176层3D NAND技术

作为目前市场上技术极先进的NAND节点,美光推出的业界首款176层3D NAND同时将读写延迟降低了 35% 以上,混合工作负载性能提高达 15%,帮助数据中心、智能边缘和移动设备等环境下的存储应用实现更高性能。(了解更多>

美光176层NAND是众多领域技术人员在构建产品过程中不可或缺的元素,其以下特点可帮助用户扩展竞争优势:

  • 独特技术

    替换栅极架构结合电荷阱及CMOS阵列下 (CuA) 设计,裸片尺寸比同类最佳的竞争产品缩小近30%。

  • 更强性能

    读写速度提高35%*,启动更快,应用程序响应性更高 *与美光大容量浮动栅极96层NAND对比。如与128层替换栅极NAND对比,美光176层NAND的读写延迟降低25%以上。

  • 应用广泛

    移动、汽车、客户端、消费类和数据中心等应用的理想之选,可推动闪存在数据湖、人工智能、大数据分析等工作负载中的应用。

从工程技术的角度来讲,美光科技的176层 NAND 无疑是一项惊人的成就。但它的成就不仅限于工程技术方面,它让我们所有人都能做到更多、学到更多并拓宽眼界,改变我们的未来。

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解决单元间电容耦合问题并通过金属控制栅极来减小电阻,美光的替换栅极 (RG) NAND确保了领先业界的大容量数据存储系统能提供高速、平稳的卓越性能。

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新款 3D NAND 产品实现闪存性能和密度的重大突破,将进一步提升移动设备、汽车、客户端 (PC) 和数据中心等应用的存储能力。

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1α DRAM技术

美光 1α 节点是目前全球极先进的 DRAM 制程技术,助力数据中心、汽车、智能边缘、移动等领域的应用拥有更强的可靠性、更高内存密度、更好的节能效果及同类极佳性能。该技术还为美光未来的产品和内存创新打下了坚实的基础。

美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer先生表示:“ 1α 节点印证了美光在DRAM领域的领先成就,同时也是我们对前沿设计和技术不懈追求的成果。对比我们上一代的 1z DRAM 制程,1α 技术将内存密度提升了 40%,为将来的产品和内存创新提供了坚实的基础。”

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美光近期宣布批量出货基于目前世界上极为先进的 DRAM 制程技术的内存芯片。该制程技术有一个神秘的名字 “1α”(1-alpha)。这个名字有何含义?这项技术有多神奇?

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有奖评论

美光176层3D NAND 和1α. DRAM技术的优秀不言而喻,欢迎大家在页面 【评论区】 进行讨论,产品选型、技术资料、所遇难题等都在交流范围内,参与讨论,还有机会赢取50元京东卡!

活动时间:即日起——2022年3月8日

参与方式:

Step1:阅览美光 【176层3D NAND】【1a DRAM】技术资料;

Step2:下方 【评论区】发表不少于30字的评论(选型、难题等等),谢绝抄袭。

 

活动规则:

1. 每人可评论1次,评论前请认真填写并提交参与表单;

2. 每人仅有1次获奖机会,多次注册账号、资料不详、抄袭等均视为无效;

3. 活动结束后,根据评论内容质量,选出30人赠送50元京东卡1张。

评论区

留言板

  • 133****17852022/01/17

    176层的NAND应用中,容量应该有大大的进步,那么后续有没有可能提供新的数据读取接口(或者现接口升级版本),用来提高速率?

  • 135****86212022/01/16

    美光的176 层 NAND,10 倍早期3D NAND 密度,同体积下存取更多容量;将替换栅极架构与CMOS阵列架构相结合,实现了较高数据传输速率。高容量,速度快,如果性价比再合适,同类产品必选!!

  • 153****97792022/01/14

    业界首款176层3D NAND的与众不同的优势:同时将读写延迟降低了 35% 以上,混合工作负载性能提高达 15%,对于行业选型与项目工程师的设计层面选用,增加了选择的空间和灵活性

  • 138****96392022/01/13

    其实在选型时考虑的就是质量,包括性能、可靠性、经济性、技术前瞻性等等方面,而美光不负众望,做到了,所以我选他。

  • 138****99472022/01/13

    我们公司的企业存储产品也使用了美光的方案,这次美光发布的176 层 NAND技术,希望能再次强强联合,打出一记漂亮的组合拳。

  • 185****01982022/01/11

    三星市场占有率最高,但从技术程度上说,美光要高于三星,这是台积电CEO说的,据说台积电要联合美光一起推进市场份额,避免三星给厂家提供的全家桶套餐。这次美光的技术又在刷新了行业,再一次领先三星。

