泰克宽禁带材料测试简介

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宽禁带材料简介:

宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料，以I-V族材料SiC等最为常见。随着电子电力的发展，功率器件的使用越来越多SiC.GaN等被广泛应用于射频，超高压等领域，为适应特高压输电，电动汽车充电桩等超高压应用，可以承受更高电压的超宽禁带半导体，如金刚石，氧化镣等的研究也在逐渐深入。宽禁带材料一直是研究方同的热点。在半导体材料的研究中，电阻率，载流子密度和迁移率是测试的关键参数。

 

测试难点

1.宽禁带材料的带隙较大，击穿电场较高。超禁带材料击穿电场更高。因此需要上千伏高压源表进行测试

 

功率器件带隙较宽，稳定性好，受温度影响较小，所以也是高流器件的制备材料。电流特性的测试，需要用到几十安培的高流源表。

3.四线法及霍尔效应测试均是加流测压的过程，需要设备能输出电流并且测试电压，这意味着同时需要电流源和电压表。

电阻率及电子迁移率通常范围较大，需要电流电压范围都很大的设备。

5.电流源和电压表精度要高，保证测试的准确性。

 

电阻率测试方法:
四探针测试法
测试载台: 四探针测试台

载流子浓度及迁移率测试方法:霍尔效应测试法
测试载台:磁场设备及探针台

中功率测试设备:

测试设备: 4200A-SCS，SMU模块+PA