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MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行了? [复制链接]

一、MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行了?

 

MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。

 

 

 

静电击穿一般分为两种类型:

 

一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;

二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。

 

二、MOS管被击穿的原因及解决方案?

 

第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压 (U=Q/C),将管子损坏。

 

虽然MOS输入端有抗静电的保护措施,但仍需小心对待,在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。

 

组装、调试时,工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时,使用的设备必须良好接地。

 

第二、MOS电路输入端的保护二极管,其导通时电流容限一般为1mA,在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入保护电阻。因此应用时可选择一个内部有保护电阻的MOS管应。

 

还有,由于保护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地,以防漏电击穿器件的输入端,一般使用时,可断电后利用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚。

 

三、MOS栅源(G-S)极下拉电阻有什么作用?


MOS是电压驱动元件,对电压很敏感,悬空的G很容易接受外部干扰使MOS导通,外部干扰信号对G-S结电容充电,这个微小的电荷可以储存很长时间。

 

 

在试验中G悬空很危险,很多就因为这样爆管,G接个下拉电阻对地,旁路干扰信号就不会直通了,一般可以10~20K。这个电阻称为栅极电阻。

 

作用1:为场效应管提供偏置电压;

 

作用2:起到泻放电阻的作用(保护栅极G~源极S)。

 

 

第一个作用好理解,这里解释一下第二个作用的原理。保护栅极G~源极S,场效应管的G-S极间的电阻值是很大的,这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压,

 

如果不及时把这些少量的静电泻放掉,他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作,甚至有可能击穿其G-S极。这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉,从而起到了保护场效应管的作用。

 

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大功率的MOS管是工作在开关状态,要么全开,导通的电阻小,能通过大电流,要么就是全部断开,实际上的漏电流是很小的,实际测试是在微A,关断时有1mA的漏电流在功放上是不能用的了。 因此驱动电路的负载能力是很重要的,三极管驱动IRF530,再推动5个IRFP260M的管子工作了。正常工作时,GS的波形必须是方波,低电位必须是0V,高电位是12V或15V了。   详情 回复 发表于 2024-1-19 16:41
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一粒金砂(中级)

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之前遇到MOS管损坏的,原来还有可能是这个原因
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静电放电会在 MOSFET 的输入端(Gate)积累一定的电荷,从而使 MOSFET 的栅极电压发生变化,导致 MOSFET 的关断电压与开启电压发生偏移,甚至可能会使 MOSFET 出现损坏,无法正常工作。

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五彩晶圆(中级)

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MOS的输入阻抗,是实体电阻,电阻愈高,储积静电就愈容易,

耐压能力建基于高的电阻,所以,耐压这个指标 是属于绝缘体的,但是,能耐的其实不是电压而是  场强 !

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好长时间不见哈    详情 回复 发表于 2023-6-20 07:21
 
个人签名理论还需理论解!
 
 
 

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hk6108 发表于 2023-6-20 01:18 MOS的输入阻抗,是实体电阻,电阻愈高,储积静电就愈容易, 耐压能力建基于高的电阻,所以,耐压这个指 ...

好长时间不见哈

 

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MOS管的输入电阻(门极电阻)通常是非常高的,这意味着它对输入信号的电流要求非常低。然而,当MOS管遭受静电放电时,可能会发生以下情况导致其不正常工作:  静电放电造成过电压:静电放电可以引起瞬时的高电压脉冲,超过了MOS管的耐压能力。这可能导致MOS管击穿或损坏,使其无法正常工作。  静电放电造成输入极间电荷积累:静电放电可以导致输入极(门极)附近的电荷积累。这些积累的电荷可能改变MOS管的门电压,导致其工作状态不稳定或失效。  静电放电造成门极电流:静电放电可以产生高能量的电流脉冲,可能通过MOS管的输入结构进入门极。这种电流脉冲可能超过了MOS管的耐受能力,导致其损坏或瞬时失效。  为了保护MOS管免受静电放电的影响,常见的做法包括使用保护电路、静电消散器件、瞬态电压抑制器等。这些保护措施可以将静电放电的能量分散或抑制,以保护MOS管的正常工作。此外,在设计电路时,还可以考虑增加输入端的防护电阻或使用静电放电保护器件,以减少静电放电对MOS管的影响。  需要注意的是,静电放电对电子器件的影响不仅限于MOS管,其他器件也可能受到类似的影响。因此,在处理和操作电子器件时,要注意静电防护措施,如使用静电防护设备(如静电手环、静电垫等),避免直接接触敏感器件,并在静电环境下进行合适的处理和操作。
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MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。

一定要保护好

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纯净的硅(中级)

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GS间要串联一个10K左右电阻,有的还要加上18V的稳压管,就是把G极电压不受外界干扰影响。G极没有通过电阻接地到S极,通电工作就容易烧坏,一般是DS间不能完全导通或断开造成发热而烧坏了。

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有道理  详情 回复 发表于 2024-1-19 12:53
 
 
 
 

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振动试验仪器 发表于 2024-1-19 12:52 GS间要串联一个10K左右电阻,有的还要加上18V的稳压管,就是把G极电压不受外界干扰影响。G极没有通过电阻接 ...

有道理

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纯净的硅(中级)

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我维修振动台的功率放大器,输出回路用的是IRFP260M的管子,200V50A电流,MTW32N20E,IRF530等型号,在换的时候没有坏过,都是开机后烧坏的。 

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纯净的硅(中级)

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大功率的MOS管是工作在开关状态,要么全开,导通的电阻小,能通过大电流,要么就是全部断开,实际上的漏电流是很小的,实际测试是在微A,关断时有1mA的漏电流在功放上是不能用的了。

因此驱动电路的负载能力是很重要的,三极管驱动IRF530,再推动5个IRFP260M的管子工作了。正常工作时,GS的波形必须是方波,低电位必须是0V,高电位是12V或15V了。

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