  • 157****57632022/01/11

    美光的176 层 NAND 推出时具有最高的层数、一流的 I/O 输入输出速度以及创新的CMOS阵列下架构(CMOS under the array)。美光的 176 层 NAND 是业界密度最大、技术最先进的,通过将替换栅极(replacement gate)架构与CMOS阵列下架构设计相结合,实现了业界领先的数据传输速率。

  • 188****93182022/01/09

    NAND FLAHS 主要是用来和NorFlash进行对比, 一般来说NAND FLASH 的存储容量大于Norflash且价格低于Norflash, 但速度比不上Norflash; 从文章上可以看出, 美光推出的业界首款176层3D NAND同时将读写延迟降低了 35% 以上,是大大的提供了芯片的性能, 工作负载性能提高达 15%, 对于目前的大数据、边缘运算、人工智能等存储数据需求大的应用中有着很好的作用;

  • 147****66572022/01/08

    得益于新的闪存架构和堆叠技术,美光将176层的厚度压缩在了45微米,基本和早期的64层浮动栅极3D NAND差不多。 这样,即使在一颗芯片内封装16个Die,做到1TB的单颗容量,厚度也不会超过1.5毫米,可以轻松放入智能手机、存储卡。 传输速率提高至1600MT/s,而此前96/128层的都是1200MT/s,读写延迟相比96层改进35%,相比128层改进25%,混合负载性能相比96层改进15%。所以说,还是非常不错的,铸就新技术,更进一层楼

  • 180****03602022/01/07

    得益于新的闪存架构和堆叠技术,美光将176层的厚度压缩在了45微米,基本和早期的64层浮动栅极3D NAND差不多。 这样,即使在一颗芯片内封装16个Die,做到1TB的单颗容量,厚度也不会超过1.5毫米,可以轻松放入智能手机、存储卡。 传输速率提高至1600MT/s,而此前96/128层的都是1200MT/s,读写延迟相比96层改进35%,相比128层改进25%,混合负载性能相比96层改进15%。

  • 137****59122022/01/06

    美光作为主要的DRAM芯片供应商,曾在2012年收购尔必达之后,DRAM市占率曾一度跃居全球排名第二,然而市场竞争不断加剧,美光DRAM市占不断流失。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,2020年Q3 DRAM市场排名,三星以42.1%市占排名第一,SK海力士市占28.8%排第二,美光市占24.1%,显然与SK海力士市占差距明显。

  • 186****89902022/01/03

    新型1α DRAM技术的突破使得业务又上了一个新台阶,作为我们多年供应商的重要合作伙伴,对性能提升和客户引入测试有什么新的应力和测试工具吗?DDR4当前常规物料也可以导入新技术?什么时候切呢?

  • 150****97022022/01/02

    176层NAND将加速并扩大在移动、汽车、消费类等各个领域的增长机会。其独特的功能将提升和拓展从5G到人工智能、从边缘到云的各种应用中的存储能力。非常期待美光全新基于176层NAND的SSD产品,希望美光加大产品商用的进度,让各行业尽早受益。

  • 188****87462021/12/29

    176层3D NAND技术 使用第二代替换栅极架构结合电荷阱及CMOS阵列下 (CuA) 设计,裸片尺寸比同类最佳的竞争产品缩小近30%,同时实现了闪存性能和密度的重大突破,使得读写延迟较上一代128层3D NAND产品降低25%以上,对闪存在数据湖、人工智能、大数据分析等工作负载中的应用起到极大推动作用。

  • 166****69862021/12/29

    美光从0起步,变成全球前五大的NAND供应商,让我感到非常佩服,充分利用自己的专长,努力克服困难,坚持自主创新,这些都与成功是密不可分的

  • 156****93552021/12/28

    美光的176层NAND是3D NAND技术的又一个重要里程碑,因为采用这一技术的闪存密度接近第一代3D NAND闪存的10倍。美光新的176层技术和其先进的架构代表了一项重大突破,可以促进应用于现代智能,5G,智能汽车,手机,电脑技术的有效发展。点赞yyds

