LM3S中断Bit-banding技术

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LM3S中断Bit-banding技术 [复制链接]

Bit-banding技术,

即给每个bit位建立一个对应的别名,通过别名来直接访问此bit

1MB的RAM给了32MB的别名空间,一个Byte也就需要8个别名,却给了32个空间,所以将别名空间的低2位不用,常为0.这样就使1MB的RAM空间和32MB的别名空间一一对应了.

 

Cortex-M3存储器映像包括两个位段(bit-band)区。这两个位段区将别名存储器区中的每个字映射到位段存储器区的一个位，在别名存储区写入一个字具有对位段区的目标位执行读-改-写操作的相同效果。

 

在STM32F10x里，外设寄存器和SRAM都被映射到一个位段区里，这允许执行单一的位段的写和读操作。

 

下面的映射公式给出了别名区中的每个字是如何对应位带区的相应位的：

bit_word_addr = bit_band_base + (byte_offset x 32) + (bit_number × 4)

其中：

- bit_word_addr 是别名存储器区中字的地址，它映射到某个目标位。

- bit_band_base 是别名区的起始地址。

- byte_offset 是包含目标位的字节在位段里的序号

- bit_number 是目标位所在位置（0-31）

下面的例子说明如何映射别名区中SRAM地址为0x20000300的字节中的位2：

0x22006008 = 0x22000000 + (0x300*32) + (2*4).

对0x22006008地址的写操作和对SRAM中地址0x20000300字节的位2执行读-改-写操作有着相同的效果。

 

读0x22006008地址返回SRAM中地址0x20000300字节的位2的值(0x01 or 0x00)。

LM3S的位操作
Bitband是位操作的范例，LM3S的库有几个宏非常有用，在hw_types.h下 

#define HWREG(x)                                                              \

        (*((volatile unsigned long *)(x)))

#define HWREGH(x)                                                             \

        (*((volatile unsigned short *)(x)))

#define HWREGB(x)                                                             \

        (*((volatile unsigned char *)(x)))

#define HWREGBITW(x, b)                                                       \

        HWREG(((unsigned long)(x) & 0xF0000000) | 0x02000000 |                \

              (((unsigned long)(x) & 0x000FFFFF) << 5) | ((b) << 2))

#define HWREGBITH(x, b)                                                       \

        HWREGH(((unsigned long)(x) & 0xF0000000) | 0x02000000 |               \

               (((unsigned long)(x) & 0x000FFFFF) << 5) | ((b) << 2))

#define HWREGBITB(x, b)                                                       \

        HWREGB(((unsigned long)(x) & 0xF0000000) | 0x02000000 |               \

               (((unsigned long)(x) & 0x000FFFFF) << 5) | ((b) << 2))