反激临界工作模式下的MOSFET的损耗分析

cenly01

反激临界工作模式下的MOSFET的损耗分析 [复制链接]

求助大神对于开关电源的MOSFET损耗分析，有几个问题一直没有想明白。

1、导通损耗计算时，是否要考虑MOS的导通电阻的温度系数？

2、开关损耗计算时，如果MOS漏-源增加电容，损耗要用什么模型或关系式进行理论计算？

 

maychang

1、导通损耗计算时，是否要考虑MOS的导通电阻的温度系数？

 

要的。应该根据实际工作时的结温来验算。

maychang

2、开关损耗计算时，如果MOS漏-源增加电容，损耗要用什么模型或关系式进行理论计算？

 

漏-源增加电容是要实现什么目的？

qwqwqw2088

导通损耗和温度关系很大，结温，热阻等都要考虑

cenly01

maychang 发表于 2019-8-21 15:47 2、开关损耗计算时，如果MOS漏-源增加电容，损耗要用什么模型或关系式进行理论计算？   漏-源增 ...

增加DS电容的目的是为了解决EMI辐射

伟林电源

1、导通损耗计算时，是否要考虑MOS的导通电阻的温度系数？

当然要，根据温度曲线留足余量就好。

伟林电源

2、开关损耗计算时，如果MOS漏-源增加电容，损耗要用什么模型或关系式进行理论计算？

Coss=Cds+Cgd  ，你加并的电容是在ds上，可代入Cds即可，其他不变，

伟林电源

加并电容是不是要取谐振值啊？

maychang

cenly01 发表于 2019-8-21 19:39 增加DS电容的目的是为了解决EMI辐射

漏极源极之间加电容，可能会使开关速度变慢，从而增加开关损耗，这一点务必要考虑。

至于计算，伟林电源在7楼已经说过了。