  • 136****05752021/12/27

    1α DRAM主要应用在那些领域?手机,服务器还是PC ? 内存密度提升40%, 功耗降低15%,看这些数据是很让人兴奋的。

  • 158****58402021/12/26

    美光的 176 层 NAND 的密度是早期 3D NAND 的十倍,这项技术的突破意味着在以后,我们手机和电脑在尺寸不变的情况下,里面的数据存储量可以得到大幅提高

  • 188****78422021/12/26

    美光176层3D NAND技术的确为边缘计算服务器和数据中心提供了强大的计算性能,但是在一些物联网硬件可能不需要这么强大的的计算性能,反而需要体积更小,更经济的方案

  • 189****46892021/12/25

    "美光拥有数以万计的工程师和科学家。我为这支团队感到骄傲,也为自己身为团队一员而感到自豪。".啥时候能听见不止一个总裁能这么说,制造业才有希望。而不是强调情商,强调管理,强调行政。美光加油。

  • 177****09722021/12/23

    美光应该是国产厂商吧,那可真是振奋人心的消息,美光出货了全球首款 176 层 NAND,技术上的革新和突破,为未来智能汽车、5G和AI等诸多现代和未来领域带来新的发展契机。 美光 1α 的 DRAM 代表了全球最好的制程技术,将大力帮助新能源、智能驾驶、移动通信走向高密度、高可靠性和稳定性的发展道路。美光坚持不断的突破与创新的理念,美光必将引领存储界的潮流。

  • 156****98252021/12/23

    得益于新的闪存架构和堆叠技术,美光将176层闪存的厚度控制在45微米,基本上与早期的64层浮动栅极3D NAND相当,所以,即使在一颗芯片内封装16个Die,做到1TB的单颗容量,厚度也不会超过1.5毫米,可以轻松放入智能手机、存储卡。

  • 138****50452021/12/23

    美光176层3D NAND 和1α. DRAM技术 独特技术 更强性能 应用广泛

  • 180****46512021/12/23

    美光176层3D NAND,有没有可能存在功耗问题,需要增加散热片?目前深度有了,宽度有可能增加吗?

  • 186****42792021/12/22

    美光DRAM技术已超越三星,台积电老总说的,看好美光跟台积电联合打造精品

  • 139****74712021/12/22

    3D NAND 的投产是一件大事,它带来了更低的成本,实现了巨大的价值。美光的 176 层 NAND 成为一个重要的里程碑。这项技术所实现的密度是早期 3D NAND 的近 10 倍。10 倍密度意味着智能手机可以做更多事、存储更多内容,并且让更多人负担得起,同时提升他们的日常生活体验。我还期待我们的技术能够广泛应用于各种电子设备(包括云存储的基本结构单元)。

  • 151****35812021/12/21

    176层3D NAND闪存是美光第二代替换闸(Replacement Gate)架构,是目前全球技术最为先进的NAND节点,相较于前代3D NAND相比,美光176层3D NAND闪存在读取及写入延迟方面提升35%。得益于新的闪存架构和堆叠技术,美光将176层闪存的厚度控制在45微米,基本上与早期的64层浮动栅极3D NAND相当,所以,即使在一颗芯片内封装16个Die,做到1TB的单颗容量,厚度也不会超过1.5毫米,可以轻松放入智能手机、存储卡。

  • 186****49912021/12/21

    之前有用过96层,128层的nand,最近美光推出的 176 层 NAND 是业界密度最大、技术最先进的,通过将替换栅极(replacement gate)架构与CMOS阵列下架构设计相结合,实现了业界领先的数据传输速率。期待美光在3D堆叠领域,NAND可以走得更远吧。

  • 137****38062021/12/19

    在汽车领域, Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司)是内存与存储解决方案领先供应商,它宣布批量出货基于 1α (1-alpha) 节点(目前世界上最为先进的 DRAM 技术)的 DRAM 产品。该制程是,在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。

  • 187****35712021/12/19

    在汽车领域,内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司)是我们控制器产品内存方案的重要供应商,它宣布批量出货基于 1α (1-alpha) 节点(目前世界上最为先进的 DRAM 技术)的 DRAM 产品。该制程是,在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。我们对此表示祝贺,希望未来可以加强合作,一起迎接正在爆发中智能汽车领域。

  • 150****02982021/12/19

    业界首款176层垂直架构NAND,同时层数最多NAND,优化结构设计和降低处理延时突破摩尔定律放缓的后时代,如此高密度晶粒如何通过巨量转移实现突破的?尺寸微型化,低延迟和高带宽传输如何降低成本面向未来的消费级市场…

