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一粒金砂(中级)

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关于mos管的问题 [复制链接]

如下图,是我利用mos管设计的一个开关电路。我的目的是:当EN1为高电平时,VOUT1不输出12v电压;当EN1为低电平时,VOUT1输出12v电压。Q5 mos管型号是IRF9540ns。现在出现的情况是这样的,无论Q5栅极输入高电平还低电平,mos管都是导通的,试过在源极接一个电阻到地,但是也没有效果。注:Q1和Q3正常。求大神指点。。。。。。






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QQ截图20150707151449.png
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Q3前的二极管要去掉,不然就如9楼朋友所说,栅极电荷没处泄放了。  详情 回复 发表于 2015-7-7 16:45
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注意P管的极性。

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没有啊,是这样。  详情 回复 发表于 2015-7-7 16:08
 
 
 

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P沟管接反了,导通的是P沟管内部的寄生二极管。
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没有反吧,网上都是这样的啊。  详情 回复 发表于 2015-7-7 16:09
 
 
 

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仙猫 发表于 2015-7-7 15:58
注意P管的极性。

没有啊,是这样。

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一粒金砂(中级)

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Q5的D和S接反了。
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maychang 发表于 2015-7-7 16:03
P沟管接反了,导通的是P沟管内部的寄生二极管。

没有反吧,网上都是这样的啊。
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[attachimg]205265[/attachimg] 是这样的。  详情 回复 发表于 2015-7-7 16:34
 
 
 

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一粒金砂(中级)

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谢谢各位的热心回答,真的是接反了,献丑了,呵呵。
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纯净的硅(高级)

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用万用表测量Q3的GS的电压,你这个G点,没有电容泄放回路,建议G脚下拉100K到地
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好的,谢谢!  详情 回复 发表于 2015-7-7 16:50
 
 
 

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brain发烧友 发表于 2015-7-7 16:09
没有反吧,网上都是这样的啊。



是这样的。
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画封装要看芯片的DataSheet,一般不会走眼。
IRF9540是P沟道,它的DataSheet有它的标准像
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裸片初长成(初级)

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Q3前的二极管要去掉,不然就如9楼朋友所说,栅极电荷没处泄放了。
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一粒金砂(中级)

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fxyc87 发表于 2015-7-7 16:19
用万用表测量Q3的GS的电压,你这个G点,没有电容泄放回路,建议G脚下拉100K到地

好的,谢谢!
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