关于NAND启动Stepping Stone简单问题

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关于NAND启动Stepping Stone简单问题 [复制链接]

三星的2416 有8K的Stepping Stone，2440有4K的Stepping Stone

目前我的EBOOT和NBOOT代码都准备好了。读写NAND FLASH都可以了。

现在我要从NAND启动，2416 NAND flash的前8K会自动复制到Stepping Stone里面去，就是在烧写过程中需要做ECC校验吗？
我的NAND是2048BLOCK 32page 512+16BYTE

我要烧NBOOT到前8K，需要不需要做什么校验？就是代码只能放在512里面不能放在16BYTE里面是吗？

还有ECC校验每256BYTE就会有3个BYTE是校验的结果，但是我有512这个校验结果要如何存放呢？
（最主要看到NAND 16BYTE中的第7BYTE是放坏块的，这个地址不能给我放ECC校验结果吧？那么我要怎么存放呢？）
还有ECC校验能否使用硬件里面的那些寄存器来做，还是用软件代码来做？

lpasmg

一般BSP中的EBOOT，关于烧录step stone的代码中有关于ECC的校验烧录，你可以参考一下。
设置NAND启动，step stone中的代码似乎不进去ECC校验，我们出现过SPARE区的数据不对，但是仍然可以进去启动。
但是不管如何设置，有效代码一定只能存放在main区，能不放在spare区，也就是你所说的512和16

mq13947193109

S3C2416这个芯片设置成NAND启动，要根据NAND的具体参数设置OM[1..3]以及GPC5,GPC6,GPC7

yelanghijie

   明年我再来好好学习了。

月光

引用 1 楼 veabol 的回复:
一般BSP中的EBOOT，关于烧录step stone的代码中有关于ECC的校验烧录，你可以参考一下。
设置NAND启动，step stone中的代码似乎不进去ECC校验，我们出现过SPARE区的数据不对，但是仍然可以进去启动。
但是不管如何设置，有效代码一定只能存放在main区，能不放在spare区，也就是你所说的512和16

那运行地址要如何设置呢？是设置成0x00000000还是0x40000000？
我不管设置哪个地址，没有ECC校验都运行不起来。但是我看了IROM的手册，好像说2416是要进行ecc校验的。

max

关于ECC我也一知半解，这个MLC的我更不理解，只能帮顶了。

iamljz

引用 5 楼 gooogleman 的回复:
关于ECC我也一知半解，这个MLC的我更不理解，只能帮顶了。

不是MLC的哦，是SLC的32M的芯片。2048BLOCK 32PAGE 512+16BYTE