  • 130****28512021/12/19

    nand技术一直在不断更新,这也是nand一直作为主流的非易失性存储未被其它存储芯片替代的原因。这次镁光推出新一代具有创新架构的NAND,将继续巩固NAND在这一领域的垄断地位

  • 180****81202021/12/18

    1α DRAM技术也是超低功耗技术吗,1α DRAM突破达到更高的内存密度,那么我们的手机等便携电子产品的体积可以做的越来越小,容量也越来越大。在人工智能AI领域,1α DRAM的容量和运算速率将会越来越受青睐

  • 180****55782021/12/17

    176层NAND,提供更高的器件密度,大容量存储占用空间更小;数据传输率大幅提高;进一步提高存储效率。请问可靠性和安全性是否有质的提升?美光1α DRAM技术确实为DRAM技术提供质的突破,产品寿命是否也有大幅提升?

  • 155****20612021/12/16

    不错,比同行更早选用更新更先进的器件,也就能吃到最早最大的蛋糕。3D NAND在这方面真是前进了一大步!

  • 152****06582021/12/16

    美光的176 层 NAND 产品采用美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构,有同类型的技术优势吗?与美光的上一代大容量 3D NAND 产品相比,176 层 NAND 将数据读 取和写入延迟缩短了多少?能极大地提高了应用的性能吗??

  • 135****93512021/12/16

    176层NAND为创新提供了无限可能。对于我们开发者和制造商生态系统能够使用更快、更便宜的NAND闪存开展更多的工作,并制造出更好、更快、更小、更实惠的设备。我们还可以预测广阔的前景中会有更多的机遇和技术,在最新的闪存和3D NAND的支持下,将出现一些极具颠覆性的技术。让大家一起努力吧

  • 186****73642021/12/16

    基于 1α (1-alpha) 节点的 DRAM 产品的制程是目前世界上最为先进的 DRAM 技术,在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。这是继最近首推全球最快显存和 176 层 NAND 产品后,美光实现的又一突破性里程碑,进一步加强了公司在业界的竞争力。期待实际应用的效果。

  • 131****13142021/12/16

    美光的176层3D NAND 技术和1α. DRAM技术两款产品真的是刷新的技术的认知,很强!176层的NAND将读写延迟降低了 35% 以上,混合工作负载性能高达 15%,而且尺寸还小了,将其应用到可视眼睛,连接大数据云指日可待。1α.DRAM技术与前一款产品比内存密度提升了 40%,相当于缩小了体积,便于未来手持终端设备的应用。

  • 137****17242021/12/15

    美光的176 层 NAND 确实在业界内已经起到了加速并扩大移动、汽车、消费类等各个领域的增长机会,因此,这将进一步增强整个行业的竞争关系。其176 层 NAND独特的功能将提升和拓展 5G 到人工智能、从边缘到云的各种应用中的存储能力,是满足数据密集型工作负载日益增长的需求的最佳选择,尤其是在传统存储已达到极限的情况下,3D NAND 的这一创新无疑将加速闪存的应用。

  • 159****65672021/12/15

    美光的176层3D NAND技术确实给人以极大的震撼,存储器的制造追求高容量、小体积、低功耗的表象,但是要达到这样的特性,却需要克服传统浮栅设计技术的障碍,而RG NAND技术做到了这一点,满足高性能的同时,也降低了成本,在目前市场上来说应该是具有极大的生机与活力的。RG NAND技术也是通过增加cell的思路来增加容量,但是减少了cell间电容耦合性问题,编程电压脉冲上升的时间缩小了一倍,延长了存储器的使用寿命,这是具有革命性的,从这一点上来说也是节省了成本,因为相同的时间需要更换的存储器的数量变少了。回望存储器的发展历史,一直都是向着扩容出发,总的来说,美光RG NAND技术克服了当前芯片扩容的技术壁垒,或许会成为未来NAND存储系统设计的首选。

