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GaN 放大器 - 氮化镓技术 [复制链接]

氮化镓 (GaN) 技术是一种相对较新的半导体技术,主要用于国防、航空航天、电信基础设施和卫星通信等市场。 

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随着科技的发展,射频微波领域开始从LDMOS功率放大器转向工作温度更低、尺寸更小、功率更高的GaN基解决方案。GaN 技术克服了 LDMOS 的频率限制(通常限制在 3-4 GHz 以下),将频率能力扩展到 50 GHz 及以上。与 LDMOS 相比,以下是用于基站的 GaN-on-SiC (SiC) 技术的一些主要优势:

1.更小的阵列

由于 GaN on SiC 与 LDMOS 相比具有更高的功率输出和出色的散热性,无线网络运营商可以使用更小的阵列来实现相同的输出功率。GaN on SiC的阵列尺寸比LDMOS小20%。

2.可靠性

GaN 即使在高温下也能可靠运行。这对于 5G 基站至关重要,因为这些系统开始从无线塔下方的空调房间转移到塔顶。即使在恶劣的塔顶环境中,GaN on SiC 也能提供高可靠性。

3.更好的散热:

SiC 上的 GaN 具有比 LDMOS 更高的热导率,因此它可以更有效地散热,从而产生更冷的操作系统。

4.更高的工作频率

与 LDMOS 不同,SiC 上的 GaN 可以在 5G 使用的 6 GHz 以下和毫米波 (mmWave) 频率范围内工作,同时将效率提高 10% 至 15%。

5.重量更轻:

重量是基站应用中的一个重要因素,也是更小的外形尺寸如此重要的一个关键原因。GaN 的更高效率允许使用更小的散热器,从而减小整个系统的尺寸和重量。

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KeyLink 的一整套 GaN 放大器提供卓越的性能。我们的 GaN 射频功率放大器的输出功率范围为 2 至 200 瓦,采用基于微处理器的设计,其中包含自适应偏置算法,可在不同负载条件下优化整个频带的效率和输出功率。

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GaN 功率放大器设计特点:

* 更高的击穿电压 60 至 80 VBRDSS(100-150 伏)

* 更高的功率密度

* 卓越的导热性

* 示例:LDMOS - 12W/sq。mm 耗散与 GaN - 70W/sq。毫米耗散

* 更高的结温 > 200°C(+225°C 至 250°C)

* 更高的饱和电子漂移速度(更高的电流传输能力)

* 较低的固有电容,可提供更高的输入/输出设备阻抗,从而实现宽带匹配

* GaN 提供高增益和高效率(窄带 50% 至 60%)

* 卓越的噪声和线性功率附加效率 (PAE)

KeyLink 的宽带 GaN 射频功率放大器是多倍频程高功率放大器,工作频率在 1MHz 和 18GHz 之间,提供从 2W 到 200W 典型饱和功率的宽动态范围。在制造过程中采用氮化镓 (GaN) 和芯片和线材技术确保该模块具有最先进的功率性能和出色的功率体积比。这些GaN 射频功率放大器非常适合干扰、EMC、测试和测量应用。

此帖出自RF/无线论坛

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