负责为系统供电；断电时，一块监控芯片将把SRAM的电源切换到板载电池，并将SRAM置于待机模式，图2显示了电池支持型系统中SRAM的典型功耗，在电池在持续保持有电的情况下，系统会一直处于该模式下，，一般来说，这类存储芯片需要1ms－10ms完成。这段时间系统不会受到影响，这是因为控制器也需要同样长的时间完成其上电复位程序。

图2：电池支持型系统的功耗模式

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当然这类系统设计完后，一般情况下维修起来是很麻烦的，所以在设计中电池的续航能力很重要。这时，系统设计人员会采用相对性低功耗的SRAM，一般一个16Mb高速SRAM搭配电池使用的话，电池的续航能力估计只能够提供12小时的电力，而一个低功耗SRAM却可以提供长达三年的电池续航时间。

表一：SRAM产品组合

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产品目录可供选型参考： (, 下载次数: 0)

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我司有代理低功耗sram产品

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会采用相对性低功耗的SRAM，一般一个16Mb高速SRAM搭配电池使用的话，电池的续航能力估计只能够提供12小时的电力，而一个低功耗SRAM却可以提供长达三年的电池续航时间。

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电池供电系统使用低功耗SRAM延长电池续航能力！

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Density	Org.	P/N	Vcc(V)	Speed(ns)	Package
16Mbit	1M  x 16	VTI516NB16	3.3	45/55	48BGA
8Mbit	512K  x 16	VTI508NL16	3.3	45/55	44TSOP2
8Mbit	512K  x 16	VTI508NL16	3.3	45/55	48BGA
8Mbit	1M  x 8	VTI508HB08	5	45/55	48BGA
8Mbit	1M  x 8	VTI508HB08	5	45/55	44TSOP2
8Mbit	512K  x 16	VTI508NB16	3.3	45/55	48BGA
8Mbit	512K  x 16	VTI508NB16	3.3	45/55	44TSOP2
8Mbit	1M  x 8	VTI508NB08	3.3	45/55	48BGA
8Mbit	1M  x 8	VTI508NB08	3.3	45/55	44TSOP2
8Mbit	512K  x 16	VTI508HB16	5	45/55	48BGA
8Mbit	512K  x 16	VTI508HL16	5	45/55	48BGA
8Mbit	512K  x 16	VTI508HL16	5	45/55	44TSOP2

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可以参考以上低功耗SRAM型号

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采用相对性低功耗的SRAM，一般一个16Mb高速SRAM搭配电池使用的话，电池的续航能力估计只能够提供12小时的电力，而一个低功耗SRAM却可以提供长达三年的电池续航时间。

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采用相对性低功耗的SRAM，一般一个16Mb高速SRAM搭配电池使用的话，电池的续航能力估计只能够提供12小时的电力，而一个低功耗SRAM却可以提供长达三年的电池续航时间。

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VTI科技公司psram产品容量有64/32/16Mb.可以使用SPI/Quad SPI接口进行RAM的扩展，供电电压3.3/1.8V,最高时钟为133MHz

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业内容量最大、速度最快的四款串口serial SRAM新器件，VTI的串口SRAM工作电压目前为3.3V,品牌VTI的容量可以高达64Mbit，，而且为8引脚的封装8-SOIC设计，更适合体积较小的应用产品，串口SRAM广泛适用于汽车和工业应用。器件可通过四路SPI或SQI协议可实现高达80 Mbps的速度，为卸载图形、数据缓冲、数据记录、显示、数学、音频、视频及其他数据密集型功能提供所需的近乎瞬时数据传送及零写入时间。

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会采用相对性低功耗的SRAM，一般一个16Mb高速SRAM搭配电池使用的话，电池的续航能力估计只能够提供12小时的电力，而一个低功耗SRAM却可以提供长达三年的电池续航时间。

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会采用相对性低功耗的SRAM，一般一个16Mb高速SRAM搭配电池使用的话，电池的续航能力估计只能够提供12小时的电力，而一个低功耗SRAM却可以提供长达三年的电池续航时间。

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英尚微电子 发表于 2018-4-28 11:40
会采用相对性低功耗的SRAM，一般一个16Mb高速SRAM搭配电池使用的话，电池的续航能力估计只能够提供12小时的 ...

支持楼主

zhuyebb

会采用相对性低功耗的SRAM，一般一个16Mb高速SRAM搭配电池使用的话，电池的续航能力估计只能够

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低功耗SRAM可以作为外扩资源的选择，特别是需要电池作为后备电源的应用设备中更需要低功耗内存设置来延长待机的时间

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会采用相对性低功耗的SRAM，一般一个16Mb高速SRAM搭配电池使用的话，电池的续航能力估计只能够提供12小时的电力，而一个低功耗SRAM却可以提供长达三年的电池续航时间。

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低功耗SRAM可以作为外扩资源的选择，特别是需要电池作为后备电源的应用设备中更需要低功耗内存设置来延长待机的时间

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