  • 131****05512021/12/14

    像我们这种想使用小尺寸解决方案的用户来说,选择美光的176层3D NAND是我们的福音。美光的新NAND闪存与其上一代大容量3D NAND相比,176层NAND将读取延迟和写入延迟提高了35%以上,从而极大地提高了应用程序性能,176层NAND紧凑型设计比同类竞争产品小30%的裸片尺寸,同时,176层NAND提供改进的服务质量,这是数据中心SSD的关键设计标准,可以加速数据密集型环境和工作负载,例如人工智能引擎和大数据分析方面都有很好的体现。在5G智能手机方面,增强的QoS可以更快地启动和跨多个应用程序进行切换,从而创建更加无缝和响应迅速的移动体验,并实现真正的多任务处理和5G低延迟网络的充分利用。希望我们和美光可以共同发展进步。

  • 131****77012021/12/14

    美光推出的业界首款176层3D NAND同时将读写延迟降低了 35% 以上,混合工作负载性能提高达 15%,帮助数据中心、智能边缘和移动设备等环境下的存储应用实现更高性能。 期待消费级产品的量产,性价比合适的化,肯定是首选.

  • 152****55792021/12/14

    美光闪存3D NAND与同类产品相比体积缩小30%,读取速度提高35%,只得下一个产品设计选择;1a DRAM内存将内存密度提升40%,功耗降低15%,改进效果明显,值得选用。

  • 137****35722021/12/12

    美光的 1α 技术节点使内存解决方案更节能、更可靠,并为需要最佳低功耗 DRAM 产品的移动平台带来运行速度更快的 LPDDR5。美光为移动行业提供最低功耗的 DRAM 平台,实现了15% 的节能1,使 5G 用户在不牺牲续航的同时能在手机上进行更多任务操作。

  • 177****77012021/12/11

    读写速度提高35%*,启动更快,应用程序响应性更高,相比于读写速度,个人更关心NAND在高频率读写下的使用寿命!

  • 186****52162021/12/11

    美光推出的NAND将读写延迟降低 35% 以上,进一步提升了高速存储设备的性能,就是不知道抗干扰能力怎么样,1阿尔法技术进一步压缩芯片尺寸,对集成化水平进一步提高有着显著的作用

  • 158****09152021/12/10

    美光 1α 节点是目前全球极先进的 DRAM 制程技术,助力数据中心、汽车、智能边缘、移动等领域的应用拥有更强的可靠性、更高内存密度、更好的节能效果及同类极佳性能。该技术还为美光未来的产品和内存创新打下了坚实的基础。

  • 136****14312021/12/10

    美光通过Micron和Crucial品牌提供DRAM、NAND和NOR等多个种类的高性能内存以及存储产品组合。我们通过持续不断的创新,赋能数据经济发展,推动人工智能和5G应用的进步,从而为数据中心、智能边缘、客户端和移动应用提升用户体验带来更大的机遇。

  • 185****67642021/12/10

    176 层 NAND带来了裸片尺寸比同类最佳的竞争产品缩小近30%、读写速度提高,启动更快,应用程序响应性更高;这么多的优势是不是可以取代已有的旧产品?什么时候可以取得更多的市场占有率?在选型的时候应该关注哪些关键指标?和传统NAND选型有哪些不一样呢?

  • 176****24202021/12/10

    3D NAND 的投产是一件大事,它带来了更低的成本,实现了巨大的价值。美光的 176 层 NAND 成为一个重要的里程碑。这项技术所实现的密度是早期 3D NAND 的近 10 倍。10 倍密度意味着智能手机可以做更多事、存储更多内容,并且让更多人负担得起,同时提升他们的日常生活体验。我还期待我们的技术能够广泛应用于各种电子设备

  • 178****98952021/12/10

    提高读写速度,降低延迟,降低功耗,支持美光!

  • 173****80282021/12/10

    支持国产存储

  • 135****76972021/12/10

    美光推出的业界首款176层3D NAND,突破性的硬件结构使得同时将读写延迟降低了 35% 以上,混合工作负载性能提高达 15%,帮助数据中心、智能边缘和移动设备等环境下的存储应用实现更高性能,镁光的技术是在存储前沿的,其先进的技术和成熟的发展是镁光在存储界排行前几位的保证,选择镁光,是正确的选择。

  • 156****16372021/12/10

    1、Blog中提到3D NAND的投产是一件大事,它带来了更低的成本。按说工艺越复杂,良品率越低,成本会更高。美光176层的3D NAND是如何做到更低的成本的? 2、176层3D NAND更高密度,更小体积,更快的读写速度,可以带给用户更好的使用体验。那么在高堆叠层数,高密度的情况下,美光是通过什么技术或者工艺降低层与层之间的相互干扰的,是如何保证其可靠性的?

