泰克MOSFET测试方案简介

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泰克MOSFET测试方案简介 [复制链接]

MOSFET简介:
MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)是常见的半导体器件可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中。一般由Source(源极)，Drain(漏极)，Gate(栅极)，Bulk(体电极)组成。MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管等材料制作，是材料及器件研究的热点。

 
MOSFET测试难点：
    1.由于MOSFET是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试

    2.MOSFET的漏电越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。

    3.MOSFET动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。
    4.随着MOSFET特征尺寸越来越小，自加热效应成为影响MOSFET可靠性的重要因素。脉冲测试可以减少自加热效应。所以MOSFET需要进行脉冲 IV测试，用以评估器件的自加热特性。    

    5.MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以MOSFET的电容测试非常重要。由于MOSFET的电容是非线性，且不同频率下曲线不同，所以需要能进行多频率，多电压下的CVU进行测试。

测试方案：

测试设备: 4200A-SCS，加配: 中功率SMU/高功率SMU/电容测试单元CVU/超快脉冲测试单元PMU/切换开关等测试载台:探针台/测试夹具

3000V方案:
测试设备: 2600-PCT，可选配200V/10A低压基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高压配置3000V/50A高压高流配置。测试载台:高功率探针台/测试夹具