  • 137****28692021/12/10

    我们全新的 1α 技术将为手机行业带来 最低功耗的 DRAM,同时也使美光于数据中心、客户端、消费领域、工业和汽车领域的 DRAM 客户受益匪浅。内存和存储预计是未来十年增长最快的半导体市场,美光凭借领先业界的 DRAM 和 NAND 技术,将在这个快速增长的市场中立于不败之地。

  • 130****23062021/12/10

    176层3D NAND 拥有独特的技术,优秀的性能以及更广泛的应用领域;尤其在智能驾驶和智能消费品领域有着独特的优势;其较小的空间尺寸,读写的较短延迟,优异的响应速度,在目前大数据时代都是比较拔尖和看重的着力点;未来很有前景~

  • 135****74692021/12/10

    业界的好消息,读写速度都比以前的有显著提升,响应时间也有提升,更适合小型化产品,比如无人机上的控制板就可以应用到。

  • 135****84902021/12/09

    难题为存储技术未来的发展瓶颈以及如何减少磨损均衡,防止电子漏电和错误bit,ecc校验算法,从而有效提高数据存储寿命,同时容量的增大以及读写速率提升也会带来多plane操作的难度

  • 181****56932021/12/09

    DRAM在数据延迟和耐久性方面是最好的,而闪存技术如TLC、QLC是块存储应用的最佳选择。这两者如何更好地结合从而发挥系统的性能?尤其最新的1a DRAM问世,两者如何更好地去协调以及促进?

  • 173****08952021/12/09

    美光最新一代1α DRAM内存节点提供8Gb至16Gb的密度,并为需要最佳低功耗DRAM产品的移动平台带来运行速度更快的LPDDR5,实现了15%的节能,使5G用户在不牺牲续航的同时能在手机上进行更多娱乐,音乐、游戏、追剧任你嗨。

  • 136****32312021/12/09

    美光 176 层 NAND的极限存储密度进行了非常大的提升,这种技术的数据安全性是否提升?在医疗设备行业对数据安全的要求比较高,有存储的稳定性和安全性要求,另外存储的坏点检测技术和存储地址分配技术是否兼容或者更新?

  • 183****66002021/12/09

    对比上一代的 1z DRAM 制程, 1α 技术将内存密度提升了 40%,功耗降低了 15%。可以说对移动终端来说是个大利好,特别是5G终端,在不牺牲续航的同时能在手机上进行更多任务操作。对5G的发展起到重要的推动作用

  • 132****65572021/12/09

    MRAM比如STTRAM具有易于与逻辑半导体制程集成的优点,但是STTRAM数据延迟以及能耗稍高于DRAM,研究也发现DRAM仍然最适合低延迟易失性应用,那么最新的1α DRAM能否完全取代STTRAM技术。

  • 152****79072021/12/09

    目前新能源汽车在市场很受推崇,1αDRAM拥有更强的可靠性以及更高内存密度,1αDRAM在新能源汽车中扮演什么角色,如何更好地提升新能源汽车的性能?提升内部的通信还是说数据的整合?

  • 180****78152021/12/09

    1α DRAM比上一代1z DRAM的性能大幅提升,也是第一个10nm级别DRAM工艺,如果想用1α DRAM替换现有的1z DRAM,对于系统的结构或者其他的元器件是否也需要替换?防止出现大马力发动机配老爷车的情况出现。

  • 189****35342021/12/09

    做出来世界首款176层3D NAND技术,将读写延迟降低了 35% 以上,混合工作负载性能提高达 15%,很厉害! 1α 节点技术是目前全球极先进的 DRAM 制程技术,应用于数据中心、汽车、智能、移动等领域,节能、可靠、稳定特点突出,将为未来的产品创新打下了坚实的基础。

关于Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)

美光科技是创新内存和存储解决方案的业界领导厂商,致力于通过改变世界使用信息的方式来丰富全人类生活。凭借对客户、领先技术卓越制造和运营的不懈关注,美光通过Micron和Crucial品牌提供DRAM、NAND和NOR等多个种类的高性能内存以及存储产品组合。我们通过持续不断的创新,赋能数据经济发展,推动人工智能和5G应用的进步,从而为数据中心、智能边缘、客户端和移动应用提升用户体验带来更大的机遇。如需了解MicronTechnology, Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)的更多信息,请访问 cn.micron.com.

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